Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Кинетика вакансий в процессе гетерополитипной эпитаксии SiC
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 26 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.
Предложена модель трансформации политипов SiC в процессе роста эпитаксиального слоя, основанная на изменении во времени концентрации углеродных и кремниевых вакансий в переходном слое, в рамках которой получено соотношение между их временами жизни. PACS: 61.50.Nw, 61.66.Fn, 61.72.Cc, 61.72.Ji, 68.55.Jk
- Г. Хэниш, Р.М. Рой. Карбид кремния (М., Мир, 1972)
- Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов. ФТТ, 24, 1377 (1982)
- Н.Д. Сорокин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, М.А. Чернов. Кристаллография, 28, 910 (1983)
- А.А. Лебедев. ФТП, 33, 769 (1999)
- А.А. Лебедев, С.Ю. Давыдов. ФТП, 39, 296 (2005)
- Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела (М., Наука, 1978)
- Э. Камке. Справочник по обыкновенным дифференциальным уравнениям (М., Наука, 1971)
- E. Rauls, Th. Frauenheim, A. Gali, P. Deak. Phys. Rev. B, 68, 155 208 (2003)
- M. Bockstedte, A. Mattaush, O. Pankratov. Phys. Rev. B, 68, 205 201 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
