Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Структурные и электрические свойства гетеропереходов GexSi1-x/Si, полученных методом прямого сращивания
Аргунова Т.С.1,2, Белякова Е.И.1, Грехов И.В.1, Забродский А.Г.1, Костина Л.С.1, Сорокин Л.М.1, Шмидт Н.М.1, Yi J.M.2, Jung J.W.2, Je J.H.2, Абросимов Н.В.3,4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, 790-784 Pohang, Republic of Korea
3Institute of Crystal Growth, Berlin, Germany
4Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
2Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, 790-784 Pohang, Republic of Korea
3Institute of Crystal Growth, Berlin, Germany
4Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
Поступила в редакцию: 3 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.
Приведены результаты исследования структурных и электрических свойств композиций, изготовленных методом прямого сращивания пластин GexSi1-x и Si. Пластины были вырезаны из кристаллов, выращенных методом Чохральского. Непрерывность интерфейса и дефекты кристаллической решетки исследованы рентгеновскими методами с использованием синхротронного излучения и сканирующей электронной микроскопией. Измерение прямых и обратных вольт-амперных характеристик диодов p-GexSi1-x/n-Si позволило оценить влияние дефектов кристаллической структуры на электрические свойства гетеропереходов. Удовлетворительные электрические параметры позволяют сделать вывод о том, что технология прямого сращивания перспективна для изготовления гетеропереходов GexSi1-x/Si большой площади. PACS: 73.40.Lq, 61.72.Lk, 61.72.Ff
- S. Voinigescu, M. Schumacher, K. Iniewski, R. Lisak, Z. Parpia. Electron. Tech., 26, 25 (1993)
- U. Erhen, A. Gruhl, A. Schiipen, H. Kibbel, U. Konig. Electron. Lett., 30, 525 91994)
- G.M. Khanduri, B.S. Panwar. Amer. J. Appl. Sci., 1, 236 (2004)
- F. Hirose, Y. Souda, K. Nakano, S. Goya, T. Nishimori, S. Okumura. IEEE Trans. Electron. Dev., 48, 2417 (2001)
- M. Arafa, P. Fay, K. Ismail, J.O. Chu, B.S. Meyerson, I. Adesidaa. IEEE Trans. Electron. Dev. Lett., 17, 124 (1996)
- M. Zeuner, T. Hackbarth, G. Hock, D. Behammer, U. Konig. IEEE Microwave Guided Lett., 9, 410 (1999)
- B.S. Meyerson. Appl. Phys. Lett., 48, 797 (1986)
- Ю.А. Тхорик, Л.С. Хазан. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах (Киев. Наук. думка, 1983)
- М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников (М., Металлургия, 1985).
- V.I. Vdovin. Phys. Status Solidi A, 171, 239 (1999)
- M.L. Green, B.E. Weir, D. Brasen, Y.E. Hsieh, G. Higashi, A. Feigenson, L.C. Feldman, R.L. Headrick. J. Appl. Phys., 69, 745 (1991)
- E.A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, M.L. Green, D. Brasen, A.R. Kortan, J. Michel, Y.-J. Mii, B.E. Weir. Appl. Phys. Lett., 59, 811 (1991)
- Q.Y. Tong, U. Gosele. Semiconductor Wafer Bonding: Science and Technology (N. Y., J. Wiley \& Sons, 1999)
- A. Plossl, G. Krauter. Mater. Sci. Eng., R25, 1 (1991)
- И.В. Грехов, Л.С. Берман, Т.С. Аргунова, Л.С. Костина, Е.И. Белякова, Т. В. Кудрявцева, E.D. Kim, S.C. Kim. Письма ЖТФ, 22, 14 (1996)
- N.V. Abrosimov, S.N. Rossolenko, V. Alex, A. Gerhardt, W. Shroder. J. Cryst. Growth, 166, 657 (1996)
- K. Wieteska, W. Wierzchowski, W. Graeff, M. Lefeld-Sosnowska, M. Regulska. J. Phys. D: Appl. Phys., 36, A133 (2003)
- Т.С. Аргунова, М.Ю. Гуткин, А.Г. Забродский, Л.М. Сорокин, А.С. Трегубова, М.П. Щеглов, Н.В. Абросимов, J.H. Je, J.M. Yi. ФТТ, 47, 1184 (2005)
- Т.С. Аргунова, А.Г. Андреев, Е.И. Белякова, И.В. Грехов, Л.С. Костина, Т.В. Кудрявцева. Письма ЖТФ, 22, 1 (1996)
- Т.С. Аргунова, И.В. Грехов, М.Ю. Гуткин, Л.С. Костина, Е.И. Белякова, Т.В. Кудрявцева, E.D. Kim, D.M. Park. ФТТ, 38, 3361 (1996)
- Т.С. Аргунова, Р.Ф. Витман, И.В. Грехов, Л.С. Костина, Т.В. Кудрявцева, М.Ю. Гуткин, А.В. Штурбин, J. Hartwig, M. Ohler, E.D. Kim, S.C. Kim. ФТТ, 41, 1953 (1999)
- T.S. Argunova, I.V. Grekhov, L.S. Kostina, T.V. Kidryavtzeva, M.Y. Gutkin, J. Hartwig, E.D. Kim, S.Ch. Kim, N.K. Kim. Jpn. J. Appl. Phys., pt 1, 37, 6287 (1998)
- D.K. Bowen, B.K. Tanner. High resolution x-ray diffractometry and topography (UK, Taylor \& Francis, 1998)
- J. Hartwig, S. Kohler, W. Ludwig, H. Moriceau, M. Ohler, E. Prieur. Cryst. Res. Technol., 37, 705 (2002)
- T. Mura. Micromechanics of Defects in Solids (Dordrecht, Martinus Nijhoff, 1987)
- Дж. Хирт, И. Лоте. Теория дислокаций (М.: Атомиздат, 1972)
- С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов. [S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices. (N. Y., J. Wiley \& Sons, 1981)]
- V. Roberts, D.W.E. Allsopp. Semicond. Sci. Technol., 11 (9), 1346 (1996).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
