Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Об электронном сродстве политипов карбида кремния
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 26 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.
Значения электронного сродства рассчитаны двумя различными способами с помощью представления разрывов зон в гетеропереходах, образованных контактом 3C-SiC с некубическим политипом, в виде линейных функций от степени гексагональности. PACS: 73.20.At, 73.30.+y
- Ф. Бехштедт, Р. Эндерлейн. Поверхности и границы раздела полупроводников (М., Мир, 1990)
- A. Fissel. Phys. Reports, 379 (1), 149 (2003)
- С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник. ФТП, 39 (12), 1440 (2005)
- А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, Н.С. Савкина, Е.В. Богданова, А.С. Трегубова, А.Н. Кузнецов, Л.М. Сорокин. Письма ЖТФ, 28 (23), 78 (2002)
- Н.Д. Сорокин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, М.А. Чернов. Кристаллография, 28, 910 (1983)
- В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
- W.R.L. Lambrecht, S. Limpijumnog, B. Segall. Inst. Phys. Conf. Ser., N 142, chap. 2 ( Silicon Carbide and Related Materials) (1996) p. 263
- A. Qteich, V. Heine, R.J. Needs. Phys. Rev. B, 45 (12), 6534 (1992)
- M.J. Bazack. Phys. Status. Solidi B, 202 (2), 549 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
