Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Высокоэффективные двухпереходные GaInP/GaAs солнечные элементы, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии

Лантратов В.М.¹, Калюжный Н.А.¹, Минтаиров С.А.¹, Тимошина Н.Х.¹, Шварц М.З.¹, Андреев В.М.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 30 октября 2006 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.

PDF версия

Методом МОС-гидридной эпитаксии проведены исследования по созданию монолитных двухпереходных солнечных элементов GaInP/GaAs. Определены и оптимизированы условия роста изопериодических с GaAs тройных твердых растворов Ga_xIn_1-xP и Al_xIn_1-xP. Разработана технология создания туннельного диода с высоким пиковым током 207 А/см² на основе сильно легированных слоев n⁺⁺-GaAs : Si и p⁺⁺-AlGaAs : C. Полученные в результате исследований каскадные солнечные элементы GaInP/GaAs имели хорошую эффективность преобразования солнечной энергии как для космических, так и для наземных применений. Максимальное значение кпд составило 30.03% (AM1.5D, 40 солнц). PACS: 84.60.Jt, 81.15.Gh

J.A. Hutchby, R.J. Markunas, S.M. Bedair. Proc. SPIE, Photovolt (ed. by S.K. Ded) 543, 543 (1985)
J.M. Olson, S.R. Kurtz, A.E. Kibbler. Appl. Phys. Lett., 56, 623 (1990)
K.A. Bertness, S.R. Kurtz, D.J. Friedman, A.E. Kibbler, C. Kramer, J.M. Olson. First WCPEC (Hawaii, 1994) p. 1671
S.R. Kurtz, J.M. Olson, K.A. Bertness, K. Sinha, B.Mc. Mahon, S. Asher. 25^th IEEE PVSC (Washington, D.C., 1996) p. 63
T. Takamoto, E. Ikeda, H. Kurata, M. Ohmori. Appl. Phys. Lett., 70 (3), 381 (1997)
R.R. King, N.H. Karam, J.H. Ermer, M. Haddad, P. Colter, T. Isshiki, H. Yoon, H.L. Cotal, D.E. Joslin, D.D. Krut, R. Sudharsanan, K. Edmondson, B.T. Cavicchi, D.R. Lillington. Proc. 28^th IEEE PVSC, (Anchorage, Sept. 15--22, 2000) p. 998
V.M. Andreev, V.V. Komin, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, M.Z. Shvarts. First WCPEC (Hawaii, 1994) p. 1894
V.M. Lantratov, I.V. Kochnev, M.Z. Shvarts. SOTAPOCS XXVIII Electochemical Society (NJ, USA, 1997) 97-21, p. 125
M.Z. Shvarts, O.I. Chosta, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, V.M. Andreev. Sol. Energy Mater.: Solar Cells, 68, 105 (2001)
G.B. Stringfellow. Organometallic Vapor-Phase Epitaxy (San Diego-London-Boston, Academic Press, 1999) p. 242
N. Kojima, M. Okamoto, S.J. Taylor, M.J. Yang, T. Takamoto, M. Yamaguchi, K. Takahashi, T. Unno. Sol. Energy Mater.: Solar Cell, 50, 237 (1998)
M. Kushibe, K. Eguchi, M. Funamizu, Y. Ohba. Appl. Phys. Lett., 56, 1248 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель