Вышедшие номера
Высокоэффективные двухпереходные GaInP/GaAs солнечные элементы, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии
Лантратов В.М.1, Калюжный Н.А.1, Минтаиров С.А.1, Тимошина Н.Х.1, Шварц М.З.1, Андреев В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.

Методом МОС-гидридной эпитаксии проведены исследования по созданию монолитных двухпереходных солнечных элементов GaInP/GaAs. Определены и оптимизированы условия роста изопериодических с GaAs тройных твердых растворов GaxIn1-xP и AlxIn1-xP. Разработана технология создания туннельного диода с высоким пиковым током 207 А/см2 на основе сильно легированных слоев n++-GaAs : Si и p++-AlGaAs : C. Полученные в результате исследований каскадные солнечные элементы GaInP/GaAs имели хорошую эффективность преобразования солнечной энергии как для космических, так и для наземных применений. Максимальное значение кпд составило 30.03% (AM1.5D, 40 солнц). PACS: 84.60.Jt, 81.15.Gh