Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Неустойчивость тока и N-образная вольт-амперная характеристика в кремниевом p-i-n-диоде в магнитном поле

Камилов И.К.¹, Алиев К.М.¹, Алиев Б.Г.¹, Ибрагимов Х.О.¹, Абакарова Н.С.¹

¹Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия Institute of Physics, Daghestan Science Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Institute of Physics, Daghestan Science Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Поступила в редакцию: 28 августа 2006 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены экспериментальные результаты исследования p-i-n-структур на основе электронного кремния с удельным сопротивлением rho=120 Ом·см. Исследовались динамические S-образные вольт-амперные характеристики при различных значениях приложенного магнитного поля. Обнаружено возникновение колебаний тока и напряжения большой амплитуды при 2 кЭ. Дальнейший рост величины магнитного поля приводит к нарастанию амплитуды колебаний и появлению высокочастотной моды колебаний с частотой ~3 МГц, которая модулирует низкочастотную. Магнитное поле выше 5 кЭ уменьшает амплитуду обеих мод колебаний тока и полностью подавляет колебания в цепи, S-образность исчезает. В соответствии с теорией на экспериментальных вольт-амперных характеристиках впервые обнаружены участки отрицательной дифференциальной проводимости N-типа при выполнении условия сильного магнитного поля, выбранной геометрии образца и соответствующих значениях электрического поля. PACS: 73.40.Lg

N. Holonyak, S.F. Bevacgua. Appl. Phys. Lett., 2, 71 (1963)
K. Shonhno. Jap. J. Appl. Phys., 4, 699 (1965)
Э.И. Каракушан, В.Я. Коварский, К.Ф. Комаровских, Е.И. Гамолин, В.И. Стафеев. ФТП, 3, 1724 (1969)
Э.И. Каракушан, В.Я. Коварский, К.Ф. Комаровских, Ю.В. Кружанов, В.И. Стафеев. ФТП, 4, 628 (1970)
Е.И. Гамолин, Э.И. Каракушан, В.Я. Коварский, В.И. Стафеев. ФТП, 9, 1465 (1975)
T. Hayashi, T. Morita, M. Fukaya, A. Hasegawa. Jap. J. Appl. Phys., 13, 1667 (1974)
R. Symanchyk, E. Pieper, D. Jager. Phys. Lett. A, 143, 337 (1990)
R. Symanchyk, D. Jager, E. Scholl. Appl. Phys. Lett., 59, 105 (1991)
R. Symanchyk, S. Gaelings, D. Jager. Phys. Lett. A, 160, 397 (1991)
А.М. Мусаев. ФТП, 38, 1030 (2004)
В.И. Стафеев, Э.И. Каракушан. Магнитодиоды (М., Наука, 1975)
А.К. Звездин, В.В. Осипов. ЖЭТФ, 58, 160 (1970)
Х.И. Амирханов, Р.И. Баширов, М.Р. Исаев, Б.Г. Алиев. ФТП, 9, 2198 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель