Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние адсорбции NO₂ на оптические и электрофизические свойства слоев пористого кремния

Болотов В.В.¹, Пономарева И.В.¹, Стенькин Ю.А.¹, Кан В.Е.¹

¹Омский филиал Института физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия

Поступила в редакцию: 16 октября 2006 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы спектры комбинационного рассеяния света и вольт-амперные характеристики слоев пористого кремния до и после воздействия диоксида азота. Показано, что в структуре образцов присутствуют нанокристаллиты сферической формы с диаметром около 6-8 нм. Воздействие NO₂ приводит к уменьшению сопротивления пористого Si на 2-3 порядка. Обнаружен рост проводимости структур при концентрации газа до 2000 млн^-1 и резкое ее снижение при концентрациях, превышающих указанную. Эффект объясняется в рамках модели образования дополнительных дефектов типа оборванной связи кремния на границе раздела Si/SiO₂ при окислении поверхности пористого кремния. Эти дефекты являются ловушками дырок, уменьшающими рост концентрации последних. PACS: 68.43-h, 72.80.Ng, 73.61.Jc, 78.30.Ly, 81.40-z

C. Baratto, E. Comini, G. Faglia, G. Sberveglieri, G. Di Fraccia, F. De Filippo, V. La Ferrara, L. Quercia, L. Lancellotti. Sens. Actuators B, 65, 257 (2000)
L. Pancheri, C.J. Oton, Z. Gaburro, G. Soncini, L. Pavesi. Sens. Actuators B, 89, 237 (2003)
А.К. Иванов-Шиц, И.В. Мурин. Ионика твердого тела (СПб., Изд-во СПбГУ, 2000) т. 1, с. 86
I.H. Campbell, P.M. Fauchet. Sol. St. Commun., 58, 739 (1986)
G. Amato, V. Bullara, N. Brunetto, L. Boarino. Thin Sol. Films, 276, 204 (1996)
Y. Sasaki, M. Kitahara. J. Appl. Phys. 76 (7), 4344 (1994)
S.R. Goodest, T.E. Jenkins, M.I.J. Beale, J.D. Benjamin, C. Pickering. Semicond. Sci. Technol., 3, 483 (1988)
С.П. Зимин, А.Н. Брагин. ФТП, 33 (4), 476 (1999)
Е.А. Константинова, Л.А. Осминкина, К.С. Шаров, Е.В. Курепина, П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко. ЖЭТФ, 126, вып. 4 (10), 857 (2004)
L. Boarino, F. Geobaldo, S. Borini, A.M. Rossi, P. Rivolo, M. Rocchia, E. Garrone, G. Amato. Phys. Rev. B, 64, 205 308 (2001)
Л.А. Осминкина, Е.А. Константинова, К.С. Шаров, П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко. ФТП, 39 (3), 365 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель