Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Бескадмиевые тонкопленочные гетерофотоэлементы Cu(In,Ga)Se2/(In2S3): создание и свойства
1Институт электроники Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.
Методом термообработки металлических слоев Cu-In-Ga в инертной атмосфере N2 в присутствии паров селена и серы выращены однородные пленки твердых растворов Cu(In,Ga)(S,Se)2, на которые были нанесены пленки CdS или In2S3 и на их основе созданы тонкопленочные фотоэлементы: стекло /Mo/ p-Cu(In,Ga)(S,Se)2/n-(In2S3,CdS)/n-ZnO/Ni-Al. Обсуждаются механизм токопереноса и процессы фоточувствительности в полученных структурах при их освещении естественным и линейно поляризованным излучением. Обнаружены широкополосная фоточувствительность тонкопленочных гетерофотоэлементов и наведенный фотоплеохроизм, свидетельствующие об интерференционном просветлении полученных структур. Сделан вывод о возможности применения экологически безопасных бескадмиевых тонкопленочных гетероструктур в качестве высокоэффективных фотопреобразователей солнечного излучения. PACS: 78.20.-e, 81.15.-z, 85.30.Hi
- Н.А. Горюнова. Химия алмазоподобных полупроводников (Л., ЛГУ, 1963)
- Copper Indium Diselenide for Photovoltaic Applications, ed. by T.J. Coutts, L.L. Kazmerski and S. Wagner (Amsterdam, Elsevier, 1986)
- K. Ramanathan, M.A. Contreras, C.L. Perkins, S. Asher, F.S. Hasoon, D. Young, M. Romero, R. Noufi, J. Ward, A. Duda. Prog. Photovolt. Res. Appl., 11, 225 (2003)
- A. Goetzberger, C. Hebling, H.W. Schock. MSE, R40, 1 (2003)
- I.M. Kotschau, M. Turcu, U. Rau, H.W. Schock. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 668, H4.5.1 (2001)
- V. Alberts, J. Titus, R.W. Birkmire. Thin Sol. Films, 451--452, 207 (2004)
- V.F. Gremenok, E.P. Zaretskaya, V.B. Zalesski, K. Bente, W. Schmitz, R.W. Martin, H.J. Moller. Sol. Energy Mater. and Solar Cells, 89, 129 (2005)
- И.В. Боднарь, В.А. Полубок, В.Ф. Гременок, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 41, 48 (2007)
- А.М. Поликанин, О.В. Гончарова, С.А. Сергиеня, В.Ф. Гременок, В.Б. Залесский. ЖПС, 71, 683 (2004)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
- Г. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
- E. Hernandes. Crys. Res. Technol., 33, 285 (1988)
- V.Yu. Rud', Yu.V. Rud', H.-W. Schock. Sol. St. Phenomena, 67--68, 421 (1999)
- Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33, 513 (1999)
- В.Ю. Рудь. Автореф. докт. дис. (УлГУ, 2005)
- Е.М. Воронкова, Б.П. Гречушников, Г.И. Дистлер, И.П. Петров. Оптические материалы для инфракрасной техники (М., Наука, 1965)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
