Вышедшие номера
Фоточувствительность структур на пленках Cu(In,Ga)(S,Se)2, полученных термообработкой в парах S и Se
Рудь В.Ю.1, Тиванов М.С.2, Рудь Ю.В.3, Гременок В.Ф.4, Зарецкая Е.П.4, Залесский В.Б.5, Леонова Т.Р.5, Романов П.И.5
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
5Институт электроники Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 7 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.

Методом одновременной сульфиризации и селенизации интерметаллических слоев Cu-In-Ga получены однофазные тонкие пленки твердых растворов Cu(In, Ga)(S, Se)2 (CIGSS), на которых вакуумным термическим напылением чистого In созданы выпрямляющие фоточувствительные поверхностно-барьерные структуры In/p-CIGSS. Исследованы спектры фоточувствительности впервые полученных структур. Изучено влияние состава пленок твердых растворов и условий освещения на фотоэлектрические параметры новых структур In/p-CIGSS. Сделан вывод о перспективности полученных пленок CIGSS для создания тонкопленочных фотопреобразователей высокой эффективности. PACS: 73.30.+y, 73.50.Pz, 81.40.Tv, 85.30.Hi