Влияние искривления зон энергии на нестационарную эдс Дембера в биполярных полупроводниках
Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.
Развита теория нестационарной эдс Дембера в биполярных полупроводниках, учитывающая реальные граничные условия на металлическом контакте и искривление зон энергии у поверхности образца. Показано, что поверхностный потенциал может значительно изменить величину эдс Дембера, а также ее фазочастотную характеристику. PACS: 73.20.At, 73.40.Cg, 73.50.Gr, 73.50.Pz
- L. Kronik, Y. Shapira. Surf. Sci. Rep., 37, 1 (1999)
- J.N. Chazalviel. Coulomb Screening by Mobile Charges (Birkhauser, Boston, 1999)
- M. Krvcmar, W.M. Saslow. Phys. Rev. B, 65, 233 313 (2002)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1975)
- Г.П. Пека. Физические явления на поверхности полупроводников (Киев, Вища шк., 1984).
- И.Н. Воловичев, Ю.Г. Гуревич. ФТП, 35, 321 (2001)
- A. Konin. Lithuan. J. Phys., 45, 373 (2005)
- А. Конин. ФТП, 41 (3), 282 (2007)
- A. Konin. Lithuan. J. Phys., 46, 233 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук