Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Двухполосная генерация в квантово-размерной активной области полупроводникового лазера при высоких уровнях накачки
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 12 февраля 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.
Экспериментально исследованы спектральные и мощностные характеристики полупроводниковых лазеров на основе квантово-размерных асимметричных гетероструктур раздельного ограничения в системе твердых растворов InGaAs/GaAs/AlGaAs, при высоких уровнях накачки в импульсом режиме генерации (200 А, 100 нс и 10 кГц.) Показано, что в лазерах с квантово-размерной активной областью, содержащей один или два электронных уровня размерного квантования, спектр состоит из одной или двух полос генерации. Установлено, что условие инверсной заселенности второго электронного уровня и двухполосная генерация достигается за счет насыщения скорости стимулированной рекомбинации с первого электронного уровня и высокой плотности состояний для второго уровня. Продемонстрировано, что в лазерах с двухполосным спектром генерации интегральная мощность излучения существенно превышает мощность излучения лазера с одним электронным уровнем и одной спектральной полосой. PACS: 42.55.Px, 85.30.De, 85.35.Be
- Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, А.В. Рожков, Н.А. Рудова, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, Н.В. Фетисова, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, К.С. Борщёв, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 32 (16), 47 (2006).
- С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.А. Пихтин, К.С. Борщев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов. ФТП, 40, 1017 (2006)
- Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, К.С. Борщев, И.Н. Арсентьев, И.С. Тарасов. ФТП, 41 (8), 1003 (2007)
- L.V. Asryan, N.A. Gun'ko, A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya, R.A. Suris, P.-K. Lau, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 15, 1131 (2000)
- С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38, 1477 (2004)
- N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, A.L. Stankevich, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 40, 1413 (2004)
- L.A. Coldren, S.W. Corzine. Diode lasers and photonic integrated circuits (John Wiley \& Sons, Inc., 1995)
- S. Adachi. Physical properties of III-V Semiconductor Compounds (John Wiley \& Sons, Inc., 1992)
- Quantum Well Lasers, ed. by P.S. Zory, jr. (Academic Press, 1993)
- З.Н. Соколова, В.Б. Халфин. ФТП, 23, 1806 (1989).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
