Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2007, выпуск 11 » Статья стр. 1281
>>>
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р
Бланк Т.В.1, Гольдберг Ю.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 января 2007 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2007 г.
PDF версия
Приведен обзор литературных данных по свойствам омических контактов металл-полупроводник и механизмам протекания тока в них (термоэлектронная эмиссия, полевая эмиссия, термополевая эмиссия, а также протекание тока по металлическим шунтам). Теоретические зависимости сопротивления омического контакта от температуры и концентрации носителей заряда в полупроводнике сравнивались с экспериментальными данными для омических контактов к полупроводникам типа AIIBVI (ZnSe, ZnO), AIIIBV (GaN, AlN, InN, GaAs, GaP, InP), AIV (SiC, алмаз) и твердым растворам этих полупроводников. В омических контактах на основе слабо легированных полупроводников основным механизмом протекания тока является термоэлектронная эмиссия, причем высота потенциального барьера металл-полупроводник составляет чаще всего 0.1-0.2 эВ. В омических контактах на основе сильно легированных полупроводников протекание тока осуществляется за счет полевой эмиссии, а высота потенциального барьера металл-полупроводник равна примерно 0.3-0.5 эВ. В сплавных In-контактах к GaP и GaN проявляется механизм протекания тока, не характерный для диодов Шоттки, - протекание тока по металлическим шунтам, образованным за счет осаждения атомов металла на дислокациях или других несовершенствах в полупроводнике. PACS: 73.30.+y, 73.40.Cg, 81.40.Ef
  1. W. Schottky. Z. Phys., B118 (9/10), 539 (1942)
  2. J. Bardeen. Phys. Rev., 71 (10), 717 (1947)
  3. W.E. Spicer, I. Lindau, P. Skeath, C.Y. Si. J. Vac. Sci. Technol., 17, 1019 (1980)
  4. A.K. Henish. Rectifying semiconductor contacts (Claredon Press, Oxford, 1957)
  5. А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы. Теория и эксперимент (М., Энергоатом, 1987)
  6. Ю.А. Гольдберг. ФТП, 28 (10), 1681 (1994)
  7. R.H. Cox, H. Strack. Sol. St. Electron., 12, 89 (1969)
  8. G.K. Reeves. Sol. St. Electron., 23, 477 (1980)
  9. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1975)
  10. Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982). [Пер. с англ.: Е.Н. Rhoderich. Metal--Semiconductor Contacts (Clarendon Press, Oxford, 1978)]
  11. C.A. Mead. Sol. St. Electron., 9 (11/12), 1023 (1966)
  12. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984). [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N. Y., Wiley, 1981)]
  13. A. Peotrowska. Thin Sol. Films, 193/194, 511 (1990)
  14. K. Ip, G.T. Thaler, Hyucksoo Yang, Sang Youn Han, Yuanjie Li, D.P. Norton, S.J. Pearton Soowhan Jang, F. Ren. J. Cryst. Growth, 287 (1), 149 (2006)
  15. W. Faschinger. J. Cryst. Growth, 197 (3), 557 (1999)
  16. M. Murakami, Y. Koide. Critic. Rev. Sol. St. and Mater. Sci., 23 (1), 1 (1998)
  17. L.M. Porter, R.F. Davis. Mater. Sci. Engin. B, 34 (2--3), 83 (1995)
  18. K. Das, V. Venkatesan, K. Miyata, D.L. Dreifus, J.T. Glass. Thin Sol. Films, 212 (1--2), 19 (1992)
  19. Wu Dingfen, K. Heime. Electron. Lett., 18, 940 (1982)
  20. Wu Dingfen, W. Dening, Kl. Heime. Sol. St. Electron., 29, 489 (1987)
  21. R.K. Kupka, W.A. Anderson. J. Appl. Phys., 69, 3623 (1991)
  22. F.A. Padovani, R. Stratton. Sol. St. Electron., 9, 695 (1966)
  23. Y.-C. Shic, M. Murakami, W.H. Price. J. Appl. Phys., 65, 3539 ( 1989)
  24. C.-F. Lin, D.B. Ingerly, Y.A. Chang. Appl. Phys. Lett., 69 (23), 3543 (1996)
  25. R.K. Kupka, W.A. Anderson. J. Appl. Phys., 69, 362 (1991)
  26. М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
  27. A.Y.C. Yu. Sol. St. Electron., 13, 239 (1970)
  28. C.Y. Chang, Y.K. Fang, S.M. Sze. Sol. St. Electron., 14, 541 (1971)
  29. S.M. Cho, J.D. Lee, H.H. Lee. J. Appl. Phys., 70 (1), 282 (1991)
  30. F.A. Padovani, R. Stratton. Sol. St. Electron., 9, 695 (1966)
  31. Nien-Po Chen, H.J. Ueng, D.B. Janes, J.M. Woodall, M.R. Melloch. J. Appl. Phys., 88 (1), 309 (2000)
  32. D. Qiao, L.S. Yu, L. Jia, P.M. Asbeck, S.S. Lau, T.E. Haynes. Appl. Phys. Lett., 80 (6), 992 (2002)
  33. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. Письма ЖТФ, 30 (19), 17 (2004)
  34. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. ФТП, 40 (10), 52 (2006)
  35. J. Narayan, P. Tiwari, X. Chen, J. Singh, R. Chowdhury, T. Zheleva. Appl. Phys. Lett., 61 (11), 1290 (1992)
  36. E.J. Miller, D.M. Schaadt, E.T. Yu, X.L. Sun, L.J. Brillson, P. Waltereit, J.S. Speck. J. Appl. Phys., 94 (12), 7611 (2003)
  37. E.J. Miller, E.T. Yu, P. Waltereit, J.S. Speck. Appl. Phys. Lett., 84 (4), 535 (2004)
  38. Chin-Yuan Hsu. Jap. J. Appl. Phys., 44 (10), 7424 (2005)
  39. L. Wang, F.M. Mohammad, J. Adeside. Appl. Phys. Lett., 87 (14), 14 915 (2005)
  40. Ю.А. Гольдберг, Е.А. Поссе, Б.В. Царенков. ФТП, 20 (8), 1510 (1986)
  41. Б.В. Царенков, Ю.А. Гольдберг, М.И. Ильина, Е.А. Поссе. ФТП, 22 (3), 555 (1988)
  42. Ю.А. Гольдберг, Е.А. Поссе. ЖТФ, 71 (9), 61 (2001)
  43. P. Visconti, K.M. Jones, M.A. Reshchikov, R. Cingolany, H. Morkoc, R.J. Molnar. Appl. Phys. Lett., 77 (22), 3532 (2000)
  44. Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur (Singapore, World Scientific, 1996 (v. 1), 1999 (v. 2) )
  45. Properties of Advanced Semiconductor Materials, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur (N. Y., John Wiley ans Sons, 2001)
  46. J.D. Guo, M.S. Feng, R.J. Guo, F.M. Pan, C.Y. Chang. Appl. Phys. Lett., 67 (18), 2657 (1995)
  47. А.Н. Андреев, А.А. Лебедев, М.Г. Растегаева, Ф.М. Снегов, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков, Л.Н. Шестопалова. ФТП, 29, 1833 (1995)
  48. M. Sawada, T. Sawada, Y. Yanagata, K. Imai, H. Kimura, M. Yoshino, K. Lizuka, H. Tomozawa. Proc. Second Int. Conf. Nitride Sem. (Tokushino, Japan, 1997) p. 706
  49. В.Ю. Денисов, А.А. Клочихин. ФТП, 38 (8), 897 (2004)
  50. Lu-Min Liu, Gr. Lindauer, W. Brock Alexander, Paul H. Holloway. J. Vac. Sci. Technol. B, 13 (6), 2236 (1995)
  51. J.J. Fijol, J.T. Trexier, L. Calhoun, R.M. Park, P.H. Holloway. J. Vac. Sci. Technol. B, 14 (1), 159 (1996)
  52. T. Miyajima, H. Okuyama, K. Akimoto. Jap. J. Appl. Phys., 31 (12B), L1743 (1992)
  53. K. Akimoto, T. Miyajima, H. Okuyama, Y. Mori. J. Cryst. Growth, 115 (1--4), 683 (1991)
  54. Y.X. Wang, P.H. Holloway. Vacuum, 43 (11), 1149 (1992)
  55. M.R. Park, W.A. Anderson, M. Jeon, H. Luo. Sol. St. Electron., 43 (1), 113 (1999)
  56. R.G. Dandrea, C.B. Duke. Appl. Phys. Lett., 64 (16), 2145 (1994)
  57. P.M. Mensz. Appl. Phys. Lett., 64 (16), 2148 (1994)
  58. F. Vigue, P. Brunet, P. Lorenzini, E. Tourniee, J.P. Faurie. Appl. Phys. Lett., 75 (21), 3345 (1999)
  59. R. Schwarz, Th. Studnitzky, Fr. Goesmann, R. Schmid-Fetzer. Sol. St. Electron., 42 (1), 139 (1998)
  60. S. Einfeldt, H. Heinke, M. Behringer, C.R. Becker, E. Kurtz, D. Hommel, G. Landwehr. J. Cryst. Growth, 138 (1--4), 471 (1994)
  61. Y. Lansari, J. Ren, B. Sneed, K.A. Bowers, J.W. Cook, jr., J.F. Schetzina. Appl. Phys. Lett., 61 (21), 2554 (1992)
  62. F. Hiei, M. Ikeda, M. Ozawa, T. Miyajima, A. Ishibashi, K. Alimoto. Electron Lett., 29 (10), 878 (1993)
  63. K. Akimoto, T. Miyajima, H. Okuyama, Y. Mori. J. Cryst. Growth, 115 (1--4), 683 (1991)
  64. J.J. Chen, T.J. Anderson, S. Jang, F. Ren, Y.J. Li, H.-S. Kim, B.P. Gila, D.P. Norton, S.J. Pearton. J. Electrochem. Soc., 153 (5), G462 (2006)
  65. B. Ghosh, N.K. Mondal, P. Banerjee, J. Pal, S. Das. IEEE Trans. Electron. Dev., 49 (12), 2352 (2002)
  66. Z. Yang, J.F. Schetzina. J. Electron Mater., 23 (10), 1071 (1994)
  67. S. Miller, P.H. Holloway. J. Electron. Mater., 25 (11), 1709 (1996)
  68. J. Rennie, M. Onomura, S. Nunoue, G. Hatakishi, H. Sugawara, M. Ishikawa. Proc. Second Int. Conf. Nitride Sem. (Tokushino, Japan, 1997) p. 711
  69. D.-W. Kim, H.K. Baik. Appl. Phys. Lett., 77 (7), 1011 (2000)
  70. H. Morkoc, S. Strike, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns. J. Appl. Phys., 76 (3), 1363 (1994)
  71. M.E. Lin, Z. Ma, F.Y. Huang, Z.F. Fan, L.H. Allen, H. Morkoc. Appl. Phys. Lett., 64 (8), 1003 (1994)
  72. S. Prakashs, L.S. Tan, K.M. Ng, A. Raman, S.J. Chua, A.T.C. Woe, S.N. Lin. Abstract of Int. Conf. on SiC and Rel. Mater. (Sheraton, 1999) p. 48
  73. T. Gessmann, Y.L. Li, E.L. Waldron, J.W. Graff, E.F. Schubert, J.K. Sheu. Appl. Phys. Lett., 80 (2), 986 (2002)
  74. P.H. Holloway, T.J. Kim, J.T. Trexler, S. Miller, J.J. Fijot, W.U. Lampert, T.W. Haas. Appl. Surf. Sci., 117/118, 362 (1997)
  75. C.R. Abernathy, J.D. Mac Kenzie, S.J. Pearton, W.S. Hobson. Appl. Phys. Lett., 66 (15), 1969 (1995)
  76. H.W. Jang, W. Urbanek, M.C. Yoo, J.-L. Lee, Appl. Phys. Lett., 80 (5), 2937 (2002)
  77. H. Morkoc, S. Strike, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns. J. Appl. Phys., 76 (3), 1363 (1994)
  78. S. Prakashs, L.S. Tan, K.M. Ng, A. Raman, S.J. Chua, A.T.C. Woe, S.N. Lin. Abstract of Int. Conf. on SiC and Rel. Mater. (Sheraton, 1999) p. 48
  79. J.K. Kim, J.H. Je, J.-L. Lee, Yo.Jo. Park, B.-T. Lee. J. Electrochem. Soc., 148 (12), 4645 (2000)
  80. Z. Fan, S.N. Mohammad, W. Kim, O. Aktas, A.E. Botchkarev, H. Morkoc. Appl. Phys. Lett., 68 (4), 1672 (1996)
  81. C.-Y. Chang, T.-W. Lan, G.-C. Chi, L.-C. Chen, K.-H. Chen, J.-J. Chen, S. Jang, F. Ren, S.J. Pearton. Electrochem. Sol. St. Lett., 9 (5), G155 (2006)
  82. R. Khanna, S.J. Pearton, F. Ren, I. Kravchenko, C.J. Kao, G.C. Chi. Appl. Surf. Sci., 252 (5), 1826 (2005)
  83. D.-W. Kim, J.C. Bae, W.J. Kim, H.K. Baik, C.Y. Kym, Y. Ho Choi, C.-K. Kim, T.-K. Yoo, C.H. Hong, S.-M. Lee. J. Electron. Mater., 30 (7), 855 (2001)
  84. D.-W. Kim, H.K. Baik. J. Appl. Phys., 77 (7), 1011 (2000)
  85. M.L. Schuette, Wo Lu. J. Vac. Sci. Technol., 23 (6), 3143 (2005)
  86. J.K. Sheu, Y.K. Su, G.C. Chi, M.J. Jou, C.C. Liu, C.M. Chang. Sol. St. Electron., 43 (11), 2081 (1999)
  87. J.-L. Lee, J.K. Kim. J. Electrochem. Soc., 147 (6), 2297 (2000)
  88. J.-S. Jang, C.-W. Lee, S.-J. Park, T.-Y. Seong, I.T. Ferguson. J. Electron. Mater., 31 (9), 903 (2002)
  89. Lunev, V. Chaturvedi, A. Chitmis, G. Simin, J. Yang, M.A. Khan. Abstract of Int. Conf. on SiC and Rel. Mater. (Sheraton, 1999) p. 159
  90. K. Kumakura, T. Makimoto, N. Kobayashi. Appl. Phys. Lett., 79 (16), 2588 (2001)
  91. L.S. Yu, L. Jia, D. Qiao, S.S. Lau, J. Li, J.Y. Lin, H.X. Jiang. IEEE Trans. Electron. Dev., 50 (2), 292 (2003)
  92. Th. Gessmann, Y.-L. Li, E.L. Waldron, J.W. Graff., E.F. Schubert, J.K. Sheu. J. Electron. Mater., 31 (5), 416 (2002)
  93. D.B. Ingerly, Y.A. Chang, Y. Chen. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 4S1(G6), 49 (1999)
  94. J.S. Jang, H.G. Kim, K.H. Park, C.S. Um, I.K. Han, H.K. Jang, S.J. Part. Mater. Res. Symp. Proc., 482, 1653 (1998)
  95. J.-K. Ho, C.-S. Jong, C.C. Chiu, C.-N. Huang, C.-Y. Chen, K.-K. Shih. Appl. Phys. Lett., 74 (2), 1275 (1999)
  96. D.B. Ingerly, Y.A. Chang, Y. Chen. Appl. Phys. Lett., 74 (4), 2480 (1999)
  97. L.-C. Chen, F.-R. Chen, J.-J. Kai, Li Chang, J.-K. Ho, C.-S. Jong, C.C. Chiu, C.-N. Huang, C.-Y. Chen, K.-K. Shih. J. Appl. Phys., 86 (7), 3826 (1999)
  98. J.-K. Ho, C.-S. Jong, C.C. Chiu, C.-N. Huang, K.-K. Shih, L.-C. Chen, R.-R. Chen, J.-J. Kai. J. Appl. Phys., 86 (8), 4481 (1999)
  99. K.-M. Chang, J.-Y. Chu, C.-C. Cheng. Sol. St. Electron., 49 (8), 1381 (2005)
  100. J.-S. Jang, S.J. Park, T.-Y. Seong. Appl. Phys. Lett., 76 (5), 2898 (2000)
  101. M. Suzuki, T. Arai, T. Kawakami, S. Kobayashi, S. Fujita, Y. Koide, Y. Taga, M. Murakami. J. Appl. Phys., 86 (9), 5079 (1999)
  102. R.W. Chuang, A.Q. Zou, H.P. Lee. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 4S1 (G6), 42 (1999)
  103. C.-F. Chu, C.C. Yu, Y.K. Wang, J.Y. Tsai, F.I. Lai, S.C. Wang. Appl. Phys. Lett., 77 (21), 3423 (2000)
  104. K. Kumakura, T. Makimoto, N. Kobayashi. Phys. Status Solidi A, 188 (1), 363 (2001)
  105. J.-O. Song, J.S. Kwak, T.-Y. Seong. Semicond. Sci. Technol., 21 (2), L7 (2006)
  106. J.D. Guo, C.I. Lin, M.S. Feng, F.M. Pan, G.C. Chi, T.C. Lee. Appl. Phys. Lett., 68 (2), 235 (1996)
  107. C. Lu, H. Chen, X. Lv, X. Xie, S.N. Mohammad. J. Appl. Phys., 91 (11), 9218 (2002)
  108. S.N. Mohammad. J. Appl. Phys., 95 (12), 7940 (2004)
  109. K. Suzue, S.N. Mohammad, Z.F. Fan, W. Kim, O. Aktas, A.E. Botchkarev, H. Morkoc. J. Appl. Phys., 80 (8), 4467 (1996)
  110. J.-S. Jang, T.-Y. Seong. Appl. Phys. Lett., 76 (19), 2743 (2000)
  111. A. Katz, S. Nakahara, W. Savin, B.E. Weir. J. Appl. Phys., 68 (8), 4133 (1990)
  112. J.S. Kwak, O.-H. Nam, Y. Park. J. Appl. Phys., 95 (10), 5917 (2004)
  113. J. Yun, K. Choi. IEEE Electron. Dev. Lett., 27 (1), 22 (2006)
  114. D. Qiao, Z.F. Guan, J. Carlton, S.S. Lau, G.J. Sullivan. Appl. Phys. Lett., 74 (18), 2652 (1999)
  115. М.К. Гусейнов. ЖТФ, 22 (12), 75 (1996)
  116. H.-Y. Cha, X. Chen, H. Wu, W.J. Schaff, M.G. Spencer, L.F. Eastman. J. Electron. Mater., 35 (3), 406 (2006)
  117. F.M. Mohammed, I. Adesida. Appl. Phys. Lett., 87 (14), 141 915 (2005)
  118. C.H. Kuo, J.K. Sheu, G.C. Chi, Y.L. Hyang, T.W. Yeh. Sol. St. Electron., 45 (5), 717 (2001)
  119. Y.-L. Li, E.F. Schubert, J.W. Graff, A. Osinsky, W.F. Schaff. Appl. Phys. Lett., 76 (19), 2728 (2000)
  120. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, Е.В. Калинина, О.В. Константинов, А.Е. Николаев, А.В. Фомин, А.Е. Черенков. ФТП, 35 (5), 550 (2001)
  121. Ю.А. Гольдберг, Т.В. Львова, Р.В. Хасимова, Б.В. Царенков. ФТП, 22 (9), 1712 (1988)
  122. F. Ren, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, P.W. Wisk. Appl. Phys. Lett., 64 (12), 1508 (1994)
  123. C.R. Abernathy, S.J. Pearton, F. Ren, P.W. Wisk. J. Vac. Sci. Technol. B, 11 (2), 179 (1993)
  124. H.-K. Kim, J.-S. Jang, S.-J. Park, T.-Y. Seong. J. Electron. Sol., 147 (4), 1573 (2000)
  125. F. Ren. J. Vac. Sci. Technol. A, 15 (3), 802 (1997)
  126. C.B. Vartuli, S.J. Pearton, C.R. Abernathy, J.D. Mac Kenzie, M.L. Lovejoy, R.J. Shul, J.C. Zolper, A.G. Baca, M. Hagerott-Crawford, A. Jones, F. Ren. Sol. St. Electron., 41 (4), 531 (1997)
  127. C.B. Vartuli, S.J. Pearton, C.R. Abernathy, J.D. Mac Kenzie, R.J. Shul, J.C. Zolper, M.L. Lovejoy, A.G. Baca, M. Hagerott-Crawford. J. Vac. Sci. Technol. B, 14 (6), 3520 (1996)
  128. M.S. Carpenter, M.R. Melloch, M.S. Lundstrom, S.P. Tobin. Appl. Phys. Lett., 52 (25), 2157 (1988)
  129. M.S. Carpenter, M.R. Melloch, T.E. Dungan. Appl. Phys. Lett., 53 (1), 66 (1988)
  130. Y. Nannichi, J.-F. Fan, H. Oigawa, A. Koma. Jap. J. Appl. Phys., 27, L2367 (1988)
  131. J.-F. Fan, H. Oigawa, Y. Nannichi. Jap. J. Appl. Phys., 27, L2125 (1988)
  132. S. Logha, D.B. Janes, N.P. Chen. Appl. Phys. Lett., 80 (23), 4452 (2002)
  133. C.-T. Lee, Y.-J. Lin, D.-S. Liu. Appl. Phys. Lett., 79 (16), 2573 (2001)
  134. J.O. Song, S.-J. Park, T.-Y. Seong. Appl. Phys. Lett., 80 (17), 3129 (2002)
  135. G.Y. Chung, C.C. Tin, J.R. Williams, K. McDonalds, R. Charmane. Abstract of E-MRS Spring Meeting, Symp. F: Amorph. Cryst. SiC Mater. Appl. (2001) F7
  136. J. Massies, J. Chaplart, M. Lavirou, N.T. Linh. Appl. Phys. Lett., 38 (9), 693 (1988)
  137. T.J. Kim, P.H. Holloway, E.A. Kenik. Appl. Phys. Lett., 71 (26), 3835 (1997)
  138. Y.-C. Shih, M. Murakami, E.L. Wilkie, A.C. Callegari. J. Appl. Phys., 62 (2), 582 (1987)
  139. M. Otsudo, H. Kumabe, H. Miki. Sol. St. Electron., 20 (7), 617 (1977)
  140. A. Christou. Sol. St. Electron., 22 (2), 141 (1979)
  141. C.L. Chen, L.J. Mahoney, M.C. Finn, R.C. Brooks, A. Chu, J.G. Mavroides. Appl. Phys. Lett., 48 (5), 535 (1986)
  142. Ю.А. Гольдберг, Б.В. Царенков. ФТП, 3 (11), 1718 (1969)
  143. H.J. Ueng, N.-P. Chen, D.B. Janes, K.J. Webb, D.T. McInturff, M.R. Melloch. J. Appl. Phys., 90 (11), 5637 (2001)
  144. N. Okamoto, T. Takahashi, H. Tanaka, M. Takikawa. Jap. J. Appl. Phys., 37 (6A), 3248 (1998)
  145. M.S. Islam, Patrick J. McNally, D.C. Cameron, P.A.F. Herbert. J. Mater. Proc. Technol., 77(1-3), 42 (1998)
  146. J. Zhou, G. Xia, B. Li, W. Liu, B. Wu. Jap. J. Appl. Phys., 42 (5A), 2609 (2003)
  147. H.-C. Lin, S. Senenayake, K.-Y. Cheng, M. Hong, J.R. Kwo, B. Yang, J.P. Mannaerts. IEEE Trans. Electron Dev., 50 (4), 880 (2003)
  148. J. Zhou, G. Xia, B. Li, W. Liu. Appl. Phys. A, 76 (6), 939 (2003)
  149. J.-W. Lim, J.-K. Mun, S.-J. An, S. Nam, M.-H. Kwak, H. Kim, J.-J. Lee. Jap. J. Appl. Phys., 39 (5A), 2546 (2000)
  150. Y. Tsunoda, M. Murakami. J. Electron. Mater., 31 (1), 76 (2002)
  151. H.J. Ueng, N.-P. Chen, D.B. Janes, K.J. Webb, D.T. McInturff, M.R. Melloch. J. Appl. Phys., 90 (11), 5637 (2001)
  152. J.-W. Lim, J.-K. Mun, S. Nam, M.-H. Kwak, H. Kim, M.-K. Song, D.S. Ma. J. Phys. D, 33 (13), 1611 (2000)
  153. M.S. Islam, Patrick J. McNally, A.H.M. Zahirul Alam, M.Q. Huda. Sol. St. Electron., 44 (4), 655 (2000)
  154. F.A. Amin, A.A. Rezazadeh, S.W. Bland. Mater. Sci. Engin. B, 66 (1--3), 194 (1999)
  155. J.-W. Lim, J.-K. Mun, M.-H. Kwak, J.-J. Lee. Sol. St. Electron., 43 (10), 1893 (1999)
  156. N.E. Lumpkin, G.R. Lumpkin, M.G. Blackford. J. Mater. Res., 14 (4), 1261 (1999)
  157. N. Okamoto, T. Takahashi, H. Tanaka. Appl. Phys. Lett., 73 (6), 794 (1998)
  158. D.W. Davies, D.V. Morgan, H. Thomas. Sem. Sci. Technol., 14 (7), 615 (1999)
  159. J.-W. Lim, J.-K. Mun, J.-J. Lee. Appl. Surf. Sci., 85 (1), 208 (1999)
  160. J.S. Kwak, H.K. Baik, J.-L. Lee, C.G. Park, H. Kim, K.-S. Suh. Thin Sol. Films, 291, 497 (1996)
  161. J.S. Kwak, J.-L. Lee, H.K. Baik. IEEE Electron. Dev. Lett., 19 (12), 481 (1998)
  162. Y.G. Wang, D. Wang, D.G. Ivey. J. Appl. Phys., 84 (3), 1310 (1998)
  163. M.S. Islam, P.J. McNally. Thin Sol. Films, 320 (2), 253 (1998)
  164. M.S. Islam, Patrick J. McNally, D.C. Cameron, P.A.F. Herbert. J. Mater. Sci. Technol., 77 (1--3), 42 (1998)
  165. M.S. Islam, Patrick J. McNally. Mictroelectron. Engin., 40 (1), 35 (1998)
  166. M.S. Islam, Patrick J. McNally, D.C. Cameron, P.A.F. Herbert. Thin Sol. Films, 291, 417 (1996)
  167. M.O. Aboelfotoh, S. Oktyabrsky, J. Narayan, J.M. Woodall. J. Mater. Res., 12 (9), 2325 (1997)
  168. T. Oku, M. Furumai, C.J. Uchibori, M. Murakami. Thin Sol. Films, 300 (1--2), 218 (1997)
  169. D.G. Ivey, S. Eicher, S. Wingar, T.P. Lester. J. Mater. Sci., 8 (2), 63 (1997)
  170. C.J. Uchibori, Y. Ohtani, T. Oku, N. Ono, M. Murakami. Appl. Surf. Sci., 117--118, 347 (1997)
  171. C.J. Uchibori, Y. Ohtani, T. Oku, N. Ono, M. Murakami. J. Electron. Mater., 26 (4), 410 (1997)
  172. D.Y. Chen, Y.A. Chang, D. Swenson. J. Appl. Phys., 81 (1), 297 (1997)
  173. T. Lee, N.-P. Chen, J. Liu, R.P. Andres, D.B. Janes, E.H. Chen, M.R. Melloch, J.M. Woodall, R. Reifenberger. Appl. Phys. Lett., 76 (2), 212 (2000)
  174. I.G. Akdogan, M.A. Parker. Electrochem. Sol. St. Lett., 8 (5), G106 (2005)
  175. C.-H. Wu, S.-M. Liao, K.-C. Chang. Mat. Sci. Engin. B, 117 (2), 205 (2005)
  176. Y. Shiraishi, H. Shimawali. Compound Semicond. --- Inst. Phys. Conf. Ser., 166, 301 (2000)
  177. M.O. Aboelfotoh, M.A. Borek, J. Narayan. Appl. Phys. Lett., 75 (25), 3953 (1999)
  178. M. Ogura, M. Murakami. J. Electron. Mater., 27 (10), L64 (1998)
  179. K.A. Jones, M.W. Cole, W.Y. Han, D.W. Eckart, K.P. Hilton, M.A. Crouch, B.H. Hughes. J. Appl. Phys., 82 (4), 1723 (1997)
  180. B.M. Henry, A.E. Staton-Bevan, V.K.M. Sharma, M.A. Crouch. Appl. Surf. Sci., 108 (4), 485 (1997)
  181. R.V. Ghita, C. Logofatu, C. Negrila, A.S. Manea, M. Cernea, M.F. Lazarescu. J. Optoelectron. Adv. Mater., 7 (2), 3033 (2005)
  182. В. Казлаускене, В. Кажукаускас, Ю. Мишкинис, А. Петравичюс, Р. Пурас, С. Сакалаускас, Ю. Синюс, Ю. Вайткус, А. Жиндулис. ФТП, 38 (1), 78 (2004)
  183. I.H. Kim. Mater. Lett., 57 (19), 2769 (2003)
  184. I.H. Kim. Mater. Lett., 56 (5), 775 (2002)
  185. J.-M. Lee, I.-H. Choi, S.H. Park, B.-G. Min, T.-W. Lee, M.P. Park, K.-H. Lee. J. Korean. Phys. Soc., 37 (1), 43 (2000)
  186. I.-H. Kim, S.H. Park, J. Kim, J.-M. Lee, T.-W. Lee, M.P. Park. Jap. J. Appl. Phys., 37 (3B), 1348 (1998)
  187. S.H. Park, I.H. Kim, T.W. Lee, M.P. Park. Compound Semicond. 1997 --- Inst. Phys. Conf. Ser., 156, 459 (1998)
  188. S.H. Park, T.-W. Lee, J.M. Lee, B.-G. Min, M.-P. Park, J.Y. Kim, I.-H. Kim. J. Korean Phys. Soc., 34 (Suppl. 3), S273 (1999)
  189. I.-H. Kim, S.H. Park, T.-W. Lee, M.-P. Park. Appl. Phys. Lett., 71 (13), 1854 (1997)
  190. E. Nebauer, M. Mai, E. Richter, J. Wurfl. J. Electron Mater., 27 (12), 1372 (1998)
  191. I.H. Kim, S.H. Park, T.W. Lee, M.P. Park, B.R. Ryum, K.E. Pyun, H.M. Park. Compound Semicond. 1997 --- Inst. Phys. Conf. Ser., 156, 455 (1998)
  192. D.G. Ivey, R. Zhang, Z. Abid, S. Eicher, T.P. Lester. J. Mater. Sci., 8 (5), 281 (1997)
  193. B. Luo, G. Dang, A.-P. Zhang, F. Ren, J. Lopata, S.N.G. Chu, W.S. Hobson, S.J. Pearton. J. Electrochem. Soc., 148 (12), G676 (2001)
  194. F. Ren, S.J. Pearton, W.S. Hobson, T.R. Fullowan, A.B. Emerson, D.M. Schleich. Appl. Phys. Lett., 58 (11), 1158 (1991)
  195. Y.-T. Kim, J.-L. Lee, J.K. Mun, H. Kim. Appl. Phys. Lett., 71 (18), 2656 (1997)
  196. Y. Shiraishi, N. Furuhata, A. Okamoto. J. Appl. Phys., 76 (9), 5099 (1994)
  197. S.V. Morozov, Yu.V. Dubrovskii, V.N. Abrosimova, J. Wurfl. Appl. Phys. Lett., 72 (22), 2882 (1998)
  198. J.W. Lim, J.K. Mun, M.H. Kwak, J.J. Lee. Sol. St. Electron., 43 (10),1893 (1999)
  199. S. Oktyabrsky, M.O. Aboelfotoh, J. Narayan. J. Electron. Mater., 25 (11), 1673 (1996)
  200. H.S. Lee, M.W. Cole, R.T. Lareau, S.N. Schauer, D.C. Fox, D.W. Eckart, R.P. Moerkirk, W.H. Chang, K.A. Jones, S. Elagoz, W. Vavra, R. Clarke. J. Appl. Phys., 72 (10), 4773 (1992)
  201. R.V. Ghita, C. Logofatu, C. Negrila, A.S. Manea, M. Cernea, M.F. Lazarescu. J. Optoelectron. Adv. Mater., 7 (6), 3033 (2005)
  202. С.Е. Александров, В.В. Волков, В.П. Иванова, Ю.С. Кузьмичев. Ю.В. Соловьев. ЖТФ, 31 (14), 1 (2005)
  203. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. ЖТФ, 77 (2), 140 (2007)
  204. T.J. Kim, P.H. Holloway. Critic. Rev. Sol. St. Mater., 22 (3), 239 (1997)
  205. Y. Shiraishi, N. Furuhata, A. Okamoto. J. Appl. Phys., 76 (9), 5099 (1994)
  206. F. Radulescu, J.M. McCarthy. J. Vac. Sci. Technol., 17 (5), 2294 (1999)
  207. S.N.G. Chu, A. Katz, T. Boone, P.M. Thomas, V.G. Riggs, W.C. Dautremont-Smith, W.D. Johnston, jr. J. Appl. Phys., 67 (8), 3754 (1990)
  208. K.A. Jones, E.H. Linfield, J.E.F. Frost. Appl. Phys. Lett., 69 (27), 4197 (1996)
  209. H. Shimawaki, N. Furuhata, K. Honjo. J. Appl. Phys., 69 (11), 7939 (1991)
  210. N.-P. Chen, H.J. Ueng, D.B. Janes, J.M. Woodall, M.R. Melloch. J. Appl. Phys., 88 (1), 309 (2000)
  211. C.J. Uchibori, T. Oku, N. Kameya, N. Ono, M. Murakami. Mater. Transaction JIN, 37 (4), 670 (1996)
  212. А. Берг, П. Дин. Светодиоды (М., Мир, 1979)
  213. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 37 (9), 1022 (2003)
  214. M.H. Park, L.C. Wang, D.C. Dufner, I.H. Tan, F. Kish. Inst. Phys. Conf. Ser., 155, 369 (1997)
  215. M.-H. Park, L.C. Wang, D.C. Dufner, Fei Deng, S.S. Lau, I.H. Tan, F. Kish. J. Appl. Phys., 81 (7), 3138 (1997)
  216. L.C. Wang, Moon-Ho Park, H.A. Jorge, I.H. Tan, F. Kish. Electron. Lett., 82 (4), 409 (1996)
  217. F. Zhang, B. Li, B. Sang. Mater. Sci. Engin. B, 25 (1), 24 (1994).
  218. F. Zhang, Z. Song, J. Peng. Appl. Surf. Sci., 62 (1--2), 83 (1992)
  219. Y. Koide, M. Murakami. Electron. Cummunic. Jap. (pt 2)--Electron., 82 (10), 43 (1999)
  220. L. Baojun, L. Enke, Z. Fujia. Sol. St. Electron., 41 (6), 917 (1997)
  221. M.V. Tagare, T.P. Chin, J.M. Woodall. Appl. Phys. Lett., 68 (24), 3485 (1996)
  222. F. Ren, S.J. Pearton, J.R. Lothian, S.N.G. Chu, W.K. Chu, R.G. Wilson, C.R. Abernathy, S.S. Pei. Appl. Phys. Lett., 65 (17), 2165 (1994)
  223. R. Dutta, M.A. Shahid, P.J. Sakach. J. Appl. Phys., 69 (7), 3968 (1991)
  224. J.S. Park, H.J. Park, Y.B. Hahn, G.-C. Yi, A. Yoshikawa. J. Vac. Sci. Technol. B, 21 (2), 795 (2003)
  225. W.C. Huang. Appl. Surf. Sci., 245, 141 (2005)
  226. T. Clausen, A.S. Pedersen, O. Leistiko. Microelectron. Engin., 15 (1--4), 157 (1991)
  227. R. Dutta, M.A. Shahid, P.J. Sakach. J. Appl. Phys., 69 (7), 3968 (1991)
  228. M.B. Takeyama, A. Noya, T. Hashizume, H. Hasegawa. Jap. J. Appl. Phys., 65 (2B), 1115 (1999)
  229. F. Ren, M.J. Antonell, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, J.R. LaRoche, M.W. Cole, J.R. Lothian, R.W. Gedridge, jr. Appl. Phys. Lett., 74 (13), 1845 (1999)
  230. D.G. Ivey, D. Wang, D. Yang, R. Bruce, G. Knight. J. Electron. Mater., 23 (5), 441 (1994)
  231. P.A. Leigh, R.M. Cox, P.J. Dobson. Sol. St. Electron., 37 (7), 1353 (1994)
  232. W.C. Huang, T.F. Lei, C.L. Lee. J. Appl. Phys., 79 (12), 9200 (1996)
  233. P. Jian, D.G. Ivey, R. Bruce, G. Knight. J. Electron. Mater., 23 (9), 953 (1994)
  234. J. Morais, T.A. Fazan, R. Landers, E.A.S. Sato. J. Appl. Phys., 79 (9), 7058 (1996)
  235. W.-C. Huang, T.-F. Lei, C.-L. Lee. J. Appl. Phys., 78 (10), 6108 (1995)
  236. W.O. Barnard, G. Myburg, F.D. Auret, J.H. Potgieter, P. Ressel, E. Kuphal. Vacuum, 46 (8--10), 893 (1995)
  237. D.G. Ivey, P. Jian, L. Wan, R. Bruce, S. Eicher, C. Blaauw. J. Electron. Mater., 20 (3), 237 (1991)
  238. S. Hwang, J. Shim. J. Korean Phys. Soc., 46 (4), L751 (2005)
  239. M.-H. Park, L.C. Wang, J.Y. Cheng, C.J. Palmstr m. Appl. Phys. Lett., 70 (1), 99 (1997)
  240. A. Yamaguchi, T. Okada, Y. Iguchi, T. Saitoh, H. Asamizu, Y. Koide, M. Murakami. Compound Semicond. 1997 --- Inst. Phys. Conf. Ser., 162, 162 (1999)
  241. A. Yamaguchi, H. Asamizu, T. Okada, Y. Iguchi, T. Saitoh, Y. Koide, M. Murakami. J. Appl. Phys., 85 (11), 7792 (1999)
  242. A. Yamaguchi, I. Tonai, N. Yamabayashi, M. Shibata. Bunseki Kagaki, 40 (11), 741 (1991)
  243. H. Asamizu, A. Yamaguchi, Y. Iguchi, T. Saitoh, M. Murakami. Mater. Transactions, 43 (6), 1352 (2002)
  244. A. Yamaguchi, H. Asamizu, T. Okada, Y. Iguchi, T. Saitoh, Y. Koide, M. Murakami. J. Vac. Sci. Technol., 18 (4), 1957 (2000)
  245. N. Asamizu, A. Yamaguchi, Y. Iguchi, T. Saitoh, Y. Koide, M. Murakami. Appl. Surf. Sci., 159, 174 (2000)
  246. V. Malina, L. Moro, V. Micheli, I. Mojzes. Semicond. Sci. Technol., 11 (7), 1121 (1996)
  247. M.H. Park, L.C. Wang, D.M. Hwang. J. Electron. Mater., 25 (4), 721 (1996).
  248. M.H. Park, L.C. Wang, J.Y. Cheng, Fei Deng, S.S. Lau, C.J. Palmstr m. Appl. Phys. Lett., 68 (7), 952 (1996)
  249. W. Zhao, S. Kim, J. Zhang, I. Adesida. IEEE Electron. Dev. Lett., 27 (1), 1 (2006)
  250. S.-W. Chang, E.Y. Chang, S.-S. Lee, K.-S. Chen, S. W. Tseng, Y.-Y. Tu, C.-T. Lee. Jap. J. Appl. Phys. Lett., 44 (28--32), L899 (2005)
  251. Z. Tang, H. Hsia, H.C. Kuo, B. Moser, D. Caruth, G.E. Stillman, M. Feng. Compound Semicond. --- Inst. Phys. Conf. Ser., 166, 321 (2000)
  252. J. Herniman, J.S. Yu, A.E. Staton-Bevan. Appl. Surf. Sci., 52 (4), 289 (1991)
  253. A. Katz, A. Feingold, S.J. Pearton. Semicond. Sci. Technol., 7 (3), 436 (1992)
  254. A. Katz, A. El-Roy, A. Feingold, M. Geva, N. Moriya, S.J. Pearton, E. Lane, T. Keel, C.R. Abernathy. Appl. Phys. Lett., 62 (21), 2652 (1993)
  255. Y.-H. Yeh, J.-T. Lai, J. Ya-min Lee. Jap. J. Appl. Phys. Lett., 35 (12A), L1569 (1996)
  256. P.W. Leech, G.K. Reeves, M.H. Kibel. J. Appl. Phys., 76 (8), 4713 (1994)
  257. P. Jian, D.G. Ivey, R. Bruce, G. Knight. J. Mater. Sci., 7 (2), 7 (1996)
  258. T. Clausen, O. Leistiko. Appl. Phys. Lett., 62 (10), 1108 (1993)
  259. T. Clausen, O.L. Chorkendorff, J. Larsen. Thin Sol. Films, 232 (2), 215 (1993)
  260. А.Н. Именков, Е.А. Гребенщикова, Б.Е. Журтанов, Т.Н. Данилова, М.А. Сиповская, Н.В. Власенко, Ю.П. Яковлев. ФТП, 38 (11), 1356 (2004)
  261. K. Ikossi, M. Goldenberg, J. Mittereder. Sol. St. Electron., 46 (10), 1627 (2002)
  262. R.K. Huang, C.A. Wang, C.T. Harris, M.K. Connors, D.A. Shiau. J. Electron. Mater., 33 (11), 1406 (2004)
  263. C.A. Wang, D.A. Shiau, R.K. Huang, C.T. Harris, M.K. Connors. J. Cryst. Growth, 261 (2--3), 379 (2004)
  264. J.A. Robinson, S.E. Mohney. J. Appl. Phys., 98 (3), 033 703 (2005)
  265. J. Sigmund, M. Saglam, A. Vogt, H.L. Hartnagel, V. Buschmann, T. Wieder, H. Fuess. J. Cryst. Growth, 227, 625 (2001)
  266. K. Varblianska, K. Tzenev, T. Kotsinov. Phys. Status Solidi A, 163 (2), 387 (1997)
  267. A. Vogt, H.L. Hartnagel, G. Miehe, H. Fuess, J. Schmitz. J. Vacuum. Sci. Technol. B, 14 (6), 3514 (1996)
  268. E. Villemain, S. Gaillard, M. Rolland, A. Joullie. Mater. Sci. Engin. B, 20 (1--2), 162 (1993)
  269. Y.K. Su, F.S. Juang, J.G. Kuang. Jap. J. Appl. Phys., 30 (5), 914 (1991)
  270. K.G. Merkel, C.L.A. Cerny, V.M. Bright, F.L. Schuermeyer, T.P. Monahan, R.T. Lareau, R. Kaspi, A.K. Rai. Sol. St. Electron., 39 (2), 179 (1996)
  271. A. Vogt, A. Simon, J. Weber, H.L. Hartnagel, J. Schikora, V. Buschmann, H. Fuess. Mater. Sci. Engin. B, 66 (1--3), 199 (1999)
  272. A.G. Milnes, M. Ye, M. Stam. Sol. St. Electron., 37 (1), 37 (1994)
  273. C.-T. Lee, K.-L. Jaw, C.-D. Tsai. Sol. St. Electron., 42 (5), 871 (1998)
  274. Y. Zhao, M.J. Jurkovic, W.I. Wang. J. Electrochem. Soc., 144 (3), 1067 (1997)
  275. Y. Shiraishi, N. Furuhata, A. Okamoto. J. Appl. Phys., 76 (9), 5099 (1994)
  276. V. Srivastav, R. Pal, B.L. Sharma, V. Mittal, V. Gopal, H.P. Vyas. J. Electron. Mater., 34 (3), 225 (2005)
  277. E.M. Lysczek, S.E. Mohney, T.N. Wittberg. Electron. Lett., 39 (25), 1866 (2003)
  278. J.B. Boos, B.R. Bennett, W. Kruppa, D. Park, J. Mittereder, R. Bass, M.E. Twigg. J. Vacuum. Sci. Technol., 17 (3), 1022 (1999)
  279. T. Teraji, S. Koizumi, H. Kanda. Phys. Status Solidi A, 181 (1), 129 (2000)
  280. Tokuyuki Terai, Masayuki Katagiri, Satoshi Koizumi, Toshimichi Ito, Hisao Kanda. Jap. J. Appl. Phys. Lett., 42 (8A), L882 (2003)
  281. Han Gao, Cheng Mu, Fan Wang, Dongsheng Xu, Kai Wu, Youchang Xie, Shuang Liu, Enge Wang, Jun Xu, Dapeng Yu. J. Appl. Phys., 93 (9), 5602 (2003)
  282. M. Werner, R. Job, A. Denisenko, A. Zaitsev, W.R. Fahrner, C. Johnston, P.R. Chalker, I.M. Buckley-Golder. Diamond Relat. Mater., 5 (6--8), 723 (1996)
  283. V. Venkatesan, K. Das. IEEE Electron. Dev. Lett., 13 (2), 126 (1992)
  284. V. Venkatesan, D.M. Malta, K. Das, A.M. Belu. J. Appl. Phys., 74 (2), 1179 (1993)
  285. T. Iwasaki, K. Okano, Y. Matsumae, E. Matsushima, H. Maekawa, H. Kiyota, T. Kurosu, M. Iida. Diamond Relat. Mater., 3 (1--2), 30 (1994)
  286. Y. Chen, M. Ogura, S. Yamasaki, H. Okushi. Semicond. Sci. Technol., 20 (8), 860 (2005)
  287. Y.G. Chen, M. Ogura, S. Yamasaki, H. Okushi. Diamond Relat. Mater., 13 (11--12), 2121 (2004)
  288. C. Zhen, Y. Wang, S. He, Q. Guo, Z. Yan, Y. Pu. Optic Mater., 23 (1--2), 117 (2003)
  289. C.M. Zhen, Y.Y. Wang, Q.F. Guo, M. Zhao, Z.W. He, Y.P. Guo. Diamond. Relat. Mater., 11 (9), 1709 (2002)
  290. Y.Y. Wang, C.M. Zhen, Z.J. Yan, Q.F. Guo, G.H. Chen. Inter. J. Mod. Phys. B, 16 (6--7), 927 (2002)
  291. C. Zhen, X. Liu, Z. Yan, H. Gong, Y. Wang. Surf. Interf. Sci., 32 (1), 106 (2001)
  292. C.M. Zhen, X.Q. Liu, Z.J. Yan, H.X. Gong, Y.Y. Wang. Chines. Phys. Lett., 17 (11), 827 (2000)
  293. H.A. Hoff, G.L. Waytena, C.L. Vold, J.S. Suehle, I.P. Isaacson, M.L. Rebbert, D.I. Ma, K. Harris. Diamond. Relat. Mater., 5 (12), 1450 (1996)
  294. M. Werner, C. Johnston, P.R. Chalker, S. Romani, I.M. Buckley-Golder. J. Appl. Phys., 79 (5), 2535 (1996)
  295. K. Das, V. Venkatesan,T.P. Humphreys. J. Appl. Phys., 76 (4), 2208 (1994)
  296. J. Nakanishi, A. Otsuki, T. Oku, O. Ishiwata, M. Murakami. J. Appl. Phys., 76 (4), 2293 (1994)
  297. M. Werner, O. Dorsch, H.U. Baerwind, A. Ersoy, E. Obermeier, J. Johnston, S. Romani, P.R. Chalker, V. Moore, I.M. Buckley-Golder. Diamomd. Relat. Mater., 3 (4--6), 983 (1994)
  298. Y.Y. Wang, C.M. Zhen, H.X. Gong, Z.J. Yan, Y.F. Wang, X.Q. Wang, Y.H. Yang, S.H. He. Acta Phys. Sinica, 49 (7), 1348 (2000)
  299. J.R. Waldrop. J. Appl. Phys., 75 (9), 4548 (1994)
  300. E.V. Kalinina, G.F. Kholuyanov, A.V. Shchukarev, N.S. Savkina, A.I. Babanin, M.A. Yagovkina, N.I. Kuznetsov. Diamond Relat. Mater., 8 (6), 1114 (1999)
  301. M.W. Cole, P.C. Joshi, C. Hubbard, J.D. Demaree, M. Ervin. J. Appl. Phys., 91 (6), 3864 (2002)
  302. H. Na, H. Kim, K. Adachi, N. Kiritani, S. Tanimoto, H. Okushi, K. Arai. J. Electron. Mater., 33 (2), 89 (2004).
  303. T.V. Blank, Y.A. Goldberg, O.V. Konstantinov. Nucl. Instrum. Meth., A509, 109 (2003)
  304. O.J. Guy, G. Pope, I. Blackwood, K.S. Teng, L. Chen, W.Y. Lee, S.P. Wilks, P.A. Mawby. Surf. Sci., 573 (2), 253 (2004)
  305. O.J. Guy, G. Pope, I. Blackwood, K.S. Teng, W.Y. Lee, S.P. Wilks, P.A. Mawby. Silicon Carb. Relat. Mater. 2003 --- Mater. Sci. Forum, 457--460, 853 (2004)
  306. G. Pope, O. Guy, P.A. Mawby. Silicon Carb. Relat. Mater. 2003 --- Mater. Sci. Forum, 457--460, 833 (2004)
  307. S.J. Yang, C.K. Kim, I.H. Noh, S.W. Jang, K.H. Jung, N.I. Cho. Diamond Relat. Mater., 13 (4--8), 1149 (2004)
  308. Nam-Ihn Cho, Kyung-Hwa-Jung, Yong Choi. Semicond. Sci. Technol., 19 (3), 306 (2004)
  309. S.Y. Han, N.K. Kim, E.D. Kim, J.L. Lee. Silicon Carb. Relat. Mater. 2001 --- Mater. Sci. Forum, 389--393, 897 (2002)
  310. L.G. Fursin, J.H. Zhao, M. Weiner. Electron. Lett., 37 (17), 1092 (2001)
  311. S. Liu, K. Reinhardt, C. Severt, J. Scofield. Silicon Carb. Relat. Mater., 1995 --- Inst. Phys. Conf. Ser., 142, 589 (1996)
  312. L. Kassamakova, R.D. Kakanakov, I.V. Kassamakov, N. Nordell, S. Savage, B. Hjorvarsson, E.B. Svedberg, L. Aborn, L.D. Madsen. IEEE Trans. Electron. Dev., 46 (3), 605 (1999)
  313. K. Vassilevski, K. Zekentes, G. Constantinidis, N. Papanicolaou, I. Nikitina, A. Babanin. Silicon Carb. Relat. Mater. 1999 --- Mater. Sci. Forum., 338--343, 1017 (2000)
  314. L. Kassamakova, R. Kakanakov, I. Kassamakov, N. Nordell, S. Savage, E.B. Svedberg, L.D. Madsen. Silicon Carb. Relat. Mater. 1999 --- Mater. Sci. Forum, 338--343, 1009 (2000)
  315. R. Kakanakov, L. Kassamakova, I. Kassamakov, K. Zekentes, N. Kuznetsov. Mater. Sci. Engin. B, 80 (1--3), 374 (2001)
  316. K. Vassilevski, K. Zekentes, K. Tsagaraki, G. Constantinidis, I. Nikitina. Mater. Sci. Engin. B, 80 (1--3), 370 (2001)
  317. L. Kassamakova, R. Kakanakov, I. Kassamakov, K. Zekentes, K. Tsagaraki, G. Atanasova. Silicon Carb. Relat. Mater. 2000 --- Mater. Sci. Forum, 353--363, 251 (2000)
  318. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, А.О. Константинов, А. Халлен. Письма ЖТФ, 27 (18), 43 (2001)
  319. O. Nakatsuka, T. Takei, Ya. Koide, M. Murakami. Mater. Transaction, 43 (7), 1984 (2002)
  320. S. Tsukimoto, T. Sakai, T. Onishi, K. Ito, M. Murakami. J. Electron. Mater., 34 (10), 1310 (2005)
  321. S. Tsukimoto, T. Sakai, M. Murakami. J. Appl. Phys., 96 (9), 4976 (2004)
  322. R. Kakanakov, L. Kazamakova-Kolaklieva, N. Hristeva, G. Lepoeva, J.B. Gomes, I. Avramova, T. Marinova. Silicon Carb. Relat. Mater. 2003 --- Mater. Sci. Forum, 457--460, 877 (2004)
  323. S. Tsukimoto, K. Nitta, T. Sakai, M. Moriyama, M. Murakami. J. Electron. Mater., 33 (5), 460 (2004)
  324. T. Sakai, K. Nitta, S. Tsukimoto, M. Moriyama, M. Murakami. J. Appl. Phys. 95 (4), 2187 (2004)
  325. R. Kakanakov, L. Kassamakova, N. Hristeva, G. Lepoeva, N. Kuznetsov, K. Zekentes. Silicon Carb. Relat. Mater. 2001 --- Mater. Sci. Forum, 389--393, 917 (2002)
  326. L. Kassamakova, R. Kakanakov, N. Nordell, S. Savage, A. Kakanakova-Georgieva, T. Marinova. Mater. Sci. Engin. B, 61--62, 291 (1999)
  327. K.V. Vassilevski, G. Constantinidis, N. Papanicolaou, N. Martin, K. Zekentes. Mater. Sci. Engin. B, 61-62, 296 (1999)
  328. N.A. Papanicolaou, A. Edwards, M.V. Rao, W.T. Anderson. Appl. Phys. Lett., 73 (14), 2009 (1998)
  329. G.Y. McDaniel, S.T. Fenstermaker, W.V. Lampert, P.H. Holloway. J. Appl. Phys., 96 (9), 5357 (2004)
  330. C. Deeb, A.H. Heuer. Appl. Phys. Lett., 84 (7), 1117 (2004)
  331. T. Jang, B. Odekirk, L.D. Madsen, L.M. Porter. J. Appl. Phys., 90 (9), 4555 (2001)
  332. U. Schmid, R. Getto, S.T. Sheppard, W. Wondrak. J. Appl. Phys., 85 (5), 2681 (1999)
  333. S. Liu, K. Reinhardt, C. Severt, J. Scofield. Silicon Carb. Relat. Mater. 1995 --- Inst. Phys. Conf. Ser., 142, 589 (1996)
  334. A. Scorzoni, F. Moscatelli, A. Poggi, G.C. Cardinali, R. Nipoti. Silicon Carb. Relat. Mater. 2004 --- Mater. Sci. Forum, 457--460, 881 (2004)
  335. F. Moscatelli, A. Scorzoni, A. Poggi, G.C. Cardinali, R. Nipoti. Silicon Carb. Relat. Mater. 2002 --- Mater. Sci. Forum, 433--4, 673 (2002)
  336. F. Moscatelli, A. Scorzoni, A. Poggi, G.C. Cardinali, R. Nipoti. Semicond. Sci. Technol., 18 (6), 554 (2003)
  337. K. Nakashima, O. Eryo, O. Kais, V. Yoshida, M. Watanabe. Silicon Carb. Relat. Mater. 1999 --- Mater. Sci. Forum, 338 (3), 1005 (2000)
  338. A.A. Iliadis, S.N. Andronescu, W. Yang, R.D. Vispute, A. Stanishevsky, J.H. Orloff, R.P. Sharma, T. Venkatesan, M.C. Wood, K.A. Jones. J. Electron. Mater., 28 (3), 136 (1999)
  339. A.A. Iliadis, S.N. Andronescu, K. Edinger, J.H. Orloff, R.D. Vispute, V. Talyansky, R.P. Sharma, T. Venkatesan, M.C. Wood, K.A. Jones. Appl. Phys. Lett., 73 (24), 3545 (1998)
  340. J. Crofton, P.A. Barnes, J.R. Williams, J.A. Edmond. Appl. Phys. Lett., 62 (4), 384 (1993).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme