Изотермическая поляризация тонкопленочной МДМ структуры Al-As2Se3-Al
Аванесян В.Т.1, Грабко Г.И.1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2007 г.
Приведены результаты изучения кинетики изотермического тока поляризации в пленках As2Se3. В исследуемых образцах протекают интенсивные релаксационные процессы, связанные с накоплением объемного заряда в приконтактной области металл-полупроводник. Проводится анализ экспериментальных данных с привлечением эстафетного механизма электропереноса. PACS: 77.22.Ej, 73.40.Rw, 78.66.Jg
- V.M. Lyubin, V.K. Tikhomirov. J. Non-Cryst. Sol., 135, 37 (1991)
- Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996)
- A.K. Jonscher. Universal relaxation law (London, Chelsea Dielectric Press, 1966)
- K. Satoh, Y. Yamanashi, M. Kitao. Jpn. J. Appl. Phys., 31, 181 (1992)
- А.А. Симашкевич, С.Д. Шутов. ФТП, 28, 133 (1994)
- J.G. Simmons, M.C. Tam. Phys. Rev., 117 (8), 3706 (1973)
- Б.Л. Тиман. ФТП, 7, 225 (1973)
- Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, Н.А. Рогачев. Электронные явления в некристаллических полупроводниках под ред. Б.Т. Коломийца (Л., Наука, 1976)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
