Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Глубокие уровни и электронный транспорт в гетероструктурах AlGaN/GaN

Антонова И.В.¹, Поляков В.И.², Руковишников А.И.², Мансуров В.Г.¹, Журавлев К.С.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия

Поступила в редакцию: 18 апреля 2007 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2007 г.

PDF версия

На основе измерений вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик и спектроскопии глубоких уровней проведено сравнение концентрации центров с глубокими уровнями и проводимости канала гетероструктур AlGaN/GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием аммиака в качестве источника азота. Обнаружены два типа центров с глубокими уровнями, одни из которых предположительно связаны с точечными дефектами, локализованными вблизи дислокаций, а вторые собственно с дислокациями. Увеличение концентрации центров с глубокими уровнями коррелирует с увеличением удельного сопротивления канала. Плотность центров с глубокими уровнями может достигать значений ~10¹³ см^-2 и приводить к компенсации электронного канала на гетерогранице. PACS: 73.20.Hb, 73.40.Lq, 73.61.Ey

H.X. Jiang, J.Y. Lin. Opto-Electronics Rev., 10, 271 (2002)
O. Ambacher, B. Foutz, J. Smart, J.R. Shealy, N.G. Weinman, K. Chu, M. Murphy, A.J. Sierakowski, W.J. Schaff, L.F. Eastman, R. Dimitrov, A. Mitchell, M. Stutzmann. J. Appl. Phys., 87, 334 (2000)
A. Asgari, M. Kalafi, L. Faraone. J. Appl. Phys., 95, 1185 (2004)
В.И. Поляков, П.И. Перов, О.Н. Ермакова, М.Г. Ермаков, А.И. Руковишников, В.И. Сергеев. ФТП, 23, 76 (1989)
V.D. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
D. Poss. Appl. Phys. Lett., 37, 413 (1980)
W. Schroter, H. Cerva. Sol. St. Phenomena, 85\&86, 64 (2002)
Z.-Q. Fang, D.C. Look, X.-L. Wang, J. Han, F.A. Khan, I. Adesida. Appl. Phys. Lett., 82, 1562 (2003)
L. Lee, F.C. Chang, H.M. Chung, M.C. Lee, W.H. Chen, W.K. Chen. Chinese J. Phys., 40, 424 (2002)
K. Hofmann, M. Schulz. J. Electrochem. Soc., 132, 2201 (1985)
J. Osaka, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani. Appl. Phys. Lett., 87, 222 112 (2005)
A. Hierro, A.R. Arehart, B. Heying, M. Hansen, J.S. Speck, U.K. Mishra, S.P. DenBaars, S.A. Ringel. Phys. Status Solidi B, 228, 309 (2001)
L. Lymperakis, J. Neugebauer, M. Albrecht, T. Remmele, H.P. Strunk. Phys. Rev. Lett., 93, 196 401 (2004)
Н.А. Черкашин, Н.А. Берт, Ю.Г. Мусихин, С.В. Новиков, T.S. Cheng, C.T. Foxon, ФТП, 34, 903 (2000)
V.G. Mansurov, A.Yu. Nikitin, Yu.G. Galitsyn, S.N. Svitasheva, K.S. Zhuravlev, Z. Osvath, L. Dobos, Z.E. Horvath, B. Pecz. J. Cryst. Growth, 300, 145 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель