Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2008, выпуск 1 » Статья стр. 106
<<<>>>
Вклад оже-рекомбинации в насыщение ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров (lambda=1.0-1.9 мкм)
Лютецкий А.В.1, Борщёв К.С.2, Пихтин Н.А.1, Слипченко С.О.1, Соколова З.Н.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 29 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2007 г.
PDF версия
В импульсном режиме генерации исследованы спектральные и ватт-амперные характеристики лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения InGaAs/InGaAsAl/InP и InGaAs/GaAs/AlGaAs/GaAs. Показано, что при высоких уровнях токовой накачки в полупроводниковых лазерах ближнего инфракрасного диапазона излучения концентрация носителей заряда в активной области возрастает за порогом генерации и наблюдается насыщение ватт-амперных характеристик. Теоретически исследованы процессы, происходящие в лазерах при возрастании концентрации носителей заряда за порогом генерации. Установлено, что при высоких уровнях накачки уменьшается скорость стимулированной рекомбинации, возрастает время жизни носителей заряда, уменьшаются концентрация излучаемых фотонов и квантовый выход стимулированного излучения. Показано, что падение квантовой эффективности и насыщение ватт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров при высоких уровнях токовой накачки определяются вкладом безызлучательной оже-рекомбинации. PACS: 42.55.Px, 78.67.De, 85.30.De, 85.35.Be
  1. Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, К.С. Борщёв, И.Н. Арсентьев, И.С. Тарасов. ФТП, 41 (8), 1003 (2007)
  2. А.В. Лютецкий, К.С. Борщёв, А.Д. Бондарев, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, Н.В. Фетисова, М.А. Хомылев, А.А. Мармалюк, Ю.А. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов. ФТП, 41 (7), 883 (2007)
  3. С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.А. Пихтин, К.С. Борщёв, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов. ФТП, 40 (8), 1017 (2006)
  4. Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, А.В. Рожков, Н.А. Рудова, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, Н.В. Фетисова, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, К.С. Борщёв, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 32 (16), 47 (2006)
  5. I.S. Tarasov, N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, D.A. Vinokurov, V.A. Kapitonov, M.A. Khomylev, A.Yu. Leshko, A.V. Lyutetskiy, A.L. Stankevich. Spectrochem. Acta Pt A, 66 (4--5), 819 (2007)
  6. N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, A.L. Stankevich, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 40 (22), 1413 (2004)
  7. С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38 (12), 1477 (2004)
  8. Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 39 (3), 388 (2005)
  9. Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, А.Д. Бондарев, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 28 (3), 66 (2002)
  10. А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, А.Ю. Лешко, В.В. Шамахов, А.Ю. Андреев, Е.Г. Голикова, Ю.А. Рябоштан, И.С. Тарасов. ФТП, 37 (11), 115 (2003)
  11. N.A. Gun'ko, V.B. Khalfin, Z.N. Sokolova, G.G. Zegrya. J. Appl. Phys., 84 (1), 547 (1998)
  12. Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 38 (3), 374 (2004)
  13. К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977)
  14. W.P. Dumke, M.R. Lorenz, G.D. Pettit. Phys. Rev. B, 1 (12), 4668 (1970)
  15. Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова, В.Б. Халфин. ФТП, 18 (10), 1803 (1984)
  16. Н.А. Гунько, Г.Г. Зегря, Н.В. Зотова, З.Н. Соколова, Н.Н. Стусь, В.Б. Халфин. ФТП, 31 (11), 1396 (1997)
  17. S. Adachi. Physical properties of III--V semiconductor compounds (John Wiley \& Sons, Inc., 1992)
  18. В.И. Фистуль. Введение в физику полупроводников (М., Наука, 1975)
  19. Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова. ФТП, 16 (9), 1670 (1982)
  20. Д.З. Гарбузов, В.В. Агаев, З.Н. Соколова, В.Б. Халфин, В.П. Чалый. ФТП, 18 (6), 1069 (1984)
  21. Z.N. Sokolova, D.I. Gurylev, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. Proc. 10th Int. Symp. Nanostrucrures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, June 17--21, 2002) p. 252
  22. L.A. Coldren, S.W. Corzine. Diode lasers and photonic integrated circuits (John Wiley \& Sons, Inc., 1995)
  23. Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова, В.Б. Халфин. ФТП, 17 (3), 453 (1983)
  24. Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова, В.Б. Халфин. ФТП, 18 (10), 1803 (1984)
  25. Д.З. Гарбузов, А.В. Овчинников, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, В.Б. Халфин. ФТП, 25 (5), 928 (1991)
  26. B.S. Ryvkin, E.A. Avrutin. J. Appl. Phys., 97, 123 103 (2005)
  27. B.S. Ryvkin, E.A. Avrutin. Electron. Lett., 42, 1283 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme