Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Вклад оже-рекомбинации в насыщение ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров (lambda=1.0-1.9 мкм)
Лютецкий А.В.1, Борщёв К.С.2, Пихтин Н.А.1, Слипченко С.О.1, Соколова З.Н.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 29 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2007 г.
В импульсном режиме генерации исследованы спектральные и ватт-амперные характеристики лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения InGaAs/InGaAsAl/InP и InGaAs/GaAs/AlGaAs/GaAs. Показано, что при высоких уровнях токовой накачки в полупроводниковых лазерах ближнего инфракрасного диапазона излучения концентрация носителей заряда в активной области возрастает за порогом генерации и наблюдается насыщение ватт-амперных характеристик. Теоретически исследованы процессы, происходящие в лазерах при возрастании концентрации носителей заряда за порогом генерации. Установлено, что при высоких уровнях накачки уменьшается скорость стимулированной рекомбинации, возрастает время жизни носителей заряда, уменьшаются концентрация излучаемых фотонов и квантовый выход стимулированного излучения. Показано, что падение квантовой эффективности и насыщение ватт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров при высоких уровнях токовой накачки определяются вкладом безызлучательной оже-рекомбинации. PACS: 42.55.Px, 78.67.De, 85.30.De, 85.35.Be
- Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, К.С. Борщёв, И.Н. Арсентьев, И.С. Тарасов. ФТП, 41 (8), 1003 (2007)
- А.В. Лютецкий, К.С. Борщёв, А.Д. Бондарев, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, Н.В. Фетисова, М.А. Хомылев, А.А. Мармалюк, Ю.А. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов. ФТП, 41 (7), 883 (2007)
- С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.А. Пихтин, К.С. Борщёв, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов. ФТП, 40 (8), 1017 (2006)
- Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, А.В. Рожков, Н.А. Рудова, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, Н.В. Фетисова, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, К.С. Борщёв, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 32 (16), 47 (2006)
- I.S. Tarasov, N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, D.A. Vinokurov, V.A. Kapitonov, M.A. Khomylev, A.Yu. Leshko, A.V. Lyutetskiy, A.L. Stankevich. Spectrochem. Acta Pt A, 66 (4--5), 819 (2007)
- N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, A.L. Stankevich, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 40 (22), 1413 (2004)
- С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38 (12), 1477 (2004)
- Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 39 (3), 388 (2005)
- Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, А.Д. Бондарев, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 28 (3), 66 (2002)
- А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, А.Ю. Лешко, В.В. Шамахов, А.Ю. Андреев, Е.Г. Голикова, Ю.А. Рябоштан, И.С. Тарасов. ФТП, 37 (11), 115 (2003)
- N.A. Gun'ko, V.B. Khalfin, Z.N. Sokolova, G.G. Zegrya. J. Appl. Phys., 84 (1), 547 (1998)
- Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 38 (3), 374 (2004)
- К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977)
- W.P. Dumke, M.R. Lorenz, G.D. Pettit. Phys. Rev. B, 1 (12), 4668 (1970)
- Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова, В.Б. Халфин. ФТП, 18 (10), 1803 (1984)
- Н.А. Гунько, Г.Г. Зегря, Н.В. Зотова, З.Н. Соколова, Н.Н. Стусь, В.Б. Халфин. ФТП, 31 (11), 1396 (1997)
- S. Adachi. Physical properties of III--V semiconductor compounds (John Wiley \& Sons, Inc., 1992)
- В.И. Фистуль. Введение в физику полупроводников (М., Наука, 1975)
- Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова. ФТП, 16 (9), 1670 (1982)
- Д.З. Гарбузов, В.В. Агаев, З.Н. Соколова, В.Б. Халфин, В.П. Чалый. ФТП, 18 (6), 1069 (1984)
- Z.N. Sokolova, D.I. Gurylev, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. Proc. 10th Int. Symp. Nanostrucrures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, June 17--21, 2002) p. 252
- L.A. Coldren, S.W. Corzine. Diode lasers and photonic integrated circuits (John Wiley \& Sons, Inc., 1995)
- Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова, В.Б. Халфин. ФТП, 17 (3), 453 (1983)
- Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова, В.Б. Халфин. ФТП, 18 (10), 1803 (1984)
- Д.З. Гарбузов, А.В. Овчинников, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, В.Б. Халфин. ФТП, 25 (5), 928 (1991)
- B.S. Ryvkin, E.A. Avrutin. J. Appl. Phys., 97, 123 103 (2005)
- B.S. Ryvkin, E.A. Avrutin. Electron. Lett., 42, 1283 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
