Инжекционные фотоприемники
Викулин И.М.1, Курмашев Ш.Д.2, Стафеев В.И.3
1Академия связи Украины, Одесса, Украина
2Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
3Федеральное государственное унитарное предприятие НПО "Орион", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 9 января 2007 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2007 г.
Обобщаются физические принципы работы инжекционных фотодиодов. Обосновывается единый подход к изучению фотоэлектрических явлений в структурах с инжекционным усилением. Обсуждаются физические механизмы инжекционного усилия, параметры и характеристики фотоприемников. Рассмотрены диоды для ультрафиолетовой, видимой и инфракрасной областей спектра с чувствительностью намного более высокой, чем у безынжекционных аналогов. PACS: 85.60.Dw, 85.30.Kk, 85.60.Gz
- А.А. Лебедев, В.И. Стафеев, В.М. Тучкевич. ЖТФ, 24, 2131 (1956)
- В.И. Стафеев. ЖТФ, 28, 1631 (1958)
- В.И. Стафеев. ФТТ, 1, 841 (1959)
- V.I. Stafeev, V.M. Tuchkevich. Rep. 19th Ann. Conf. Phys. Electr. (MIT, Cambridge, Massach., 1959) v. 1, p. 139
- В.И. Стафеев. ФТП, 3, 2513 (1961)
- Б.М. Гарин, В.И. Стафеев. ФТП, 6, 76 (1972)
- И.Д. Анисимова, И.М. Викулин, Ф.А. Заитов, Ш.Д. Курмашев. Полупроводниковые фотоприемники, под ред. В.И. Стафеева (М., Радио и связь, 1984) гл. 5, с. 101
- И.М. Викулин, Ш.Д. Курмашев, В.И. Стафеев. Фотоприемники с инжекционным усилением (М., ЦНИИ "Электроника", 1989)
- M. Lampert, P. Mark. Current injection in solids (Academic-Press, N.Y.--London, 1970)
- И.М. Викулин, В.И. Стафеев. Полупроводниковые датчики (М., Сов. радио, 1975) гл. 3. с. 33
- Б.М. Гарин, В.И. Стафеев. Сб. трудов МФТИ. Сер. Радиотехника и электроника (М., Изд-во МФТИ, 1972) вып. 2, с. 88
- Б.М. Гарин. РЭ, 38, 149 (1983)
- В.В. Осипов, В.И. Стафеев ФТП, 1, 1796 (1967)
- А.И. Бараненков, В.В. Осипов. ФТП, 5, 836 (1971)
- А.И. Бараненков, В.В. Осипов. ФТП, 3, 39 (1969)
- И.М. Викулин, Ш.Д. Курмашев, В.И. Андреев. ФТП, 13, 166 (1979)
- И.М. Викулин, Ш.Д. Курмашев, В.И. Андреев. ФТП, 13, 460 (1979)
- Sh. Kurmashev, V. Stafeev, I. Vikulin. Proc. SPIE, 3182, 59 (1997)
- Р.Ф. Казаринов, В.В. Осипов. ФТП, 3, 810 (1969)
- W. Weber, C. Ford. Sol. St. Elctron., 13, 1333 (1970)
- R. Knepper, A. Jordan. Sol. St. Electron., 15, 45 (1972)
- K. Hiroshi. J. Appl. Phys., 53, 5061 (1982)
- Г.А. Найда, Б.М. Орлов, И.Е. Острый. Научные труды по проблемам микроэлектроники (М., МИЭТ, 1976) вып. 27, с. 78
- Н.Б. Залетаев, В.П. Никифорова, В.И. Стафеев. ФТП, 12, 1719 (1978)
- R. Bube. Photoconductivity of solids (J. Wiley and Sons. Inc., N.Y.--London, 1960)
- В.И. Стафеев, Э.И. Каракушан. Магнитодиоды (М., Наука, 1975) гл. 2, с. 27
- Ш.Д. Курмашев, О.Б. Шевчук, И.М. Викулин, А.А. Градобоев. Фотоэлектроника, N 9, 86 (2000)
- В.П. Сондаевский, В.И. Стафеев. ФТП, 6, 80 (1964)
- Р.Ф. Казаринов, В.И. Стафеев, Р.А. Сурис. ФТП, 1, 1293 (1967)
- А.С. Алмазов, Е.В. Куликова, В.И. Стафеев. ФТП, 7, 319 (1973)
- В.В. Осипов, В.А. Холоднов. ФТП, 5, 1387 (1971)
- Т.Г. Лалаева, В.А. Холоднов. ФТП, 14, 1175 (1980)
- N. Holonjak. Proc. IRE, 50, 2421 (1962)
- М.Е. Алексеев, И.В. Варламов, Э.А. Полторацкий, В.П. Сондаевский. ФТП, 3, 1787 (1969)
- И.И. Блохин, В.В. Осипов, В.И. Стафеев, В.А. Холоднов. РЭ, 25, 1702 (1980)
- И.И. Блохин, В.В. Осипов, В.И. Стафеев, В.А. Холоднов. РЭ, 26, 1573 (1981)
- Н.Б. Залетаев, К.М. Куликов, В.П. Никифорова, В.И. Стафеев. ФТП, 8, 39 (1974)
- П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими уровнями (Ташкент, Фан, 1981)
- А.А. Вилисов, В.П. Воронков, В.И. Диамант. ФТП, 10, 1342 (1976)
- А.А. Вилисов, В.П. Воронков, В.И. Диамант. Изв. вузов СССР. Физика, N 6, 152 (1975)
- А.Н. Власов, Н.Б. Залетаев, В.П. Никифорова, В.И. Стафеев. ФТП, 16, 1059 (1982)
- В.М. Арутюнян. Микроэлектроника, N 11, 539 (1982)
- А.А. Лебедев, А.Т. Мамадалимов, Н.А. Султанов. Полупроводниковые приборы и их применение, под ред. Я.А. Федотова (М., Сов. радио, 1974) вып. 28, с. 200
- А.А. Лебедев, А.Т. Мамадалимов, Н.А. Султанов. ФТП, 7, 1636 (1973)
- Ж.И. Алфёров. Физика сегодня и завтра (Л., Наука, 1973) с. 61
- Г.А. Егиазарян, В.И. Мурыгин, В.С. Рубин, В.И. Стафеев. ФТП, 3, 1652 (1969)
- В.М. Андреев, Л.М. Долгинов, Д.Н. Третьяков. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов, под ред. Ж.И. Алфёрова (М., Сов. радио, 1975)
- Т.В. Аверьянова, И.Д. Анисимова, Т.В. Рудовол, В.И. Стафеев. РЭ, 26, 2563 (1976)
- Ю.А. Абрямян, И.Д. Анисимова, В.П. Каляева, Э.Г. Мирзабекян, И.И. Михайлов, Р.Г. Симонян, В.И. Стафеев. Опт.-мех. пром-ть, N 9, 71 (1978)
- Ж.И. Алфёров, В.И. Корольков, В.Т. Никитин, Д.Н. Третьяков. ФТП, 5, 1503 (1971)
- Ж.И. Алфёров, В.К. Ергаков, В.И. Корольков. ФТП, 4, 2035 (1970)
- W.P. Dumke. Proc. 7th Int. Conf. Physics in Semicond. (Paris, 1964) v. 2, p. 611
- Г.П. Пека, В.А. Бродовой, Л.З. Мирец. ФТП, 9, 80 (1975)
- М.Н. Икизли, Д.Н. Наследов, Г.В. Слободчиков. ФТП, 11, 89 (1971)
- В.И. Мурыгин. ФТП, 7, 858 (1973)
- Т.Г. Лалаева, В.А. Холоднов. ФТП, 14, 1175 (1980)
- А. Беркелиев, А. Мередов, К. Дурдыев. Изв. АН ТССР. Сер. Физика, N 1, 28 (1979)
- Ш.Д. Курмашев, О.Б. Шевчук, И.М. Викулин, А.А. Градобоев. Фотоэлектроника, N 9, 91 (2000)
- Sh. Kurmashev, I. Vikulin, S. Nikifirov. Photoelectron., N 15, 63 (2006)
- В.В. Лосев, Б.М. Орлов, В.И. Стафеев. ФТП, 9, 41 (1975)
- Ш.А. Алимов, В.В. Лосев, Б.М. Орлов, В.И. Стафеев. ФТП, 10, 1830 (1976)
- А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. Укр. физ. журн., 18, 291 (1985)
- И.М. Колдаев, В.В. Лосев, Б.М. Орлов. ФТП, 18, 1316 (1984)
- Г.Б. Абдуллаев, В.И. Стафеев, А.З. Мамедова. РЭ, 22, 1460 (1977)
- Г.Б. Абдуллаев, Н.Б. Залетаев, А.З. Мамедова, В.И. Стафеев. РЭ, 24, 1430 (1979)
- H. Kremer. RCA Rev., 18, 332 (1957)
- Ж.И. Алфёров. ФТП, 11, 2072 (1977)
- О.В. Константинов, Г.В. Царенков. ФТП, 10, 720 (1976)
- Г.В. Царенков. ФТП, 9, 253 (1975)
- А.Я. Вуль, С.Г. Петросян, А.Я. Шик, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 10, 673 (1976)
- Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, В.М. Коган. Письма ЖТФ, 3, 725 (1977)
- А.В. Беркелиев, Ю.А. Гольдберг, А.Н. Именков, Б.В. Царенков. ФТП, 12, 96 (1978)
- Г.П. Пека, А.Н. Смоляр, Д.А. Пулеметов. ФТП, 18, 478 (1984)
- Г.П. Пека, Д.А. Пулеметов, А.Н. Смоляр. ФТП, 18, 1480 (1984)
- Ш.Д. Курмашев, В.И. Ирха, И.М. Викулин. ФТП, 24, 558 (1990)
- Ш.Д. Курмашев, В.И. Ирха, И.М. Викулин, А.А. Градобоев. Электрон. техн. Материалы, N 4, 27(1991)
- Сб. статей Электроны в полупроводниках, под ред. Ю. Пожелы (Вильнюс, Мокслас. 1980) т. 2. гл. 2, с. 73
- А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках Пер. с англ. под ред. М.К. Шейнкмана (М., Мир. 1977). [A.G. Milnes. Deep impurities in semiconductors (J. Willey \& Sons, Inc., N.Y.--London--Sydney--Toronto, 1973)]
- E. Schibli, A.G. Milnes. Sol. St. Electron., 10, 97 (1967)
- Ф.В. Гаспарян, З.Н. Адамян. В.М. Арутюнян. Кремниевые фотоприемники (Ереван, Изд-во Ереван. ун-та, 1989)
- И.И. Синина, Ш.Д. Курмашев, И.М. Викулин. ФТП, 20, 2233 (1986)
- Ш.Д. Курмашев, И.М. Викулин, Р.Г. Сидорец. Фотоэлектроника, N 12, 33 (2003)
- D.L. Scharfetter. Sol. St. Electron., 8, 292 (1965)
- M.A. Green, J. Schewchun. Sol. St. Electron., 16, 1141 (1973)
- H.G. Card, E. Rhoderick. Sol. St. Electron., 16, 365 (1973)
- Ш.Д. Курмашев, И.М. Викулин, И.И. Чалая. ФТП, 22, 2211 (1988)
- Ш.Д. Курмашев, И.М. Викулин, Р.Г. Сидорец, А.Н. Софронков. Фотоэлектроника, N 11, 23 (2002)
- Ш.Д. Курмашев, И.М. Викулин, С.В. Ленков, Р.Г. Сидорец. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, N 6, 16 (2002)
- И.М. Колдаев, В.В. Лосев, Б.М. Орлов. Письма ЖТФ, 10, 853 (1984)
- Ж.И. Алфёров, А.Т. Гореленок, В.Г. Данильченко. Письма ЖТФ, 9, 1516 (1983)
- С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматлит, 1963)
- И.К. Блохин, В.А. Холоднов. ФТП, 15, 1994 (1981)
- С.Т. Воронин, А.Ф. Кравченко, А.П. Шерстяков. ФТП, 20, 1847 (1986)
- Р.Дж. Киес. Фотоприемники видимого и ИК диапазона. Пер. с англ. под ред. В.И. Стафеева (М., Мир, 1985)
- Н.Б. Залетаев, П.С. Серебрянников, В.И. Стафеев. ФТП, 16, 324 (1982)
- И.К. Блохин, В.А. Холоднов. ФТП, 20, 294 (1986)
- В.И. Стафеев, А.В. Ельцов, ФТП, 10, 930 (1976)
- А.В. Ельцов, В.И. Стафеев. ФТП, 10, 549 (1976)
- В.И. Стафеев. Прикл. физика, N 1, 31 (2005).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.