Вышедшие номера
Электрофизические свойства слоев Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
Белова О.В.1, Шабанов В.Н.1, Касаткин А.П.1, Кузнецов О.А.1, Яблонский А.Н.2, Кузнецов М.В.1, Кузнецов В.П.1, Корнаухов А.В.1, Андреев Б.А.2, Красильник З.Ф.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 4 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2008 г.

Температурные зависимости концентрации и холловской подвижности электронов в эпитаксиальных слоях Si : Er/Sr исследовались после их выращивания при T=600oC и отжига при 700 и 900oC. Слои осаждались методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в вакууме ~ 10-5 Па. Энергетические уровни донорных центров, связанных с Er, расположены на глубине 0.21-0.27 эВ от дна зоны проводимости Si. В интервале 80-300 K холловская подвижность электронов в неотожженных эпитаксиальных слоях Si : Er была в 3-10 раз меньше подвижности в монокристаллах Cz-Si. После отжига слоев доля рассеяния электронов на донорных центрах Er заметно уменьшается. PACS: 73.20 Hb, 73.40.Lg, 78.60.Fi, 85.30.Kk