Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрофизические свойства слоев Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 4 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2008 г.
Температурные зависимости концентрации и холловской подвижности электронов в эпитаксиальных слоях Si : Er/Sr исследовались после их выращивания при T=600oC и отжига при 700 и 900oC. Слои осаждались методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в вакууме ~ 10-5 Па. Энергетические уровни донорных центров, связанных с Er, расположены на глубине 0.21-0.27 эВ от дна зоны проводимости Si. В интервале 80-300 K холловская подвижность электронов в неотожженных эпитаксиальных слоях Si : Er была в 3-10 раз меньше подвижности в монокристаллах Cz-Si. После отжига слоев доля рассеяния электронов на донорных центрах Er заметно уменьшается. PACS: 73.20 Hb, 73.40.Lg, 78.60.Fi, 85.30.Kk
- В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. ФТП, 34, 519 (2000)
- M.V. Stepikhova, B.A. Andreev, V.B. Shmagin, Z.F. Krasil'nik, V.P. Kuznetsov, V.G. Shengurov, S.P. Svetlov, W. Jantsch, L. Palmetshofer, H. Ellmer. Thin Sol. Films, 381 (1), 164 (2001)
- В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова, В.Н. Шабанов, А.П. Касаткин, С.В. Седова, Г.А. Максимов, З.Ф. Красильник, Е.В. Демидов. ФТТ, 47, 99 (2005)
- D. Prezzi, T.A.G. Eberlein, R. Jones, J.S. Filhol, J. Coutinho, M.J. Shaw, P.R. Briddon. Phys. Rev., 71, 245 203 (2005)
- В.В. Емцев, В.В. Емцев (мл.), Д.С. Полоскин, Н.А. Соболев, Е.И. Шеек, Й. Михель, Л.С. Кимерлинг. ФТП, 33 (6), 649 (1999)
- A.A. Prokofiev, I.N. Yassievich, H. Vrielinck, T. Gregorkiewicz. Phys. Rev., 72, 045 214 (2005)
- C.A.J. Ammerlaan, D.T.X. Thao, T. Gregorkiewicz, B.A. Andreev, Z.F. Krasil'nik. Sol. St. Phenomena, 70, 359 (1999)
- S. Scalese, G. Franzo, S. Mirabella, M. Re, A. Terrasi, F. Priolo, E. Rimini, C. Spinella, A. Carnera. J. Appl. Phys., 88 (7), 4091 (2000)
- Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., Мир, 1964) с. 91
- D. Long, J. Myers. Phys. Rev., 115 (5), 1107 (1959)
- В.П. Кузнецов, Д.Ю. Ремизов, В.Н. Шабанов, Р.А. Рубцова, М.В. Степихова, Д.И. Крыжков, А.Н. Шушунов, О.В. Белова, З.Ф. Красильник, Г.А. Максимов. ФТП, 40, 868 (2006)
- C. Erginsoy. Phys. Rev., 79, 1013 (1950)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
