Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Вариация края поглощения света в пленках SiN_x с кластерами кремния

Ефремов М.Д.¹, Володин В.А.¹, Марин Д.В.¹, Аржанникова С.А.¹, Камаев Г.Н.¹, Кочубей С.А.¹, Попов А.А.²

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Институт микроэлектроники и информатики, Ярославль, Россия

Поступила в редакцию: 24 мая 2007 г.

Выставление онлайн: 20 января 2008 г.

PDF версия

С помощью оптических методов исследования получены данные об оптических константах пленок нитрида кремния, синтезированных методом плазмохимического осаждения. Рассмотрены модели расчета диэлектрической проницаемости в концепции неоднородной смеси фаз кремния и нитрида кремния. Обнаружено, что край поглощения света (E_g) и максимум пика фотолюминесценции сдвигаются в красную область спектра с уменьшением атомной доли азота в пленках SiN_x. При приближении x к значению 4/3, характерному для стехиометрического нитрида кремния Si₃N₄, наблюдается нелинейное, резкое увеличение E_g. Методом комбинационного рассеяния света обнаружено наличие связей Si-Si, что подтверждает формирование кластеров кремния непосредственно в процессе осаждения пленок. Установлена взаимосвязь состава нестехиометричных пленок нитрида кремния, значений диэлектрической проницаемости и ширины оптической зоны пропускания света. PACS: 61.43.Dq, 64.70.Nd, 78.20.Ci, 81.05.Ge

М.Д. Ефремов, С.А. Аржанникова, В.А. Володин, Г.Н. Камаев, Д.В. Марин. Вестник НГУ. Сер. Физика, 2, 51 (2007)
V.A. Volodin, M.D. Efremov, V.A. Gritsenko, S.A. Kochubei. Appl. Phys. Lett. 73 (9), 1212 (1998)
М.М. Горшков. Эллипсометрия (М., Сов. радио, 1974)
В.Н. Новиков, А.П. Соколов, О.А. Голикова, В.Х. Кудоярова, М.М. Мездрогина. ФТТ, 32 (5), 1515 (1990)
J. Tauc. In: Optical properties of solids, ed. by F. Abeles (North-Holland Publ. Co, 1972) P. 277
D.E. Aspnes. Thin Sol. Films, 89, 249 (1982)
D.A.G. Bruggeman. Ann. Phys. (Leipzig), 24, 636 (1935)
В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников (Киев, Наук. думка, 1987)
Fernando Alvarez, Ariel A. Valladares. Phys. Rev. B, 68, 205 203 (2003)
Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Электродинамика сплошных сред (М., Наука, 1982) гл. 9, с. 67
S.A. Arzhannikova, M.D. Efremov, V.A. Volodin, G.N. Kamaev, D.V. Marin, S.A. Soldatenkov, V.S. Shevchuk, S.A. Kochubei, A.A. Popov, Yu.A. Minakov. Sol. St. Phenomena, 108--109, 53 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель