Вышедшие номера
Вариация края поглощения света в пленках SiNx с кластерами кремния
Ефремов М.Д.1, Володин В.А.1, Марин Д.В.1, Аржанникова С.А.1, Камаев Г.Н.1, Кочубей С.А.1, Попов А.А.2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт микроэлектроники и информатики, Ярославль, Россия
Поступила в редакцию: 24 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2008 г.

С помощью оптических методов исследования получены данные об оптических константах пленок нитрида кремния, синтезированных методом плазмохимического осаждения. Рассмотрены модели расчета диэлектрической проницаемости в концепции неоднородной смеси фаз кремния и нитрида кремния. Обнаружено, что край поглощения света (Eg) и максимум пика фотолюминесценции сдвигаются в красную область спектра с уменьшением атомной доли азота в пленках SiNx. При приближении x к значению 4/3, характерному для стехиометрического нитрида кремния Si3N4, наблюдается нелинейное, резкое увеличение Eg. Методом комбинационного рассеяния света обнаружено наличие связей Si-Si, что подтверждает формирование кластеров кремния непосредственно в процессе осаждения пленок. Установлена взаимосвязь состава нестехиометричных пленок нитрида кремния, значений диэлектрической проницаемости и ширины оптической зоны пропускания света. PACS: 61.43.Dq, 64.70.Nd, 78.20.Ci, 81.05.Ge