Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Некоторые аспекты подбора примесей, улучшающих фотоэлектрические характеристики халькогенидных стеклообразных полупроводников

Бурдиян И.И.¹, Косюк В.В.¹, Пынзарь Р.А.¹

¹Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Тирасполь, Молдова Taras Shevchenko Transnistria State University, Tiraspol, Moldova

Taras Shevchenko Transnistria State University, Tiraspol, Moldova

Поступила в редакцию: 28 ноября 2006 г.

Выставление онлайн: 20 января 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассматривается влияние малых концентраций легирующих примесей двух групп - Sn, Pb, Dy, Ho, Y и In, Cs, Al - на фотоэлектрические свойства As₂Se₃ и (As₂S₃)_0.3(As₂Se₃)_0.7. Исследование спектральных распределений фотопроводимости и оптического поглощения показало отчетливое увеличение фотопроводимости при уровне легирования элементами первой группы до 0.015 ат%. Элементы второй группы примесей никаких заметных действий не производили. Действие элементов первой группы объясняется замещением вакантных мест, образованных отсутствием легколетучих атомов Se и S, небольшими концентрациями атомов примеси. Наблюдаемый эффект связан со способностью замещающих атомов сохранять ковалентную связь, с малым расхождением в размерах атомов и коэффициентов электронного сродства по отношению к S и Se. Атомы второй группы примесей этими признаками не обладают. PACS: 61.43.Fs. 68.55.Ln, 71.55.Jv, 72.40.+w, 72.80.Ng

Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цендина (М. Наука, 1996) с. 41
Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических полупроводниках (М., Мир, 1972)
М. Йову, С. Шутов, М. Попеску, Л. Кухонен, А. Седов. J. Optoelectron. Adv. Mater., 1 (2), 15 (1999)
И.В. Фекешгази, К.В. Май, Н.И. Мателешко, В.М. Мица, Е.И. Бокач. ФТП, 39 (8), 986 (2005)
И.И. Бурдиян, И.С. Фещенко. Неорг. матер., 41 (9), 1150 (2005)
И.И. Бурдиян, Э.А. Сенокосов, В.В. Косюк, Р.А. Пынзарь. ФТП, 40 (10), 1250 (2006)
S.G. Bishop, U. Strom, P.C. Taylor. Phys. Rev. Lett., 34, 1346 (1975)
В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина. ФТТ, 46 (12), 2129 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель