Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Диффузия хрома в эпитаксиальный арсенид галлия

Вилисова М.Д.¹, Другова Е.П.², Пономарев И.В.¹, Чубирко В.А.²

¹Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

²Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия Scientific and Research Institute of Semiconductors, Tomsk, Russia

Scientific and Research Institute of Semiconductors, Tomsk, Russia

Поступила в редакцию: 12 марта 2007 г.

Выставление онлайн: 20 января 2008 г.

PDF версия

Исследована диффузия Cr в эпитаксиальный GaAs в открытой системе в диапазоне температур 750-850^oC. Определена температурная зависимость коэффициента диффузии и растворимости хрома в GaAs. Температурная зависимость коэффициента диффузии и растворимости Cr описывается уравнением Аррениуса с параметрами для коэффициента диффузии: D₀=1.9·10⁹ см²/с, E=4.1±0.2 эВ; для растворимости: N₀=2.3·10²⁴ см^-3, E₀=1.9±0.4 эВ. Изучено влияние защитной пленки SiO₂ на коэффициент диффузии Cr и морфологию поверхности GaAs после диффузии. PACS: 66.30.Jt, 68.55.Ln, 81.05.Ea

M.D. Deal, D.A. Stevenson. J. Appl. Phys., 59 (7), 2398 (1986)
B. Tuck, G.A. Adegboyega. J. Phys. D: Appl. Phys., 12 (11), 1895 (1979)
С.С. Хлудков, О.Б. Корецкая, А.В. Тяжев. ФТП, 38 (3), 274 (2004)
С.С. Хлудков, О.Б. Корецкая, Г.Р. Бурнашева. ФТП, 40 (9), 1025 (2006)
И.А. Прудаев, М.В. Ардышев. Известия вузов. Физика, 48 (6), 46 (2005)
М.Д. Вилисова, В.П. Гермогенов, Е.П. Другова, Д.Ю. Мокеев, И.В. Пономарев, Л.П. Пороховниченко, О.П. Толбанов, В.А. Чубирко. Матер. IX конф. "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III--V" (Томск, Россия, 2006) с. 485
О.М. Асанов, А.В. Градобоев, Н.Д. Гранкина, В.Г. Кустов. Электронная промышленность, 3, 41 (1981)
М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников (М., Металлургия, 1985)
Т.Д. Джафаров. Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах (Л., Наука, 1978)
M.D. Deal, R.A. Gasser, D.A. Stevenson. J. Phys. Chem. Sol., 46 (7), 859 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель