Роль процессов переноса неравновесных носителей заряда в излучательных свойствах массивов InAs/GaAs-квантовых точек
Школьник А.С.1, Савельев А.В.2, Карачинский Л.Я.1, Гордеев Н.Ю.1, Сейсян Р.П.1, Зегря Г.Г.1, Pellegrini S.3, Buller G.S.3, Евтихиев В.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3School of Engineering and Physical Sciences, Heriot-Watt University, Riccarton, Edinburgh EH14 4AS, United Kingdom
Поступила в редакцию: 21 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.
Представлены результаты фотолюминесцентных исследований с временным разрешением гетероструктур, содержащих однослойные массивы InAs/GaAs-квантовых точек. Исследована двухкомпонентная временная зависимость интенсивности фотолюминесценции из основного состояния квантовых точек с характерными временами "медленной" компоненты до сотен наносекунд и "быстрой" в единицы наносекунд. Показано, что "медленная" компонента обусловлена процессами переноса неравновесных носителей заряда между квантовыми точками. При низких температурах время "медленной" составляющей определяется процессом туннелирования, а при высоких - процессом термического выброса неравновесных носителей заряда. Соотношение вкладов туннелирования и термического выброса определяется степенью изолированности квантовых точек. Построена теоретическая модель, описывающая влияние динамики переноса носителей на возникновение и затухание "медленной" компоненты фотолюминесценции. PACS: 73.21.La, 73.63.-b
- Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982)
- G. Yusa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 70, 345 (1997)
- C. Reese, C. Becher, A. Imamoglu, E. Hu, B.D. Gerardot, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 78, 2279 (2001)
- D. Bimberg, N. Kirstaedter, N.N. Ledentsov, Z.I. Alferov, P.S. Kop'ev, V.M. Ustinov. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 3, 196 (1997)
- A.S. Shkolnik, L.Ya. Karachinsky, N. Yu. Gordeev, G.G. Zegrya, V.P. Evtikhiev, S. Pellegrini, G.S. Buller. Appl. Phys. Lett., 86, N 211, 112 (2005)
- L.Ya. Karachinsky, S. Pellegrini, G.S. Buller, A.S. Shkolnik, N.Yu. Gordeev, V.P. Evtikhiev, V.B. Novikov. Appl. Phys. Lett., 84, 7 (2004)
- S. Pellegrini, G.S. Buller, L.Ya. Karachinsky, A.S. Shkolnik, N.Yu. Gordeev, G.G. Zegrya, V.P. Evtikhiev, I.R. Sellers, M.S. Skolnik, H.Y. Liu, M. Hopkinson. SPIE Photonics West 2005 Int. Symp. (January 2005, San Jose, California, USA). [Proc. SPIE, 5725, 309 (2005)]
- A.V. Savelyev, A.I. Tartakovskii, M.S. Skolnik, D.J. Mowbray, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, R.P. Seisyan. Appl. Phys. Lett., 88 (11), 1104 (2006)
- K.S. Gill, N. Moskovitz, L.-C. Wang, M.S. Sherwin, A. Badolato, B. Gerardot, P. Petroff. Appl. Phys. Lett., 87 (16), 2101 (2005)
- A. Marent, M. Geller, D. Bimberg, A.P. Vasil'ev, E.S. Semenova, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov. Appl. Phys. Lett., 89 (07), 2103 (2006)
- D. Leonard, M. Krishnamurthy, C.M. Reaves, S.P. Denbaars, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 63, 3203 (1993)
- V.P. Evtikhiev, V.E. Tokranov, A.K. Kryganovskii, A.M. Boiko, R.A. Suris, A.N. Titkov. J. Cryst. Growth, 201/202, 1154 (1999)
- В.П. Евтихиев, И.В. Кудряшов, Е.Ю. Котельников, В.Е. Токранов, А.Н. Титков, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 32, 1482 (1998)
- J.M. Smith, P.A. Hiskett, I. Gontijo, L. Purves, G.S. Buller. Rev. Sci. Instrum., 72, 2325 (2001)
- D.V. O'Connor, D. Phillips. Time-Correlated Single Photon Counting (Academic, London, 1984)
- Ж.И. Алфёров, А.Б. Журавлев, Е.Л. Портной, Н.М. Стельмах. Письма ЖТФ, 12, 452 (1996)
- A.S. Shkol'nik, V.P. Evtikhiev, I.V. Kudryashov, E.Yu. Kotelnikov, E.B. Dogonkin, V.G. Talalaev, B.V. Novikov, J.W. Tomm, G. Gobsch. Nanotechnology, 12, 512 (2001)
- P.D. Buckle, P. Dawson, S.A. Hall, X. Chen, M.L. Steer, D.J. Mowbray, M.S. Skolnik, M. Hopkinson. J. Appl. Phys., 86, 2555 (1999)
- R. Heitz, M. Veit, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. B, 56, 10 435 (1997)
- D.Z. Garbuzov, V.P. Evtikhiev, N.I. Katcavets, A.B. Komissarov, T.E. Kudrik, I.V. Kudrayshov, V.B. Khalfin, R.K. Bauer, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. J. Appl. Phys. 75, 4152 (1994)
- A. Javier, D. Magana, T. Jennings, G.F. Strose. Appl. Phys. Lett., 83, 1483 (2003)
- M. Niirmal, D.J. Norris, M. Kuno, M.G. Bawedi, Al.L. Efros, M. Rosen. Phys. Rev. Lett., 75, 3728 (1995)
- M. Niirmal, C.B. Murray, M.G. Bawedi. Phys. Rev. B, 50, 2293 (1994)
- M.G. Bawedi, P.J. Carroll, W.L. Wilson, L.E. Brus. J. Chem. Phys., 96, 946 (1992)
- E.B. Dogonkine, V.N. Golovatch, A.S. Polkovnikov, A.V. Pozdnyakov, G.G. Zegrya. Prog. 8th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St.Petersburg, Russia, June 2000) p. 399
- С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М.: Мир, 1983)
- S. Sanguinetti, M. Henini, M. Grassi Alessi, M. Gapizzi, P. Frigeri, S. Franchi. Phys. Rev. B, 60, 8276 (1999)
- P.N. Brunkov, A. Patane, A. Levin, L. Eaves, P.C. Main, Yu.G. Musikhin, B.V. Volovik, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, S.G. Konnikov. Phys. Rev. B, 65, 085 326 (2002)
- A.V. Savelyev, L.Ya. Karashinsky, A.S. Shkolnik, S. Pellegrini, N.Yu. Gordeev, A.I. Tartakovskii, V.P. Evtikhiev, G.G. Zegrya, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, R.P. Seisyan, G.S. Buller, M.S. Skolnick. Int. Conf. Physics of Semiconductors (ICPS 2006) (Vienna, Austria, July 2006). [AIP Conf. Proc., 893, 987 (2007)]
- C.M.A. Kapteyn, M. Lion, R. Heitz, D. Bimberg, P.N. Brunkov, B.V. Volovik, S.G. Konnikov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov. Appl. Phys. Lett., 76, 1573 (2000)
- A.V. Savelyev, A.S. Shkolnik, S. Pellegrini, L.Ya. Karachinsky, A.I. Tartakovskii, R.P. Seisyan. Prog. 13th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St.Petersburg, Russia, 2005) p. 6.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.