Вышедшие номера
Поляризационная пьезоспектроскопия фотолюминесценции квантовой ямы GaAs/Al0.35Ga0.65As:Be
Аверкиев Н.С.1, Иванов Ю.Л.1, Красивичев А.А.1, Петров П.В.1, Саблина Н.И.1, Седов В.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 августа 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.

Фотолюминесценция квантовых ям GaAs/Al0.35Ga0.65As:Be исследована при T=77 и 300 K в условиях одноосного сжатия вдоль оси [110]. В спектре фотолюминесценции преобладали две полосы, которые при нулевом давлении и температуре 77 K имели максимумы, соответствующие 1.517 и 1.532 эВ. Сопоставление экспериментальных и теоретических зависимостей положения этих максимумов и поляризации фотолюминесценции от величины давления показало, что рассматриваемые полосы при T>=q 77 K обусловлены рекомбинацией свободных электронов с тяжелыми и легкими дырками в валентной зоне GaAs. PACS: 78.67.De, 78.55.Cr, 77.65.Ly, 73.21.Fg, 72.25.Rb