Малошумящие фотодиоды на основе двойной гетероструктуры GaSb/GaInAsSb/AlGaAsSb для спектрального диапазона 1-4.8 мкм
Журтанов Б.Е.1, Ильинская Н.Д.1, Именков А.Н.1, Михайлова М.П.1, Калинина К.В.1, Сиповская М.А.1, Стоянов Н.Д.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 сентября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.
Исследованы фотодиодные гетероструктуры n-GaSb/n-GaInAsSb/p-AlGaAsSb с красной границей фоточувствительности 4.8 мкм. Показано, что большое содержание In в узкозонном слое и Al в широкозонном слое приводит к улучшению фотоэлектрических параметров за счет устранения туннельной утечки перехода n-GaInAsSb/p-AlGaAsSb. Получена обнаружительная способность D*lambda=1.1·109 смГц1/2Вт-1 при комнатной температуре. PACS: 85.60.Dw, 79.60.Jv
- Analitical Chemistry, 28 (8), 219 (1956)
- А.П. Астахова, Б.Е. Журтанов, А.Н. Именков, М.П. Михайлова, М.А. Сиповская. Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 33 (1), 23 (2007)
- А.П. Астахова, Б.Е. Журтанов, А.Н. Именков, М.П. Михайлова, М.А. Сиповская. Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 33 (19), 9 (2007)
- Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur, vol. 1, 2 (World Scientific, Singapore--N.J.--London--Hong Kong, 1996)
- А.А. Андаспаева, А.Н. Баранов, Б.Л. Гельмонт, Б.Е. Журтанов, Г.Г. Зегря, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев, С.Г. Ястребов. ФТП, 25 (3), 394 (1991)
- M.G. Mauk, V.M. Andreev. Semicond. Sci. Technol., 18, 5191 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
