Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Малошумящие фотодиоды на основе двойной гетероструктуры GaSb/GaInAsSb/AlGaAsSb для спектрального диапазона 1-4.8 мкм
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 17 сентября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.
Исследованы фотодиодные гетероструктуры n-GaSb/n-GaInAsSb/p-AlGaAsSb с красной границей фоточувствительности 4.8 мкм. Показано, что большое содержание In в узкозонном слое и Al в широкозонном слое приводит к улучшению фотоэлектрических параметров за счет устранения туннельной утечки перехода n-GaInAsSb/p-AlGaAsSb. Получена обнаружительная способность D*lambda=1.1·109 смГц1/2Вт-1 при комнатной температуре. PACS: 85.60.Dw, 79.60.Jv
- Analitical Chemistry, 28 (8), 219 (1956)
- А.П. Астахова, Б.Е. Журтанов, А.Н. Именков, М.П. Михайлова, М.А. Сиповская. Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 33 (1), 23 (2007)
- А.П. Астахова, Б.Е. Журтанов, А.Н. Именков, М.П. Михайлова, М.А. Сиповская. Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 33 (19), 9 (2007)
- Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur, vol. 1, 2 (World Scientific, Singapore--N.J.--London--Hong Kong, 1996)
- А.А. Андаспаева, А.Н. Баранов, Б.Л. Гельмонт, Б.Е. Журтанов, Г.Г. Зегря, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев, С.Г. Ястребов. ФТП, 25 (3), 394 (1991)
- M.G. Mauk, V.M. Andreev. Semicond. Sci. Technol., 18, 5191 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
