Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Кинетика резистивного отклика тонких пленок SnO_2-x в газовой среде

Рябцев С.В.¹, Юкиш А.В.¹, Ханго С.И.¹, Юраков Ю.А.¹, Шапошник А.В.¹, Домашевская Э.П.¹

¹Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия Voronezh State University, Voronezh, Russia

Поступила в редакцию: 13 июня 2007 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Получены данные о газовой чувствительности тонких пленок SnO_2-x в среде кислорода и водорода. Пленки были изготовлены окислением на воздухе слоев металлического олова при различных температурах. Немонотонная кинетика резистивного отклика образцов SnO_2-x в условиях газовой адсорбции объяснена участием во взаимодействии адсорбент-полупроводник "биографических" электронных состояний (определяемых технологией изготовления и обработки образцов), плотность которых зависит от температурного режима получения SnO_2-x. PACS: 68.47.Fg, 68.35.Fx, 68.43.Pg

К.П. Богданов, Д.П. Дмитров, О.Ф. Луцкая, Ю.М. Таиров. ФТП, 32 (10), 1158 (1998)
S. Samson, C.G. Fonstad. J. Appl. Phys., 44 (10), 4618 (1973)
C.G. Fonstad, R.H. Rediker. J. Appl. Phys., 42 (7), 2911 (1971)
J. Mizusaki, H. Koinuma, J. Shimoyama, M. Kawasaki, K. Fueki. J. Sol. St. Chem., 88, 443 (1990)
C. Ang, Z. Yu, L.E. Cross. Phys. Rev. B, 62 (1), 228 (2000)
L.A. Kappers, K.L. Sweeney, L.E. Halliburton, J.H.W. Liaw. Phys. Rev. B, 31 (10), 6792 (1985)
R. Gonzalez, G.P. Summers, Y. Chen. Phys. Rev. B, 30 (4), 2112 (1984)
R. Tohmon, H. Mizuno, Y. Ohki, K. Sasagane, K. Nagasawa, Y. Hama. Phys. Rev. B, 39 (2), 1337 (1989)
Э.П. Домашевская, С.В. Рябцев, Е.А. Тутов, Ю.А. Юраков, О.А. Чувенкова, А.Н. Лукин. Письма ЖТФ, 32 (18), 7 (2006)
Э.П. Домашевская, Ю.А. Юраков, А.Н. Лукин, С.В. Рябцев, О.А. Чувенкова, С.Б. Кущев, С.В. Каныкин, С.Г. Конников. Изв. вузов, сер. Материалы электронной техники, N 1, 52 (2006)
Ф.Ф. Волькенштейн. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции (М., Наука, 1987)
W. Gopel. Progr. Surf. Sci., 20, 9 (1985)
С.Н. Козлов. Изв. вузов, сер. Физика, N 4, 116 (1975)
В.Я. Сухарев, И.А. Мясников. ЖФХ, 60, 3016 (1986)
И.А. Мясников, В.Я. Сухарев, Л.Ю. Куприянов, С.А. Завьялов. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях (М., Наука, 1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель