Вышедшие номера
Диагностика низкобарьерных диодов Шоттки с приповерхностным delta-легированием
Шашкин В.И.1, Мурель А.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 28 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.

Разработана методика диагностики параметров низкобарьерных диодов Шоттки, основанная на анализе зависимости дифферениального сопротивления диода с барьером Мотта и приповерхностным delta-легированием. Показано, что возможно полное описание вольт-амперных характеристик диода при учете последовательно включенного n--n+-перехода. Методика позволяет оптимизировать диоды для достижения более высокой чувствительности при детектировании. PACS: 73.61.Ey, 73.30.+y, 73.63.-b, 73.40.Gk, 73.43.Cd