Методом атомно-силовой микроскопии проведены комплексные исследования рельефа, распределения потенциала varphi(x,y) и распределения фазового контраста поверхности n-GaAs, подвергнутой различным химическим обработкам. Распределение потенциала и фазового контраста на микроуровне в целом коррелируют с характером рельефа. Поверхность, обработанная в растворе H₂SO₄ : H₂O = 1 : 10, характеризуется высокой степенью неоднородности со средней неровностью основного рельефа Delta h~ 10 нм. Значительная часть поверхности покрыта выступами высотой 20-60 нм и диаметром 100-500 нм, образующими специфическую субструктуру, которым соответствуют скачки потенциала до 50-60 мВ на общем фоне 0.77-0.80 В. На "наноуровне" заметно выражена корреляция рельефа и фазового контраста, но между рельефом и распределением потенциала корреляция не обнаружена. Обработка поверхности n-GaAs в концентрированном водном растворе NH₄OH приводит к понижению величины varphi(x,y) на ~ 0.2 В, ее неровности - более чем на порядок (~ 0.75 нм). Распределение рельефа и фазового контраста по площади поверхности носит близкий к идеальному гауссовый характер на относительно малых участках поверхности (200x 200 нм²). С ростом площади отступление от гауссиана становится весьма существенным из-за плавного изменения потенциала по площади контакта. Сохранение гауссового характера рельефа поверхности при одновременном росте среднего уровня неровности с увеличением анализируемой площади указывает на фрактальный механизм формирования рельефа поверхности. PACS: 68.47.Fg, 68.37.Ps, 73.61.Ey, 68.35.Ct, 61.43.Hv, 68.55.-a

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.