Вышедшие номера
Каскадный лазер на мелких донорах в delta-легированных сверхрешетках GaAs/AlGaAs
Бекин Н.А.1, Шастин В.Н.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 8 октября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2008 г.

Теоретически анализируется возможность усиления электромагнитных волн терагерцового диапазона частот на оптических переходах между состояниями двумерного континуума и мелких доноров в сверхрешетках GaAs/AlGaAs с селективным delta-легированием квантовых ям. Механизм требуемой инверсной населенности состояний основывается на использовании эффекта гибридизации состояний соседних квантовых ям, связанных благодаря туннелированию электронов через барьер, в условиях вертикального транспорта. Показано, что при плотности легирования 5· 1010 см-2 на каскад коэффициент усиления может достигать 50 см-1 на длинах волн 100-120 мкм. Плотность тока в рабочем режиме составляет ~ 50 А/см2. PACS: 42.55.Px, 73.21.Cd, 73.21.Fg, 78.67.De