Вышедшие номера
Латеральное упорядочение нановискеров GaAs на поверхностях GaAs(111)B и GaAs(110) при молекулярно-пучковой эпитаксии
Цырлин Г.Э., Сибирев Н.В.1, Sartel С.2, Harmand J.-C.2
1Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2LPN CNRS, Marcoussis, France
Поступила в редакцию: 24 октября 2007 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.

Рассмотрены возможности получения латерально-упорядоченных массивов нановискеров GaAs на поверхностях GaAs(110) и GaAs(111)B непосредственно при молекулярно-пучковой эпитаксии. Как и в случае подложки GaAs(111)B, на поверхности GaAs(110) нановискеры образуются в гексагональной фазе, что подтверждается и картинами дифракции быстрых электронов на отражение, снятыми при росте нановискеров, и спектрами фотолюминесценции. PACS: 68.70, 61.46.-w, 61.46.Hk