Мездрогина М.М.1, Криволапчук В.В.1, Феоктистов Н.А.1, Даниловский Э.Ю.2, Кузьмин Р.В.2, Разумов С.В.3, Кукушкин С.А.1, Осипов А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.
Интенсивность излучения гетероструктур на основе n-ZnO/p-GaN<Er+Zn>, n-ZnO/AlGaN<Er+Zn> по сравнению с интенсивностью отдельных слоев n-ZnO, p-GaN<Er+Zn>, AlGaN<Er+Zn> увеличивается более чем на порядок. По всей вероятности, причиной того является эффективная туннельная рекомбинация носителей, обусловленная уменьшением концентрации центров безызлучательной рекомбинации межфазных поверхностных состояний между слоями n-ZnO/p-GaN<Er+Zn> и n-ZnO/AlGaN<Er+Zn>. PACS: 78.55.Cr, 78.67.Pt
- G. Hu, H. Gong, E.F. Chor. Appl. Phys. Lett., 89 (25), 1 102 (2006)
- L.L. Chen, Z.Z. Ye, J.G. Lu, P. Chu. 89 (25), 2 113 (2006)
- C.D. Ahn, H.S. Kang, J.H. Kim, G.H. Kim, S.Y. Lee. J. Appl. Phys., 100 (9), 3 701 (2006)
- K.A. Bulashevich, I.Yu. Evstratov, V.N. Nabokov, S.Yu. Karpov. Appl. Phys. Lett., 87 (3), 502 (2005)
- В.В. Криволапчук, Ю.В. Кожанова, В.В. Лундин, М.М. Мездрогина, С.Н. Родин, Ш.А. Юсупова. ФТП, 38 (11), 1308 (2004)
- В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, А.В. Насонов, С.Н. Родин. ФТП, 45 (9), 1556 (2003)
- М.М. Мездрогина, В.В. Криволапчук, В.Н. Петров, С.Н. Родин, А.В. Черенков. ФТП, 40 (12), 1412 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
