Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Спектры фотолюминесценции гетероструктур n-ZnO/ p-GaN<Er+Zn> и p-AlGaN<Er+Zn>

Мездрогина М.М.¹, Криволапчук В.В.¹, Феоктистов Н.А.¹, Даниловский Э.Ю.², Кузьмин Р.В.², Разумов С.В.³, Кукушкин С.А.¹, Осипов А.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 17 сентября 2007 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Интенсивность излучения гетероструктур на основе n-ZnO/p-GaN<Er+Zn>, n-ZnO/AlGaN<Er+Zn> по сравнению с интенсивностью отдельных слоев n-ZnO, p-GaN<Er+Zn>, AlGaN<Er+Zn> увеличивается более чем на порядок. По всей вероятности, причиной того является эффективная туннельная рекомбинация носителей, обусловленная уменьшением концентрации центров безызлучательной рекомбинации межфазных поверхностных состояний между слоями n-ZnO/p-GaN<Er+Zn> и n-ZnO/AlGaN<Er+Zn>. PACS: 78.55.Cr, 78.67.Pt

G. Hu, H. Gong, E.F. Chor. Appl. Phys. Lett., 89 (25), 1 102 (2006)
L.L. Chen, Z.Z. Ye, J.G. Lu, P. Chu. 89 (25), 2 113 (2006)
C.D. Ahn, H.S. Kang, J.H. Kim, G.H. Kim, S.Y. Lee. J. Appl. Phys., 100 (9), 3 701 (2006)
K.A. Bulashevich, I.Yu. Evstratov, V.N. Nabokov, S.Yu. Karpov. Appl. Phys. Lett., 87 (3), 502 (2005)
В.В. Криволапчук, Ю.В. Кожанова, В.В. Лундин, М.М. Мездрогина, С.Н. Родин, Ш.А. Юсупова. ФТП, 38 (11), 1308 (2004)
В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, А.В. Насонов, С.Н. Родин. ФТП, 45 (9), 1556 (2003)
М.М. Мездрогина, В.В. Криволапчук, В.Н. Петров, С.Н. Родин, А.В. Черенков. ФТП, 40 (12), 1412 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель