Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2008, выпуск 7 » Статья стр. 823
<<<>>>
Методы управления длиной волны излучения в гетероструктурах InAs/GaAsN/InGaAsN на подложках GaAs
Мамутин В.В.1, Егоров А.Ю.2, Крыжановская Н.В.2, Михрин В.С.1, Надточий А.М.1, Пирогов Е.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 ноября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.
PDF версия
Проведен обзор исследований свойств соединения InGaAsN и методов управления длиной волны излучения в гетероструктурах InAs/GaAsN/InGaAsN, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией на подложках GaAs. Представлены результаты исследований различных типов гетероструктур с квантово-размерными слоями InGaAsN: 1) традиционные квантовые ямы InGaAsN в матрице GaAs, 2) квантовые точки InAs, помещенные в слой (In)GaAsN, 3) напряженно-компенсированные сверхрешетки InAs/GaAsN/InGaAsN с квантовыми ямами и квантовыми точками. Примененные методы позволяют управляемо изменять длину волны излучения в телекоммуникационном диапазоне от 1.3 до 1.76 мкм при комнатной температуре. PACS: 42.55.Px, 73.21.Cd, 73.21.Fg, 73.21.La, 73.40.Kp, 78.55.-m, 78.67.Pt
  1. M. Weyers, M. Sato. Jpn. J. Appl. Phys., 31, L853 (1992)
  2. B.V. Volovik, A.R. Kovsh, W. Passenberg, H. Kuenzel, N. Grote, N.A. Cherkashin, Yu.G. Musikhin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, V.M. Ustinov. Semicond. Sci. Technol. 16, 186 (2001)
  3. В.А. Одноблюдов, А.Ю. Егоров, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, В.В. Мамутин, А.Ф. Цацульников, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 28, 82 (2002)
  4. I.A. Buyanova, W.M. Chen, B. Monemar. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 6, 2 (2001)
  5. S. Sakai, Y. Ueta, Y. Terauchi. Jpn. J. Appl. Phys., 32, 4413 (1993)
  6. W. Shan, W. Walukiewicz, K.M. Yu, J.W. Ager III, E.E. Haller, J.F. Geisz, D.J. Friedman, J.M. Olson, S.R. Kurz, X.P. Xin, C.W. Tu. Phys. Rev. Lett., 82, 1221 (1999)
  7. M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991)
  8. A.Yu. Egorov, V.A. Odnobludov, V.V. Mamutin, A.E. Zhukov, A.F. Tsatsul'nikov, N.V. Kryzhanovskaya, V.M. Ustinov, Y.G. Hong, C.W. Tu. J. Cryst. Growth, 251, 417 (2003)
  9. M.H. Ya, W.Z. Cheng, Y.F. Chen, T.Y. Lin. Appl. Phys. Lett., 81, 3386 (2002)
  10. A. Lindsay, E.P. O'Reilly. Sol. St. Commum., 112, 443 (1999)
  11. A.Yu. Egorov, V.K. Kalevich, M.M. Afanasiev, A.Yu. Shiryaev, V.M. Ustinov, M. Ikezawa, Y. Masumoto. J. Appl. Phys., 98, 013 539 (2005)
  12. S. Sakai, Y. Ueta, Y. Terauchi. Jpn. J. Appl. Phys., 32, 4413 (1993)
  13. L. Bellaiche, S.-H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B, 54, 17 568 (1996)
  14. K. Uesugi, N. Morooka, I. Suemune. J. Cryst. Growth, 201--202, 335 (1999)
  15. J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
  16. Y. Zhang, A. Mascarenhas, H.P. Xin, C.W. Tu. Phys. Rev. B, 61 (7), 4433 (2000)
  17. W. Li, M. Pessa, J. Likonen. Appl. Phys. Lett., 78, 2864 (2001)
  18. S.Z. Wang, S.F. Yoon, W.J. Fan, W.K. Loke, T.K. Ng, S.Z. Wang. J. Appl. Phys., 96, 2010 (2004)
  19. I.A. Buyanova, W.M. Chen, G. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar, H.P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 75, 501 (1999)
  20. M. Queslaty, M. Zouaghi, M.E. Pistol, L. Samuelson, H.G. Grimmeiss, M. Balkanski. Phys. Rev. B, 55, 8220 (1997)
  21. H.P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 72, 2442 (1998)
  22. T. Miyamoto, K. Takeuchi, T. Kageyama, F. Koyama, K. Iga. J. Cryst. Growth, 197, 67 (1999)
  23. M. Hetterich, M.D. Dawson, A.Yu. Egorov, D. Bernklau, H. Riechert. Appl. Phys. Lett., 76, 1030 (2000)
  24. K. Hantke, J.D. Heber, C. Schlichenmaier, A. Thranhardt, T. Meier, B Kunert, K. Volz, W. Stolz, S.W. Koch, W.W. Ruhle. Phys. Rev. B, 71, 165 320 (2005)
  25. R. Kudrawiec. J. Appl. Phys., 101, 023 522 (2007)
  26. R. Kudrawiec, S.R. Bank, H.B. Yuen, H. Bae, M.A. Wistey, L.L. Goddard, J.S. Harris. Appl. Phys. Lett., 90, 131 905 (2007)
  27. M. Kawagushi, E. Gouardes, D. Schlenker, T. Kondo, T. Miyamoto, F. Koyama, K. Iga. Electron. Lett., 36, 1776 (2000)
  28. B. Borchert, A.Yu. Egorov, S. Illek, H. Riechert. IEEE Phot. Techn. Lett., 12, 597 (2000)
  29. M. Kawagushi, T. Miyamoto, E. Gouardes, D. Schlenker, T. Kondo, F. Koyama, K. Iga. Jpn. J. Appl. Phys., 40, L744 (2001)
  30. T. Takeuchi, Y.-L. Chang, M. Leary, A. Tandon, H.-C. Luan, D.P. Bour, S.W. Corzine, R. Twist, M.R. Tan. IEEE LEOS, post deadline session, 2001
  31. D.A. Livshits, A.Yu. Egorov, H. Riechert. Electron. Lett., 36, 1381 (2000)
  32. K.-S. Kim, S.-J. Lim, K.-H. Kim, J.-R. Yoo, T. Kim, Y.-J. Park. IEEE Phot. Techn. Lett., 16, 1994 (2004)
  33. J. Wei, F. Xia, C. Li, S.R. Forrest. IEEE Phot. Techn. Lett., 14, 597 (2002)
  34. J.-Y. Yeh, N. Tansu, L.J. Mawst. Electron. Lett., 40, 739 (2004)
  35. R. Averbeck, G. Jaschke, L. Geelhaar, H. Riechert. IEEE Sem. Laser Conf. (Sept. 21-25, 2004) Conference Digest, p. 69 (2004)
  36. D. Gollub, S. Moses, A. Forchel. Electron. Lett., 40, 1181 (2004)
  37. T. Kitatani, K. Nakahara, M. Kondow, K. Uomi, T. Tanaka. Jpn. J. Appl. Phys., 39 L86 (2000)
  38. K. Mukai, N. Ohtsuka, M. Sugawara, S. Yamazaki. Jpn. J. Appl. Phys., 33, L1710 (1994)
  39. A.R. Kovsh, J.S. Wang, L. Wei, R.S. Shiao, J.Y. Chi, B.V. Volovik, A.F. Tsatsulnikov, V.M. Ustinov, J. Vac. Sci. Technol. B, 20, 1158 (2002)
  40. И.П. Сошников, Н.В. Крыжановская, Н.Н. Леденцов, А.Ю. Егоров, В.В. Мамутин, В.А. Одноблюдов, В.М. Устинов, О.М. Горбенко, H. Kirmse, W. Neumann, D. Bimberg. ФТП. 38, 354 (2004)
  41. В.А. Одноблюдов, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, В.В. Мамутин, Е.В. Никитина, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 29, 77 (2003)
  42. В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, В.А. Одноблюдов, В.В. Мамутин, Д.А. Лившиц, Н.В. Крыжановская, Е.С. Семенова, Е.В. Никитина, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов. Изв. АН. Сер. физ., 68, 15 (2004)
  43. В.А. Одноблюдов, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, В.В. Мамутин, Е.В. Никитина, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, В.М. Устинов. Письма ЖФТ, 29 (10), 77 (2003)
  44. H.Y. Liu, M. Hopkinson, P. Navaretti, M. Gutiereez, J.S. Ng, P.R. David. Appl. Phys. Lett., 83, 4951 (2003)
  45. А.Ю. Егоров, В.В. Мамутин, В.М. Устинов. Патент РФ N 225760 (Заявка N 2004113171, приоритет от 28.04.2004)
  46. A. Livshits, A.Yu. Egorov, H. Riechert. Electron. Lett., 36, 1381 (2000)
  47. В.С. Михрин, Е.С. Семенова, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, Ю.Г. Мусихин, А.П. Васильев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, В.М. Устинов. ФТП, 40, 347 (2006)
  48. N.V. Kryzhanovskaya, A.Yu. Egorov, V.V. Mamutin, N.K. Polyakov, A.F. Tsatsul'nikov, Yu.G. Musikhin, A.R. Kovsh, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, D. Bimberg. Semicond. Sc. Technol., 20, 961 (2005)
  49. В.В. Мамутин, О.В. Бондаренко, А.П. Васильев, А.Г. Гладышев, А.Ю. Егоров, Н.В. Крыжановская, В.С. Михрин, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 33, 53 (2007)
  50. M. Mitsuhara, M. Ogasavara, H. Sugiura. J. Cryst. Growth., 210, 463 (2000).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme