Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Методы управления длиной волны излучения в гетероструктурах InAs/GaAsN/InGaAsN на подложках GaAs
Мамутин В.В.1, Егоров А.Ю.2, Крыжановская Н.В.2, Михрин В.С.1, Надточий А.М.1, Пирогов Е.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 ноября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.
Проведен обзор исследований свойств соединения InGaAsN и методов управления длиной волны излучения в гетероструктурах InAs/GaAsN/InGaAsN, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией на подложках GaAs. Представлены результаты исследований различных типов гетероструктур с квантово-размерными слоями InGaAsN: 1) традиционные квантовые ямы InGaAsN в матрице GaAs, 2) квантовые точки InAs, помещенные в слой (In)GaAsN, 3) напряженно-компенсированные сверхрешетки InAs/GaAsN/InGaAsN с квантовыми ямами и квантовыми точками. Примененные методы позволяют управляемо изменять длину волны излучения в телекоммуникационном диапазоне от 1.3 до 1.76 мкм при комнатной температуре. PACS: 42.55.Px, 73.21.Cd, 73.21.Fg, 73.21.La, 73.40.Kp, 78.55.-m, 78.67.Pt
- M. Weyers, M. Sato. Jpn. J. Appl. Phys., 31, L853 (1992)
- B.V. Volovik, A.R. Kovsh, W. Passenberg, H. Kuenzel, N. Grote, N.A. Cherkashin, Yu.G. Musikhin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, V.M. Ustinov. Semicond. Sci. Technol. 16, 186 (2001)
- В.А. Одноблюдов, А.Ю. Егоров, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, В.В. Мамутин, А.Ф. Цацульников, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 28, 82 (2002)
- I.A. Buyanova, W.M. Chen, B. Monemar. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 6, 2 (2001)
- S. Sakai, Y. Ueta, Y. Terauchi. Jpn. J. Appl. Phys., 32, 4413 (1993)
- W. Shan, W. Walukiewicz, K.M. Yu, J.W. Ager III, E.E. Haller, J.F. Geisz, D.J. Friedman, J.M. Olson, S.R. Kurz, X.P. Xin, C.W. Tu. Phys. Rev. Lett., 82, 1221 (1999)
- M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991)
- A.Yu. Egorov, V.A. Odnobludov, V.V. Mamutin, A.E. Zhukov, A.F. Tsatsul'nikov, N.V. Kryzhanovskaya, V.M. Ustinov, Y.G. Hong, C.W. Tu. J. Cryst. Growth, 251, 417 (2003)
- M.H. Ya, W.Z. Cheng, Y.F. Chen, T.Y. Lin. Appl. Phys. Lett., 81, 3386 (2002)
- A. Lindsay, E.P. O'Reilly. Sol. St. Commum., 112, 443 (1999)
- A.Yu. Egorov, V.K. Kalevich, M.M. Afanasiev, A.Yu. Shiryaev, V.M. Ustinov, M. Ikezawa, Y. Masumoto. J. Appl. Phys., 98, 013 539 (2005)
- S. Sakai, Y. Ueta, Y. Terauchi. Jpn. J. Appl. Phys., 32, 4413 (1993)
- L. Bellaiche, S.-H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B, 54, 17 568 (1996)
- K. Uesugi, N. Morooka, I. Suemune. J. Cryst. Growth, 201--202, 335 (1999)
- J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
- Y. Zhang, A. Mascarenhas, H.P. Xin, C.W. Tu. Phys. Rev. B, 61 (7), 4433 (2000)
- W. Li, M. Pessa, J. Likonen. Appl. Phys. Lett., 78, 2864 (2001)
- S.Z. Wang, S.F. Yoon, W.J. Fan, W.K. Loke, T.K. Ng, S.Z. Wang. J. Appl. Phys., 96, 2010 (2004)
- I.A. Buyanova, W.M. Chen, G. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar, H.P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 75, 501 (1999)
- M. Queslaty, M. Zouaghi, M.E. Pistol, L. Samuelson, H.G. Grimmeiss, M. Balkanski. Phys. Rev. B, 55, 8220 (1997)
- H.P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 72, 2442 (1998)
- T. Miyamoto, K. Takeuchi, T. Kageyama, F. Koyama, K. Iga. J. Cryst. Growth, 197, 67 (1999)
- M. Hetterich, M.D. Dawson, A.Yu. Egorov, D. Bernklau, H. Riechert. Appl. Phys. Lett., 76, 1030 (2000)
- K. Hantke, J.D. Heber, C. Schlichenmaier, A. Thranhardt, T. Meier, B Kunert, K. Volz, W. Stolz, S.W. Koch, W.W. Ruhle. Phys. Rev. B, 71, 165 320 (2005)
- R. Kudrawiec. J. Appl. Phys., 101, 023 522 (2007)
- R. Kudrawiec, S.R. Bank, H.B. Yuen, H. Bae, M.A. Wistey, L.L. Goddard, J.S. Harris. Appl. Phys. Lett., 90, 131 905 (2007)
- M. Kawagushi, E. Gouardes, D. Schlenker, T. Kondo, T. Miyamoto, F. Koyama, K. Iga. Electron. Lett., 36, 1776 (2000)
- B. Borchert, A.Yu. Egorov, S. Illek, H. Riechert. IEEE Phot. Techn. Lett., 12, 597 (2000)
- M. Kawagushi, T. Miyamoto, E. Gouardes, D. Schlenker, T. Kondo, F. Koyama, K. Iga. Jpn. J. Appl. Phys., 40, L744 (2001)
- T. Takeuchi, Y.-L. Chang, M. Leary, A. Tandon, H.-C. Luan, D.P. Bour, S.W. Corzine, R. Twist, M.R. Tan. IEEE LEOS, post deadline session, 2001
- D.A. Livshits, A.Yu. Egorov, H. Riechert. Electron. Lett., 36, 1381 (2000)
- K.-S. Kim, S.-J. Lim, K.-H. Kim, J.-R. Yoo, T. Kim, Y.-J. Park. IEEE Phot. Techn. Lett., 16, 1994 (2004)
- J. Wei, F. Xia, C. Li, S.R. Forrest. IEEE Phot. Techn. Lett., 14, 597 (2002)
- J.-Y. Yeh, N. Tansu, L.J. Mawst. Electron. Lett., 40, 739 (2004)
- R. Averbeck, G. Jaschke, L. Geelhaar, H. Riechert. IEEE Sem. Laser Conf. (Sept. 21-25, 2004) Conference Digest, p. 69 (2004)
- D. Gollub, S. Moses, A. Forchel. Electron. Lett., 40, 1181 (2004)
- T. Kitatani, K. Nakahara, M. Kondow, K. Uomi, T. Tanaka. Jpn. J. Appl. Phys., 39 L86 (2000)
- K. Mukai, N. Ohtsuka, M. Sugawara, S. Yamazaki. Jpn. J. Appl. Phys., 33, L1710 (1994)
- A.R. Kovsh, J.S. Wang, L. Wei, R.S. Shiao, J.Y. Chi, B.V. Volovik, A.F. Tsatsulnikov, V.M. Ustinov, J. Vac. Sci. Technol. B, 20, 1158 (2002)
- И.П. Сошников, Н.В. Крыжановская, Н.Н. Леденцов, А.Ю. Егоров, В.В. Мамутин, В.А. Одноблюдов, В.М. Устинов, О.М. Горбенко, H. Kirmse, W. Neumann, D. Bimberg. ФТП. 38, 354 (2004)
- В.А. Одноблюдов, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, В.В. Мамутин, Е.В. Никитина, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 29, 77 (2003)
- В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, В.А. Одноблюдов, В.В. Мамутин, Д.А. Лившиц, Н.В. Крыжановская, Е.С. Семенова, Е.В. Никитина, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов. Изв. АН. Сер. физ., 68, 15 (2004)
- В.А. Одноблюдов, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, В.В. Мамутин, Е.В. Никитина, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, В.М. Устинов. Письма ЖФТ, 29 (10), 77 (2003)
- H.Y. Liu, M. Hopkinson, P. Navaretti, M. Gutiereez, J.S. Ng, P.R. David. Appl. Phys. Lett., 83, 4951 (2003)
- А.Ю. Егоров, В.В. Мамутин, В.М. Устинов. Патент РФ N 225760 (Заявка N 2004113171, приоритет от 28.04.2004)
- A. Livshits, A.Yu. Egorov, H. Riechert. Electron. Lett., 36, 1381 (2000)
- В.С. Михрин, Е.С. Семенова, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, Ю.Г. Мусихин, А.П. Васильев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, В.М. Устинов. ФТП, 40, 347 (2006)
- N.V. Kryzhanovskaya, A.Yu. Egorov, V.V. Mamutin, N.K. Polyakov, A.F. Tsatsul'nikov, Yu.G. Musikhin, A.R. Kovsh, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, D. Bimberg. Semicond. Sc. Technol., 20, 961 (2005)
- В.В. Мамутин, О.В. Бондаренко, А.П. Васильев, А.Г. Гладышев, А.Ю. Егоров, Н.В. Крыжановская, В.С. Михрин, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 33, 53 (2007)
- M. Mitsuhara, M. Ogasavara, H. Sugiura. J. Cryst. Growth., 210, 463 (2000).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
