Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Обменное усиление g-фактора в гетероструктурах InAs/AlSb

Алешкин В.Я.¹, Гавриленко В.И.¹, Иконников А.В.¹, Криштопенко С.С.¹, Садофьев Ю.Г.¹, Спирин К.Е.¹

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 19 ноября 2007 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовалась эволюция осцилляций Шубникова-де Гааза в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом в квантовых ямах InAs шириной 12-18 нм при значительном изменении концентрации электронов, (3-8)· 10¹¹ см^-2, за счет эффекта отрицательной остаточной фотопроводимости. Определены значения эффективного фактора Ланде электронов g^*=-(15-35). Показано, что величина g^*-фактора возрастает с шириной квантовой ямы. PACS: 72.25.Dc, 73.21.Fg, 73.43.-f, 73.63.Hs

F.F. Fang, P.J. Stiles. Phys. Rev., 174, 823 (1968)
T. Ando, Y. Uemura. J. Phys. Soc. Japan, 37, 1044 (1974)
S. Datta, B. Das. Appl. Phys. Lett., 56, 665 (1990)
O.E. Raichev, P. Debray. Phys. Rev. B, 65, 085 319 (2002)
P.R. Hammer, M. Johnson. Phys. Rev. Lett., 88, 066 806 (2002)
Yu.G. Sadofyev, A. Ramamoorthy, B. Naser, J.P. Bird, S.R. Jonson, Y.-H. Zhang. Appl. Phys. Lett., 81, 1833 (2002)
V.N. Zverev, M. Muhammad, S. Rahman, P. Debray, M. Saglam, J. Sigmund, H.L. Hartnage. J. Appl. Phys., 96 (11), 6353 (2004)
S. Brosig, K. Ensslin, A.G. Jansen, C. Nguyen, B. Brar, M. Thomas, H. Kroemer. Phys. Rev. B, 61, 13 045 (2000)
W. Zawadzki, R. Lassing. Surf. Sci., 142, 225 (1984)
A. Raymond, J.L. Robert, C. Bousquet, W. Zawadzki, F. Alexandre, I.M. Masson. Sol. St. Commun., 55, 271 (1985)
E.O. Kane. J. Phys. Chem. Sol., 1, 249 (1957)
H.R. Trebin, U. Rossler, R. Ranvaud. Phys. Rev. B, 20, 686 (1979)
R. Winkler. Surf. Sci., 361/362, 411 (1996)
Z.W. Zheng, B. Shen, Y.S. Gui, Z.J. Qiu, C.P. Jiang, N. Tang, J. Liu, D.J. Chen, H.M. Zhou, R. Zhang, Y. Shi, Y.D. Zheng, S.L. Guo, J.H. Chu, K. Hoshino, Y. Arakawa. J. Appl. Phys., 95 (5), 2473 (2004)
Е.Л. Ивченко, А.А. Киселев. ФТП, 26, 1471 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель