Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фазообразование и фазовые превращения в нанотолщинных пленках системы Bi--1ptTe

Ахмедов Г.М.¹

¹Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан Institute of Physics, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

Institute of Physics, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

Поступила в редакцию: 6 ноября 2007 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Кинематической электронографией исследованы процессы фазообразования в бинарной системе Bi-1ptTe. Установлено, что при одновременном и послойном осаждении висмута и серы, независимо от порядка их напыления, на плоскости конденсации образуются фазы составов Bi₂Te₃ и BiTe в аморфном и кристаллическом состояниях соответственно. Аморфная фаза Bi₂Te₃ устойчива при комнатной температуре и кристаллизуется при температуре 423 K. Показано, что упорядочение фазы BiTe не является следствием атомной упорядоченности структуры, а обусловлено реальной структурой объекта - блочностью. PACS: 73.61.Jc, 71.23.Cq

Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина. ЖНХ, 3, 659 (1958)
A. Broun, B. Lewis. J. Phys. Chem. Sol., 32, 1597 (1962)
М. Хажен, К. Андерко. Структура двойных сплавов (М., Металлургиздат, 1962) т. 2
В.Т. Кузнецов, К.К. Палкина. ЖНХ, 8, 1204 (1963)
A. Glatz. J. Electrochem. Soc., 112, 1201 (1965)
C. Champness, L. Klipling. Canad. J. Phys., 44, 769 (1966)
Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi₂Te₃ (М., Наука, 1972)
Д.М. Гельфгат, З.М. Дашевский, Н.В. Коломиец. В сб.: Термоэлектрические материалы и пленки (Л., 1976) с. 240
T. Harman. J. Phys. Chem. Sol., 2, 181 (1957)
H. Tamura. Jpn. J. Appl. Phys., 5, 593 (1966)
Ю.А. Боносвский, А.Г. Дудоладов, В.П. Козленков. Письма ЖЭТФ, 20 (5), 304 (1974)
Д.И. Исмаилов, Г.М. Ахмедов, Р.Б. Шафизаде. Электронографическое исследование бинарных пленок Bi--1ptTe. Докл. АН АзССР, 45 (4), 6 (1989)
Г.А. Эфендиев, Р.Б. Шафизаде. ПТЭ, N 1, 142 (1963)
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ, Справочник под ред. А.В. Новоселевой, В.Б. Лазарева (М., Наука, 1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель