Исследовано действие облучения ионами He⁺, F⁺ и P⁺ разных энергий на фотолюминесценцию и структуру нанокристаллов Si. Установлено, что при малых интенсивностях торможения ионов гашение фотолюминесценции обеспечивается единичными атомными смещениями. Однако с ростом интенсивности гашение сопровождается увеличением ядерных потерь. Считается, что в разреженных каскадах смещений подвижные дефекты преимущественно стекают к поверхности, где образуют центры безызлучательной рекомбинации. В плотных же каскадах они частично формируют стабильные структурные нарушения внутри нанокристаллов. Для аморфизации нанокристаллов Si при 20^oC достаточно накопить ~0.06 dpa, причем зависимости от интенсивности торможения ионов здесь не обнаружено. Отмечена малая вероятность аннигиляции вакансий и междоузлий внутри нанокристаллов Si, объясняемая наличием энергетического барьера. PACS: 61.46.Hk, 61.80.Jh, 61.72.Tt, 78.55Ap, 81.40.Wx

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.