В сильно вырожденных полупроводниках вследствие сильной зависимости времени релаксации от энергии при резонансном рассеянии носителей число Лоренца L и фактор Холла A_R существенно отличаются от универсальных постоянных pi²/3 и 1 соответственно. Величины L и A_R вычисляются при различных значениях ширины резонансной примесной полосы, заполнения полосы носителями тока и относительного вклада резонансного рассеяния. Обсуждаются имеющиеся в литературе данные о ширине полосы примесных состояний таллия в теллуриде свинца, где наблюдалось сильное резонансное рассеяние дырок. Ранее полученные данные об энергии резонансных состояний Tl в PbTe корректируются с учетом вычисленного фактора Холла. Анализ экспериментальных данных по зависимости теплопроводности PbTe : Tl от температуры и содержания дополнительной примеси Na, во-первых, показывает, что рассеяние фононов на областях поляризации вокруг заряженных примесных атомов пренебрежимо мало, во-вторых, подтверждает результаты теоретических расчетов числа Лоренца при доминирующем резонансном рассеянии дырок. PACS: 71.20.Nr, 72.10.Fk, 72.15.Jf

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.