Вышедшие номера
Проявление в функции Гоффмана особенностей генерационно-рекомбинационных свойств бистабильных дефектов в полупроводниках
Никитина А.Г.1, Зуев В.В.1
1Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 20 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.

Теоретически исследованы особенности температурной зависимости концентрации свободных основных носителей в полупроводниках при температурной разрядке бистабильных центров различной электрической активности: двухуровневых акцепторов, двухуровневых доноров, амфотерных центров. Прослежено влияние на разрядку уровня компенсации и отношения величин энергий связи одного и двух электронов на центре. Результаты выражены через особенности поведения функции Гоффмана. PACS: 61.72.Bb, 61.80.Az, 61.72.Ji, 71.55.-i