Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние уровня возбуждения на оптические свойства микродиска GaAs-AlGaO с активной областью на основе квантовых точек InAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Берлинский технический университет, Берлин, Германия
2Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Берлинский технический университет, Берлин, Германия
Поступила в редакцию: 21 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.
Методом спектроскопии микрофотолюминесценции исследовано влияние уровня оптического возбуждения на интенсивность и ширину линий мод шепчущей галереи в микродисках с асимметричным волноводом воздух/GaAs/AlGaO и активной областью на основе квантовых точек InAs. При высоких уровнях накачки обнаружены перегрев активной области, приводящий к длинноволновому сдвигу спектра усиления, а также изменение формы спектра за счет насыщения основного и возбужденных состояний и влияния многочастичного взаимодействия. Вследствие данных эффектов спектральное положение мод шепчущей галереи относительно максимумов спектра усиления определяет характер зависимости их интенсивности и ширины линии от плотности мощности оптической накачки, который может сильно различаться для разных мод. Длинноволновый сдвиг линий мод шепчущей галереи, вызванный перегревом активной области, частично компенсируется коротковолновым сдвигом, обусловленным влиянием концентрации свободных носителей на эффективный коэффициент преломления волновода. PACS: 42.60.Da, 78.40.Fy, 78.67.Hc, 85.35.Be
- S.L. McCall, A.F. Levi, R.E. Slusher, S.J. Pearton, R.A. Logan. Appl. Phys. Lett., 60, 289 (1992)
- P. Michler, A. Kiraz, C. Becher, W.V. Schoenfeld, P.M. Petroff, L. Zhang, E. Hu, A. Imamoglu. Science, 290, 2282 (2000)
- D. Bimberg, M. Crundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostuctures (Wiley, London, 1999)
- S.M.K. Thiyagarajan, D.A. Cohen, A.F.J. Levi, S. Ryu, R. Li, P.D. Dapkus. Electron. Lett., 35, 1252 (1999)
- S.V. Nair, Y. Masumoto. Phys. Status Solidi A, 178, 303 (2000)
- R. Heitz, F. Guffarth, I. Mukhametzhanov, M. Grundmann, A. Madhukar, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 62, 16 881 (2000)
- M. Afromovitz. J. Appl. Phys., 44 (3), 1292 (1973)
- R.E. Slusher, A.F.J. Levi, U. Mohideen, S.L. McCall, S.J. Pearton, R.A. Logan. Appl. Phys. Lett., 63, 1310 (1993)
- J. Buus. IEEE J. Quant. Electron., 20, 1106 (1984)
- A.I. Rahachou, I.V. Zozoulenko. J. Appl. Phys., 94, 7929 (2003)
- B. Gayral, J.M. Garard, A. Lemaitre, C. Duppuis, L. Manin, J.L. Pelouard. Appl. Phys. Lett., 75, 1908 (1999)
- V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Y. Egorov, N.A. Maleev. Quantum dot lasers (Oxford University Press, 2003)
- Л.В. Асрян, Р.П. Сурис. ФТП, 38 (1), 3 (2004)
- B.R. Bennett, R.A. Soref, J.A. Del Alamo. IEEE J. Quant. Electron., 26 (1), 113 (1990)
- C.H. Henry, R.A. Logan, K.A. Bertness. J. Appl. Phys., 52 (7), 4457 (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
