Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Образование омических контактов к низкоомному Cd_1-xMg_xTe для фотовольтаических применений

Парфенюк О.А.¹, Илащук М.И.¹, Ульяницкий К.С.¹

¹Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина Fed’kovich Chernovtsy National University, Chernovtsy, Ukraine

Поступила в редакцию: 19 декабря 2007 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы электрофизические свойства твердых растворов Cd_1-xMg_xTe разного состава (0.1=< x=<0.3). Установлено, что при x=0.1 образуется низкоомный материал p-типа проводимости, близкий по своим параметрам к нелегированному CdTe. Особенностью кристаллов Cd_0.9Mg_0.1Te является то, что при осаждении на их поверхность меди из насыщенного раствора CuSO₄ образуется омический контакт, характеристики которого не ухудшаются в широком температурном интервале (80-300 K). Исследование световых и темновых характеристик структур Cu/p-Cd_0.9Mg_0.1Te/n-Cd_0.9Mg_0.1Te/In показало их перспективность в качестве фотопреобразователей солнечного света. PACS: 72.80.Ey, 73.40.Cg, 73.40.Lq, 81.05.Dz, 85.40.Ls

K.R. Zanio. Cadmium telluride. Semiconductors and semimetals (N. Y.,--San Francisko--London, Acad. Press, 1976) v. 13
С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1973) ч. III, гл. 8, с. 298
J.P. Pompon. Sol. St. Electron., 28 (7), 689 (1985)
В.С. Фоменко. Эмиссионные свойства материалов. Справочник (Киев, Наук. думка, 1970) гл. 24, с. 444
M.K. Rabinal, J. Lyubomirsky, E. Pekarskaya, V. Lyakhovitskaya, David Cahen. J. Electron. Mater., 26, 893 (1997)
E. Janik, R. Triboulet. J. Phys. D: Appl. Phys., 16, 2333 (1983)
В.П. Заячкивский, М.А. Ковалец, Н.И. Кучма, Н.И. Процюк, И.А. Плысюк. Приборы и техника эксперимента, N 5, 211 (1984)
А.П. Ахоян, Н.И. Витриховский, Г. Гарягдыев, И.Я. Городецкий, Н.Е. Корсунская, О. Нурягдыев. УФЖ, 30, 1412 (1985)
В.В. Слынько, Е.С. Никонюк, В.В. Матлак. Приборы и техника эксперимента, N 3, 203 (1968)
U. Masasi. J. Phys. Soc. Jap., 26, 1186 (1969)
D. Grecu, A.D. Compaan, D. Young, U. Jayamada, D.H. Rose. J. Appl. Phys., 88 (5), 2490 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель