Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние электрического поля при получении пленок a-SiOx : H<Er,O> методом магнетронного распыления на постоянном токе на их состав и интенсивность фотолюминесценции ионов эрбия
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
2Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
Поступила в редакцию: 23 января 2008 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2008 г.
Исследовано влияние электрического поля на элементный состав и фотолюминесценцию пленок аморфного гидрогенизированного кремния, легированного эрбием и кислородом (a-SiOx : H<Er,O>), при получении их методом магнетронного распыления на постоянном токе. Изучались две серии пленок в зависимости от напряженности электрического поля магнетрона, от площади металлической эрбиевой мишени и от содержания кислорода в рабочей камере. Первая серия пленок была получена при электрически изолированном подложкодержателе, вторая - при положительном потенциале на подложкодержателе относительно катода. Показано, что, хотя характер изменения элементного состава и интенсивность фотолюминесценции ионов эрбия Er3+ в пленках двух серий значительно различаются, в обоих случаях они, в итоге, определяются процессами распыление-окисление Si- и Er-мишений, являющихся катодом. PACS: 78.55.Qr, 81.05.Gc, 81.15.Jj
- Ю.К. Ундалов, Е.И. Теруков, О.Б. Гусев, В.Х. Кудоярова. ФТП, 37, 853 (2003)
- Ю.К. Ундалов, Е.И. Теруков, О.Б. Гусев, В.Х. Кудоярова. ФТП, 39, 979 (2005)
- Л. Леб. Основные процессы электрических разрядов в газах (М.-Л., Гос. изд-во технико-теорет. лит., 1950)
- Распыление под действием бомбардировки частицами: вып. 3, под ред. Р. Бериша, К. Виттмака (М., Мир, 1998). [Пер. с англ.: Sputtering by particle bombardment, pt. 3, ed. by R. Behrisch, K. Wittmaack (Springer-Verlag, Berlin, 1991)]
- G. Drevillon, J. Huc, A. Lloret, J. Perrin, G. de Rosny, J.P.M. Schmitt. Appl. Phys. Lett., 37, 646 (1980)
- F.J. Kammpas. In: Semiconductors and Semimetals, ed. by J.J. Pankov (N.Y., 1984) v. 21A, p. 153
- G.E. Gavrilov, A.G. Krivchitch, V.M. Lebedev. Nucl. Instr. Meth., A515, 108 (2003)
- В.Х. Кудоярова, А.Н. Кузнецов, Е.И. Теруков, О.Б. Гусев, Ю.А. Кудрявцев, Б.Я. Бер, Г.М. Гусинский, W. Fuhs, G. Weiser, H. Kuehne. ФТП, 32, 1384 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
