Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2008, выпуск 11 » Статья стр. 1371
<<<>>>
Измерение коэффициента поглощения света, распространяющегося латерально в светодиодных структурах с квантовыми ямами In0.2Ga0.8N/GaN
Леликов Ю.С.1, Бочкарева Н.И.1, Горбунов Р.И.1, Мартынов И.А.1, Ребане Ю.Т.1, Тархин Д.В.1, Шретер Ю.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2008 г.
PDF версия
Предложена методика измерения коэффициента поглощения света, распространяющегося параллельно поверхности светодиодного чипа на основе GaN на сапфировой подложке. Метод основан на микроскопическом изучении свечения одного торца чипа при освещении противоположного торца светодиодом. Коэффициент поглощения вычислялся из отношения интенсивностей свечения торцов сапфира и эпитаксиального слоя. Из измерений на чипах на основе структур p-GaN/In0.2Ga0.8N/n-GaN получено значение латерального коэффициента поглощения света (23± 3) см-1 на длине волны 465 нм. Анализируются возможные причины отличия полученного значения коэффициента поглощения от приводимых в литературе. PACS: 78.20.Ci, 78.60.Fi, 78.66.Fd, 85.60.Jb
  1. T. Fujii, Y. Gao, R. Sharma, E.L. Hu, S.P. DenBaars, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett., 84 (6), 855 (2004)
  2. O. Ambacher, W. Rieger, P. Ansmann, H. Angerer, T.D. Moustakas, M. Stutzmann. Sol. St. Commun., 97 (5), 365 (1996)
  3. А.Е. Ефремов, Д.В. Тархин, Н.И. Бочкарева, Р.И. Горбунов, Ю.Т. Ребане, Ю.Г. Шретер. ФТП, 40 (3), 380 (2006)
  4. J.F. Muth, J.H. Lee, I.K. Shmagin, R.M. Kolbas. Appl. Phys. Lett., 71 (18), 2572 (1997)
  5. H. Teisseyre, P. Perlin, T. Suski, I. Grzegory, S. Porowski, J. Jun. J. Appl. Phys., 76 (4), 2429 (1994)
  6. R. Dingle, D.D. Sell, S.E. Stokowski, M. Ilegems. Phys. Rev. B, 4 (4), 1211 (1971)
  7. A.C. Boccara, D. Fournier, J. Badoz. Appl. Phys. Lett., 36 (2), 130 (1979)
  8. W.B. Jackson, N.M. Amer, A.C. Boccara, D. Fournier. Appl. Optics, 20 (8), 1333 (1981)
  9. Z. Jiwei, Y. Xi, Z. Liangying. J. Phys. D: Appl. Phys., 33, 3013 (2000)
  10. Y.T. Rebane, N.I. Bochkareva, V.E. Bougrov, D.V. Tarkhin, Y.G. Shreter, E.A. Girnov. S.I. Stepanov, W.N. Wang, P.T. Chang, P.J. Wang. Proc. SPIE, 4996, 113 (2003)
  11. B.S. Pafel, Z.H. Zaidi. Meas. Sci. Technol., 10, 146 (1999)
  12. Kug-Seung Lee, Eun-Jeong Kang, Seong-Ju Park. J. Appl. Phys., 93 (11), 9383 (2003)
  13. S. Nakamura, M. Senon, N. Iwasa, S. Nagahama. Appl. Phys. Lett., 70 (11), 1417 (1997)
  14. H.Y. Fan, W.G. Spitzer, R.J. Collins. Phys. Rev., 101, 566 (1956)
  15. M. Toth, K. Fleisher, M.R. Phillips. Phys. Rev. B, 59 (3), 1575 (1999)
  16. S. Nakamura, G. Fasol. The Blue Laser Diode: GaN Based Light Emitters and Lasers (Springer, 1998) p. 343
  17. В.Ю. Давыдов, А.А. Клочихин. ФТП, 38 (8), 897 (2004)
  18. Н.И. Бочкарева, Д.В. Тархин, Ю.Т. Ребане, Р.И. Горбунов, Ю.С. Леликов, И.А. Мартынов, Ю.Г. Шретер. ФТП, 41 (1), 88 (2007)
  19. K.S. Ramaiah, Y.K. Su, S.J. Chang, C.H. Chen, F.S. Juang, H.P. Liu, I.G. Chen. Appl. Phys. Lett., 85 (3), 401 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme