Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование промежуточного слоя на гетерогранице n+-CdS/p-CdTe
1Физико-технический институт, Научно-производственное объединение "Физика солнца" Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, Нукус, Узбекистан
2Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, Нукус, Узбекистан
Поступила в редакцию: 13 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2008 г.
Исследовано формирование твердого раствора на гетерогранице n-CdS/p-CdTe в солнечных элементах в зависимости от технологического режима и последующего стимулирующего фактора - ультразвукового воздействия. Фазовый состав переходного слоя твердого раствора исследован с помощью неразрушающего фотоэлектрического метода, путем измерения спектрального распределения фоточувствительности в вентильном и фотодиодном режимах. Проведенные исследования показали, что фазовой состав и толщина слоя промежуточного твердого раствора CdTe1-xSx сильно зависят от технологического режима формирования гетероструктуры. PACS: 73.61.Ga, 73.40.Lq, 81.40.Tv
- Wu. Xuanzhi. J. Solar Energy, 77 (6), 803 (2004)
- N.B. Romeo, A. Bosio, V. Canevari, A.J. Podesta. J. Solar Energy, 77 (6), 795 (2004)
- M.K. Herndon, A. Gupta, V.I. Kaydanov, R.T. Collins. Appl. Phys. Lett., 75 (22), 3503 (1995)
- Ж. Жанабергенов, Ш.А. Мирсагатов, С.Ж. Каражанов. Неорг. матер., 41 (8), 915 (2005)
- A.S. Gilmore. PhD disertation. P. 136 (2002)
- R.A. Reynolds, M.J. Brau, H. Kraus et al. J. Phys. Chem. Sol. Suppl., 42, 511 (1971)
- Л.Д. Мизецкая, Н.Д. Буденная, Н.Д. Олейник. Физико-химические основы синтеза полупроводниковых монокристаллов. (Киев, Наук. думка, 1975) с. 30--40
- Ш.А. Мирсагатов, А.И. Султанов, С.А. Музафарова. Гелиотехника, N 2, 8 (1986)
- Лабораторные оптические приборы, под ред. А.А. Новицкого (М., Машиностроение, 1979)
- А. Амброзяк. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов (М., Сов. радио, 1970)
- D. Bonnet, H. Rabenhorst. Proc. Int. Conf. Physics and Chemistry of Semiconductor Heterojunction and Layer Structure (Hungary, Budapest, Akademio Kiado, 1971) т. 1, с. 119
- K. Ohata, J. Saraie, T. Tanaka. Jpn. J. Appl. Phys., 12 (10), 1641 (1973)
- А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
- Ш.А. Мирсагатов, К. Сабиров, С.А. Музафарова. ФТП, 21 (4), 733 (1987)
- Ш.А. Мирсагатов, Ж. Жанабергенов, С.Ж. Каражанов. Неорг. матер., 41 (8), 915 (2005)
- Ж. Жанабергенов, Ш.А. Мирсагатов, С.Ж. Каражанов, С.А. Музафарова. Письма ЖТФ, 29 (21), 82 (2003)
- Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова. Матер. конф. "Физика в Узбекистане" (Узбекистан, Ташкент, 27--28 сентября 2005) с. 97
- Ш.А. Мирсагатов, Б.У. Айтбаев, В.М. Рубинов. ФТП, 30 (3), 550 (1987)
- И.В. Островский. Акустолюминесценция и дефекты в кристаллах (Киев, Выща. шк., 1995) гл. 4, гл. 6
- И.В. Островский, Л.П. Стебленко, А.Б. Надточий. ФТТ, 42 (3), 478 (2000)
- B. Ostapenko, K. Bell. J. Appl. Phys., 77 (10), 5458 (1995)
- И.Б. Ермолович, В.В. Миленин, Р.В. Конакова, Л.Н. Применко, И.В. Прокопенко, В.Л. Громашевский. ФТП, 31 (4), 503 (1997)
- В.С. Аракелян, А.А. Авакян, Л.К. Капанакцян. ФТТ, 27 (8), 2536 (1985)
- M.K. Sheinkman, L.V. Borkovskaya, B.R. Dzhumaev, L.A. Drozdova, N.E. Korsunskaya, I.V. Morkevich, A.F. Singaevsky. Mater. Sci. Forum, 196--201, 1467 (1995)
- А.И. Власенко, Я.М. Олих, Р.К. Савкина. ФТП, 33 (4), 410 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
