Вышедшие номера
Исследование промежуточного слоя на гетерогранице n+-CdS/p-CdTe
Музафарова С.А.1, Айтбаев Б.У.1, Мирсагатов Ш.А.1, Дуршимбетов К.2, Жанабергенов Ж.2
1Физико-технический институт, Научно-производственное объединение "Физика солнца" Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, Нукус, Узбекистан
Поступила в редакцию: 13 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2008 г.

Исследовано формирование твердого раствора на гетерогранице n-CdS/p-CdTe в солнечных элементах в зависимости от технологического режима и последующего стимулирующего фактора - ультразвукового воздействия. Фазовый состав переходного слоя твердого раствора исследован с помощью неразрушающего фотоэлектрического метода, путем измерения спектрального распределения фоточувствительности в вентильном и фотодиодном режимах. Проведенные исследования показали, что фазовой состав и толщина слоя промежуточного твердого раствора CdTe1-xSx сильно зависят от технологического режима формирования гетероструктуры. PACS: 73.61.Ga, 73.40.Lq, 81.40.Tv