Вышедшие номера
Кажущаяся низкочастотная зарядовая емкость полупроводникового бора
Цагарейшвили О.А.1, Чхартишвили Л.С.1, Габуния Д.Л.1
1Институт металлургии и материаловедения им. Ф.Н. Тавадзе, Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 15 января 2008 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2008 г.

Низкочастотная зарядовая емкость образцов полупроводникового бора оказывается в десятки раз больше по сравнению с геометрическим значением, рассчитываемым по размерам образца в предположении однородности материала. Объяснение наблюдаемому ступенчатому поведению температурной зависимости емкости можно найти на основе обобщенной барьерной модели неоднородного полупроводника, в рамках ее трехслойного варианта. Представляется, что планарные дефекты, характерные для реальных кристаллов бора, создают упругие напряжения, достаточно сильные для локального снижения проводимости. Кроме того, на границах подобных включений с относительно высокопроводящей матрицей также должны возникать низкопроводящие барьерные прослойки. PACS: 72.80.Cw, 77.22.Ch, 77.22.Gm, 61.72.Nn, 72.20.Fr