Вышедшие номера
Анализ прямых вольт-амперных характеристик неидеальных барьеров Шоттки Ti/4H-SiC
Иванов П.А.1, Потапов А.С.1, Самсонова Т.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 апреля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.

Проанализированы прямые вольт-амперные характеристики неидеальных контактов Шоттки Ti/4H-SiC с коэффициентом неидеальности на экспоненциальном участке характеристик n=1.1-1.2. Неидеальность рассматривается как следствие образования тонкого диэлектрического слоя между напыленным титаном и 4H-SiC. По измеренным вольт-амперным характеристикам определены электрофизические параметры контактов - высота энергетического барьера, толщина промежуточного диэлектрического слоя, распределение плотности состояний по энергиям на границе раздела диэлектрик/полупроводник. PACS: 73.30.+y, 73.40.Ei, 73.40.Ns