Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Анализ прямых вольт-амперных характеристик неидеальных барьеров Шоттки Ti/4H-SiC

Иванов П.А.¹, Потапов А.С.¹, Самсонова Т.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 16 апреля 2008 г.

Выставление онлайн: 20 января 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проанализированы прямые вольт-амперные характеристики неидеальных контактов Шоттки Ti/4H-SiC с коэффициентом неидеальности на экспоненциальном участке характеристик n=1.1-1.2. Неидеальность рассматривается как следствие образования тонкого диэлектрического слоя между напыленным титаном и 4H-SiC. По измеренным вольт-амперным характеристикам определены электрофизические параметры контактов - высота энергетического барьера, толщина промежуточного диэлектрического слоя, распределение плотности состояний по энергиям на границе раздела диэлектрик/полупроводник. PACS: 73.30.+y, 73.40.Ei, 73.40.Ns

R.F. Schmitsdorf, T.U. Kampen, W. Monch. J. Vac. Sci. Technol. B, 15, 1221 (1997)
R. Perez, N. Mestres, J. Montserrat, D. Tournier, P. Godignon. Phys. Status Solidi A, 202, 692 (2005)
D. Defives, O. Noblanc, C. Dua, C. Brylinski, M. Barhula, V. Aubry-Fortuna, F. Meyer. IEEE Trans. Electron. Dev., 46, 449 (1999)
B.J. Skromme, E. Luckowski, K. Moore, M. Bhatnagar, C.E. Weitzel, T. Gehoski, D. Ganser. J. Electron. Mater., 29, 376 (2000)
H.C. Card, E.H. Rhoderick. J. Phys. D: Appl. Phys., 4, 1602 (1971)
K. Hattori, T. Yamasaki, Y. Uraoka, T. Fujii. J. Appl. Phys., 54, 7020 (1983)
М.Б. Шалимова, Н.В. Щербакова. Письма ЖТФ, 31, 27 (2005)
И.В. Грехов, П.А. Иванов, Н.Д. Ильинская, О.И. Коньков, А.С. Потапов. Т.П. Самсонова. ФТП, 42, 211 (2008)
В.А. Гуртов. Твердотельная электроника. Учебное пособие (Петрозаводск, ПетрГУ, 2004) гл. 3, с. 108
D. Stephani, R. Schoerner, D. Peters, P. Friedrichs. Mater. Sci. Forum, 527--529, 1147 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель