Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Наименьшее число пар слоев, необходимое для проявления сателлитной структуры при рентгеновской дифракции на сверхрешетках. Измерения и расчет упругих напряжений в чередующихся слоях сверхрешеток

Кузнецов Г.Ф.¹

¹Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия

Поступила в редакцию: 17 марта 2008 г.

Выставление онлайн: 20 января 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Сверхрешетки типа Al_xGa_1-xAs/GaAs.../(001)GaAs с величиной периода T>=q100 нм изучены методами рентгеновской дифрактометрии и топографии. Показано, что для проявления в рентгенодифрактометрическом спектре сателлитов, необходимых для идентификации и измерения параметров сверхрешеток на монокристаллической подложке, достаточно нарастить только две пары чередующихся слоев Al_xGa_1-xAs/GaAs. Рентгенодифрактометрический метод позволяет обнаруживать и измерять параметры упругодеформированных и пластически деформированных сверхрешеток. Дана теория расчета и рассчитаны величины упругих напряжений в чередующихся слоях сверхрешеток Al_xGa_1-xAs/GaAs.../(001)GaAs: для N₁=10 пар sigma_2N=4.37·10⁵ Па и sigma_2N-1=-4.37·10⁷ Па, для N₂=2 sigma_2N=6.16·10⁶ Па и sigma_2N-1=-2.8·10⁷ Па. Напряжение sigma_2N-1=-4.37·10⁷ Па вызывает пластическую деформацию в слоях твердого раствора сверхрешетки с N₁=10. PACS: 73.21.Cd, 61.05.-a

J. Hornstra, W.J. Bartels. J. Cryst. Growth, 44 (5), 513 (1978)
Ю.П. Хапачев, А.В. Колпаков, Г.Ф. Кузнецов, Р.Н. Кузьмин. Кристаллография, 24 (3), 430 (1979)
Ю.П. Хапачев, Г.Ф. Кузнецов. Кристаллография, 28 (1), 27 (1983)
К. Кабутов, О.Е. Коробов, Г.Ф. Кузнецов, В.Н. Маслов, Ю.П. Хапачев. Кристаллография, 28 (4), 647 (1983)
Г.Ф. Кузнецов, А.С. Игнатьев, В.А. Кусиков. Деп. ВИНИТИ N 200-093 (1993)
Г.Ф. Кузнецов, А.В. Колпаков, В.А. Кусиков, И.Р. Прудников. Тез. докл. 1-й Росс. конф. по физике полупроводников (Н. Новгород--Москва, 1993) т. 2, с. 311
Г.Ф. Кузнецов. Автореф. докт. дис. М., ИРЭ АН СССР (1998)
Г.Ф. Кузнецов. Электрон. техн., сер. 8. Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания, N 2, 12 (1985)
Г.Ф. Кузнецов. Электрон. техн., сер. 8, Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания, N 3, 39 (1985)
А.В. Колпаков, И.Р. Прудников. Вестн. МГУ. Физика, астрономия, 32 (4), 3 (1991)
А.В. Колпаков, И.Р. Прудников. Дифракция рентгеновских лучей в сверхрешетках (М., изд-во МГУ, 1992)
V.S. Speriosu, T. Vreeland. J. Appl. Phys., 56 (6), 1591 (1984)
T.H. Chiu, J.E. Zucker, T.K. Woodward. Appl. Phys. Lett., 59 (26) (1991)
Г.Ф. Кузнецов. Кристаллография, 45 (2), 326 (2000)
Krishan Lal, Niranjana N. Goswami, Gregory F. Kuznetsov. In: Semiconductor devices ed. by Krishan Lal (Narosa Pablishing House, New Delhi, India, 1996) p. 113
Г.Ф. Кузнецов. ФТП, 41 (10), 1272 (2007)
P.F. Fewster. J. Appl. Cryst., 22, 64 (1989)
P.F. Fewster. In: Physics of semiconductor devices, by V. Kumar, S.K. Agarwal (Delhy, India, 1999) v. 2, p. 958
А.Р. Ланг. Прямые методы исследования дефектов в кристаллах (М., Мир, 1965) с. 205, 259
В.Ф. Миусков. Рост кристаллов (Л., Наука, 1965) т. 5, с. 300
Г.Ф. Кузнецов. Кристаллография, 21 (4), 847 (1976)
И.Л. Шульпина. Рост кристаллов (Л., Наука, 1965) т. 5, с. 285
G.F. Kuznetsov. In: Physics of semiconductor devices, ed. by V. Kumar, S.K. Agarwal (Delhy, India, 1999) v. 1, p. 179
Г.Ф. Кузнецов. ЖТФ, 66 (1), 181 (1996)
Г.Ф. Кузнецов. Кристаллография, 46 (2), 320 (2001)
Г.Ф. Кузнецов. Кристаллография, 40 (5), 936 (1995)
Дж. Хирт, И. Лоте. Теория дислокаций (М., Атомиздат, 1972) [Пер. с англ.: J.P. Hirth, J. Lothe. Theory of dislocations (N.Y.--St. Louis--San Fransisco--Toronto--London--Sidney, McGraw-Hill Book Company)]
А.М. Афанасьев, М.А. Чуев, Р.М. Имамов, А.А. Ломов. Кристаллография, 45 (4), 715 (2000)
Е.М. Воронкова, Б.Н. Гречушников, Г.И. Дистлер, И.П. Перов. Оптические материалы для инфракрасной техники (М., Наука, 1965)
Л.Г. Орлов. ФТТ, 14 (12), 3691 (1972)
В.И. Никитенко. В кн.: Материалы Всесоюзного совещания по дефектам структуры в полупроводниках (Новосибирск, Наука, 1969) ч. 1, с. 195

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель