Исследованы температурные и частотные зависимости компонент полного импеданса нанокристаллических пленок PbTe(In) в температурном диапазоне 4.2-300 K в области частот 20 Гц-1 МГц. Пленки осаждались на охлажденную стеклянную подложку и отжигались в кислороде при температурах 300 и 350^oC. Транспорт носителей заряда в исследованных пленках определяется переносом заряда по инверсионным каналам на поверхности зерен и переходами через барьеры на межзеренных границах. Определены параметры (сопротивления и емкости), соответствующие каждому из указанных механизмов. В пленке, отожженной при 350^oC, доминирующий вклад в проводимость определяется инверсионными каналами. Показано, что в области низких температур перенос носителей по инверсионным каналам осуществляется посредством прыжковой проводимости. PACS: 73.63.Bd, 71.55.Ht, 72.20.Ee, 72.30.+q, 81.40.Rs

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.