Спектроскопия заряженных дефектов в тонких слоях стеклообразного Ge0.285Pb0.15S0.565
Кастро Р.А.1, Бордовский В.А.1, Анисимова Н.И.1, Грабко Г.И.1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 мая 2008 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2009 г.
На основании экспериментальных кривых изотермической релаксации темнового тока в тонких пленках стеклообразного полупроводника Ge0.285Pb0.15S0.565 впервые проведен расчет функции распределения времен релаксации, ее основных параметров и энергетического распределения плотности состояний заряженных дефектов. Полученные результаты подтверждают предположения о существовании в исследуемой системе недебаевского механизма дисперсии в интервале инфранизких частот и могут быть использованы для дальнейшего исследования электронных свойств неупорядоченных полупроводников. PACS: 71.23.Cq, 71.55.Jv, 73.61.Jc
- N.I. Anisimova, G.A. Bordovsky, V.A. Bordovsky, R.A. Castro. Rad. Eff. Def. Solids (REDS), 156, 359 (2001)
- G.A. Bordovsky, V.A. Bordovsky, N.I. Anisimova, R.A. Castro, V. Seldjaev. Abstracts II Int. Materials Symp. (Materials 2003), April 2003 (Caparica, Portugal) p. 59
- A.V. Kolobov, P. Fons, A.I. Frenkel, A.L. Ankudinov, J. Tominaga, T. Uruga. Nature Mater., 3, 703 (2004)
- Г.А. Бордовский, Р.А. Кастро. Изв. РГПУ им. А.И. Герцена, N 2 (4), 7 (2002)
- С.Д. Барановский, Г.А. Бордовский, Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, В.М. Любин, Н.А. Савинова. ФТП, 18 (6), 1016 (1984)
- G.A. Bordovsky, V.A. Bordovsky, R.A. Castro. Abstracts 1st Int. Conf. on Dielectric Spectroscopy (DS 2001), 12--15 March 2001 (Jerusalem, Israel), p. 95
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
