Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оптические и структурные характеристики пленок оксида цинка, легированных галлием
Новодворский О.А.1, Горбатенко Л.С.1, Панченко В.Я.1, Храмова О.Д.1, Черебыло Е.А.1, Венцель К.2, Барта Й.В.2, Бублик В.Т.3, Щербачев К.Д.3
1Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, Шатура, Россия 
2Институт полупроводниковой и микросистемной технологии, Университет технологии, Дрезден, Германия
3Московский государственный институт стали и сплавов (Технологический университет), Москва, Россия
2Институт полупроводниковой и микросистемной технологии, Университет технологии, Дрезден, Германия
3Московский государственный институт стали и сплавов (Технологический университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 2 июля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.
Методом импульсного лазерного осаждения на монокристаллических подложках сапфира (0001) получены пленки ZnO n-типа проводимости, легированные галлием до 2.5 ат%. Определены зависимости пропускания пленок ZnO в спектральном диапазоне от 200 до 3200 нм от концентрации примеси галлия. Установлено, что увеличение концентрации примеси галлия смещает границу фундаментальной полосы поглощения в синюю область, но снижает прозрачность пленок ZnO в инфракрасной области спектра. Определена зависимость ширины запрещенной зоны ZnO от уровня легирования галлием. Получены спектры фотолюминесценции пленок ZnO с различным уровнем легирования. Установлена немонотонная зависимость интенсивности и положения максимума фотолюминесценции от уровня легирования. Проведены рентгеноструктурные исследования пленок. Установлена зависимость кристаллографических параметров (постоянной решетки c) пленки ZnO от концентрации примеси галлия и условий процесса напыления. PACS: 68.55.Ln, 78.55.Hx, 78.67.-n, 81.15.Fg
- Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, Shizuo Fujita, Shigeo Fujita, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett., 70, 981 (1997)
- T. Mukai, D. Morita, S. Nakamura. J. Cryst. Growth, 189, 778 (1998)
- H. Tampo, A. Yamada, P. Fons, H. Shibata, K. Matsubara, K. Iwata, S. Niki, K. Nakahara, H. Takasu. Appl. Phys. Lett., 84 (22), 4412 (2004)
- Y. Chen, T. Yao. Mater. Sci. Eng. B, 75, 190 (2000)
- D.C. Look. Mater. Sci. Eng. B, 80, 383 (2001)
- D.C. Look, D.C. Reynolds, C.W. Litton, R.L. Jones, D.B. Eason, G. Cantwell. Appl. Phys. Lett., 81 (10), 1830 (2002)
- Y.W. Heo, Y.W. Kwon, Y. Li, S.J. Pearton, D.P. Norton. Appl. Phys. Lett., 84, 3474 (2004)
- Y.-Z. Yoo, Zheng-Wu Jin, T. Chikyow. Appl. Phys. Lett., 81 (20), 3798 (2002)
- T. Makino, Y. Segawa, M. Kawasaki, A. Ohtomo, R. Shiroki, K. Tamura, T. Yasuda. Appl. Phys. Lett., 78 (9), 1237 (2001)
- A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, K. Masubuchi, H. Koinuma, Y. Sakurai, Y. Yoshida, T. Yasuda, Y. Segawa. Appl. Phys. Lett., 72 (19), 2466 (1998)
- Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991)
- V. Srikant, D.R. Clarke. J. Appl. Phys., 81, 6357 (1997)
- C.X. Wang, G.W. Yang, T.C. Zhang, H.W. Liu, Y.H. Han, J.F. Luo, C.X. Gao, G.T. Zou. Diamond Relat. Mater., 12, 1548 (2003)
- Y.R. Ryu, S. Zhu, J.D. Budai, H.R. Chanrasekhar, P.F. Miceli, H.W. White. J. Appl. Phys., 288, 201 (2000)
- Y.R. Ryu, W.J. Kim, H.W. White. J. Cryst. Growth, 219, 419 (2001)
- T. Aoki, Y. Hatanara, D.C. Look. Appl. Phys. Lett., 76, 3257 (2000)
- A.K. Sharma, J. Narayan, J.F. Muth, C.W. Teng, C. Jin, A. Kvit, R.M. Kolbas, O.W. Holland. Appl. Phys. Lett., 75, 3327 (1999)
- K.-K. Kim, H.-S. Kim, D.-K. Hwang, J.-H. Lim, S.-J. Park. Appl. Phys. Lett., 83, 63 (2003)
- D.C. Look. Mater. Sci. Eng. B, 80, 383 (2001)
- M. Kawasaki, A. Ohtomo, I. Ohkubo, H. Koinuma, Z.K. Tang, P. Yu, G.K.L. Wong, B.P. Zhang, Y. Segawa. Mater. Sci. Eng. B, 56, 239 (1998)
- А.Н. Жерихин, А.И. Худобенко, Р.Т. Вилльямс, Дж. Вилкинсон, К.Б. Усер, Г. Хионг, В.В. Воронов. Квант. электрон., 33 (11), 975 (2003)
- E.M. Wong, P.C. Searson. Appl. Phys. Lett., 74, 3939 (1999)
- В.Я. Панченко, О.А. Новодворский, В.С. Голубев. Наука и технологии в пром-сти, N 4 (1), 39 (2006)
- John Seong Bae, Byung Kee Moon, Byung Chun Choi et al. Thin Sol. Films, 424, 291 (2003)
- Y.S. Park, Seung-Ho Lee, Jae-Eung Oh, Chang-Mo Park, Tae-Won Kang. Appl. Phys. Lett., 84 (22), 4478 (2004)
- S. Choopun, R.D. Vispute, W. Noch, A. Balsamo, R.P. Sharma, T. Venkatesan, A. Iliadis, D.C. Look. Appl. Phys. Lett., 75 (25), 3947 (1999)
- O.A. Novodvorsky, O.D. Khramova, C. Wenzel, J.W. Bartha, E.O. Filippova. J. Appl. Phys. Lett., 94 (5), 3612 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
