Вышедшие номера
Вольт-амперная характеристика p-n-структур на основе непрерывного твердого раствора (Si2)1-x(CdS)x
Саидов А.С.1, Лейдерман А.Ю.1, Усмонов Ш.Н.1, Холиков К.Т.1
1Физико-технический институт им. С.В. Старбодубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 8 апреля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.

Исследованы вольт-амперные характеристики структур p-Si-n-(Si2)1-x(CdS)x (0=< x=<0.01) при различных значениях температуры. Обнаружено, что вольт-амперная характеристика таких структур имеет участок сублинейного роста тока с напряжением V~ V0exp(JaW). Экспериментальные результаты объясняются на основе теории эффекта инжекционного обеднения. Показано, что подвижность неосновных носителей - дырок - уменьшается с ростом температуры. PACS: 73.40.Lq, 81.05.Dz