Послойный рентгеноспектральный микроанализ полупроводниковых структур методом вариации энергии электронного зонда
Бакалейников Л.А.1, Домрачева Я.В.1, Заморянская М.В.1, Колесникова Е.В.1, Попова Т.Б.1, Флегонтова Е.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 июля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.
Описана методика послойного рентгеноспектрального микроанализа полупроводниковых структур методом вариации энергии электронного зонда с последующей математической обработкой результатов измерений. Экспериментальные зависимости относительной интенсивности рентгеновского излучения от энергии электронного зонда сравнивались с результатами расчетов методом Монте-Карло. При этом делались априорные предположения о характере распределения концентрации по глубине, а численные параметры распределения отыскивались из условия наилучшего совпадения экспериментальных и расчетных зависимостей. Описанная методика применена для анализа распределения концентрации Al по глубине в образцах SiC и GaN. PACS: 79.60.Jv, 78.70.-g, 68.49.Jk, 78.70.En
- D.R. Penn. Phys. Rev. B, 35, 482 (1987)
- R. Shimizu, Z.J. Ding. Rep. Progr. Phys., 55, 487 (1992)
- Т.Б. Попова, Л.А. Бакалейников, М.В. Заморянская, Е.Ю. Флегонтова. ФТП, 42 (6), 686 (2008)
- Дж.К. Фидлер, К. Найтингейл. Машинное проектирование электронных схем (М., Высш. шк., 1985)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
