Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

AlGaN/GaN-СВЧ HEMT-транзисторы с пробивным напряжением выше 100 В и с предельной частотой усиления по мощности f_max до 100 ГГц

Мокеров В.Г.¹, Кузнецов А.Л.¹, Федоров Ю.В.¹, Енюшкина Е.Н.¹, Бугаев А.С.¹, Павлов А.Ю.¹, Гнатюк Д.Л.¹, Зуев А.В.¹, Галиев Р.Р.¹, Овчаренко Е.Н.¹, Свешников Ю.Н.², Цацульников А.Ф.³, Устинов В.М.³

¹Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²ЗАО Элма-Малахит--Концерн Энергомера, Зеленоград, Россия
³Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 4 сентября 2008 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы AlGaN/GaN HEMT - (High Electron Mobility Transistor) - транзисторы с секционированными затворами, с различными длинами затворов L_g от 170 нм до 0.5 мкм и с их ширинами W_g=nWⁿ_g (где Wⁿ_g - ширина секций и n - их количество) от 100 до 1200 мкм. По измеренным S-параметрам определены предельные частоты усиления по току f_t, по мощности f_max и коэффициенты усиления MSG/MAG на частотах 10, 20 и 30-40 ГГц. Исследована зависимость частоты f_t от длины затвора. При L_g=170 нм f_t достигает 48 ГГц. Проанализированы зависимости частоты f_max от размеров затворов и их топологии. С уменьшением L_g и Wⁿ_g f_max растет и при L_g=170 нм и W_g=100 мкм достигает 100 ГГц. Найдены оптимальные значения ширин затворов W_g и выходной мощности базовых транзисторов для различных частот. В разработанной 170 нм-AlGaN/GaN-HEMT-технологии сочетаются и высокие частотные характеристики (f_max=100 ГГц) и большие пробивные напряжения (115 В), что делает ее привлекательной для функционирования на частотах до 40 ГГц. PACS: 73.61.Ey, 84.37.+q, 84.40.Lj, 85.30.-z, 85.30.De, 85.35.-p

Takash Jnour, T. Nakajama, Y. Ando. IEEE Trans. Electron. Dev., 55 (2), 483 (2008)
Y.-F. Wu, A. Saxler, M. Moore, R.P. Smith, S. Sheppard, P.M. Chavarkar, T. Wisleder, U.K. Mishra, P. Parikh. IEEE Electron. Dev. Lett., 25 (3), 117 (2004)
M. Higashiwaki, N. Onojima, T. Matsui, T. Minura. Int. Conf. Nitride Semiconductors (Bremen, Germany, 2005) Paper We-ED2-4
T. Palacios, A. Chakraborty, S. Heikman, S. Keller, S.P. DenBaars, U.K. Mishra. IEEE Electron. Dev. Lett., 27 (1), 15 (2006)
В.Г. Мокеров, А.А. Кузнецов, Ю.В. Федоров, Е.Н. Енюшкина, А.С. Бугаев, А.Ю. Павлов, Д.Л. Гнатюк, А.В. Зуев, Р.Р. Галиев, Ю.Н. Свешников, А.Ф. Цацульников, В.М. Устинов. Тез. докл. 6-й Всерос. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы" (СПб., Россия, 2008) с. 152
A.K. Konorev. Proc. 9th Int. Symp. Nanostructures, Physics and Technol. (St.Petersburg, Russia, 2001) p. 230
G. Dambrine, T. Parenty, S. Bollaert, H. Happy, A. Cappy, J. Mateos, T. Nahri, J.C. Orthoc, M. Trier, P. Bander, P. Landry. Proc. Conf. 11th Eur. Gallium Arsenide and other Compound Semiconductors Application Symposium, ICM (Munich, Germany, 2003) p. 473

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель