Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Дислокационная электрическая проводимость синтетических алмазных пленок
1Донбасская национальная академия строительства и архитектуры, Макеевка, Украина 
Поступила в редакцию: 10 июня 2008 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2009 г.
Исследована связь электрического сопротивления монокристаллических гомоэпитаксиальных и поликристаллических алмазных пленок с их внутренней структурой. Установлено, что электрическая проводимость нелегированных образцов гомоэпитаксиальных и поликристаллических алмазных пленок непосредственно связана с плотностью дислокаций в них. Получено выражение, связывающее удельное сопротивление rho (~ 1013-1015 Ом·см) с плотностью дислокаций Gamma (~ 1014-4· 1016 м-2). Характер этой зависимости для обеих групп гомоэпитаксиальных и поликристаллических алмазных пленок является близким. В тонких (~1-8 мкм) гомоэпитаксиальных и поликристаллических алмазных пленках наблюдается дислокационная проводимость по малоугловым дислокационным границам между блоками мозаики. Энергия активации дислокационных акцепторных центров определена из температурной зависимости электропроводности. Она равна ~0.3 эВ. Электропроводность толстых алмазных пленок (h>10 мкм) с удельным сопротивлением rho~ 108 Ом·см определяется проводимостью межкристаллитных границ, которые имеют неалмазную гидрогенезированную структуру. Проводится сравнение электронных свойств алмазных пленок с электронными свойствами природных полупроводниковых алмазов типа II b и типа I c, у которых энергия активации дислокационных акцепторных центров равна 0.2-0.35 эВ и которые определяют их дырочную проводимость. PACS: 61.72.Dd, 61.72.Hh, 61.72.Lk, 72.80.-r
- B.V. Spitsyn, L.L. Bouilov, A.E. Alexenko. Braz. J. Phys., 30 (3), 471 (2000)
- A.R. Lang. In: The Properties of Diamond, ed. by J.E. Field (London--N.Y.--San Francisco, Academic Press, 1979) p. 425
- Н.Д. Самсоненко, Г.Б. Бокий, Н.А. Шульга, В.И. Тимченко. ДАН СССР, 218, 1336 (1974)
- Н.Д. Самсоненко, С.Н. Самсоненко. Вестн. ДонГу. Сер. А, Естественные науки, вып. 1, 78 (2001)
- В.Н. Варюхин, Н.Д. Самсоненко, С.Н. Самоненко, И.В. Сельская. Физика и техника высоких давлений, 11 (2), 7 (2001)
- В.Н. Варюхин, Н.Д. Самсоненко, С.Н. Самсоненко, И.В. Сельская. Физика и техника высоких давлений, 11 (4), 30 (2001)
- Н.Д. Самсоненко, В.И. Тимченко, В.А. Емец, Г.Б. Бокий. Кристаллография, 25, 1300 (1980)
- Н.Д. Самсоненко, С.Н. Самсоненко, Г.С. Олейник. Вестн. ДонГу. Сер. А, Естественные науки, вып. 2, 104 (2001)
- K.M. McNamara Rutledge, G.D. Wotkins, X. Zhou, K.K. Gleason, In: Diamond Based Composites and Related Materials, ed. by M.A. Prelas, A. Benedictus, L.S. Lin, G. Popovici and P. Gielisse (Dordrecht--Boston--London, Kluwer Academic Publischers, 1997)
- N.D. Samsonenko, S.N. Samsonenko, V.N. Varyukhin, Z.I. Kolupaeva. J. Phys.: Condens. Matter, 18, 5303 (2006)
- S.N. Samsonenko, N.D. Samsonenko, Z.I. Kolupaeva. Function Mater., 14 (2), 212 (2007)
- V.I. Ivanov-Omskii. In: Diamond Based Composites and Related Materials, ed. by M.A. Prelas, A. Benedictus, L.S. Lin, G. Popovici and P. Gielisse (Dordrecht--Boston--London, Kluwer Academic Publischers, 1997) p. 171
- Н. Мотт, Э. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1974)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
