Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Низкотемпературное получение пленок карбида кремния различных политипов

Семенов А.В.¹, Пузиков В.М.¹, Голубова Е.П.¹, Баумер В.Н.¹, Добротворская М.В.¹

¹Институт монокристаллов Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина Institute for Single Crystals, National Academy of Sciences of Ukraine, Kharkiv, Ukraine

Institute for Single Crystals, National Academy of Sciences of Ukraine, Kharkiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 17 сентября 2008 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучено влияние температуры на структуру пленок SiC, формируемых в условиях осаждения ионов углерода и кремния с энергией 120 эВ. На основе рентгеноструктурных измерений однозначно установлена тонкая зависимость структуры растущего политипа от температуры подложки. В диапазоне температур 1080-1510^oC впервые получена последовательность пленок с политипами 21R, 51R, 27R, 6H. Определено влияние температуры на изменение отношения атомных концентраций Si/C в осаждаемой пленке. С оптимизированными параметрами осаждения выращена пленка со структурой ромбоэдрического политипа 51R. PACS: 61.46.Hk, 68.55.Ac, 81.15.Jj

А.А. Лебедев, Г.Н. Мосина, И.П. Никитина, Н.С. Савкина, Л.М. Сорокин, А.С. Трегубова. Письма ЖТФ, 27 (24), 57 (2001)
А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, Д.В. Давыдов, Н.С. Савкина, А.Н. Кузнецов, Л.М. Сорокин. Письма ЖТФ, 28 (23), 89 (2002)
A.V. Semenov, V.M. Puzikov, M.V. Dobrotvorskaya, A.G. Fedorov, A.V. Lopin. Thin Sol. Films, 516, 2899 (2008)
A.V. Semenov, A.V. Lopin, V.M. Puzikov. Surface, X-Ray, Synchrotron, Neutron Research, 9, 99 (2004)
M.V. Reshetniak // http://REMAX.UCOZ.ru/NEWS/2006-06-6
Silicon carbide, eds H.K. Henisch, R. Roy (Pergamon Press, 1969) p. 371
Ю.В. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов. Sol. St. Phys., 24 (5), 1377 (1982)
R. Devanathan, W.J. Weber. J. Nucl. Mater., 287 (A-3), 258 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель